thz-generationsprozess in lt-gaas Die optische Abwärtskonvertierung ist die erfolgreichste kommerzielle Technik für die Erzeugung von GaAs mit niedriger Temperatur ( lt-Gaas ). Die Technik wird oft als Terahertz-Zeitbereichsspektroskopie (tHz-tds) bezeichnet. Diese Technik arbeitet durch optische Impulsanregung eines photoleitenden Schalters. hier beleuchtet ein Femtosekunden-Laserpuls eine Lücke zwischen zwei auf a aufgedruckten Elektroden (oder Antenne) Halbleitersubstrat Abbildung 1 zeigt, dass der Laserpuls Elektronen und Löcher erzeugt, die dann durch die angelegte Vorspannung zwischen den Elektroden beschleunigt werden. Dieser transiente Photostrom, der mit einer Antenne gekoppelt ist, enthält Frequenzkomponenten, die die Pulsdauer reflektieren und somit eine elektromagnetische Welle erzeugen thz Komponenten. In einem tHz-tds-Aufbau wird die thz-Strahlung unter Verwendung einer Empfängervorrichtung detektiert, die mit dem photoleitfähigen Schalteremitter identisch ist, und sie wird durch den gleichen optischen Impuls gesteuert. Für Abbildung 1 klicken Sie bitte unten: Der Hauptgrund für den Einsatz von lt-GAAS sind die attraktiven Eigenschaften dieses Materials für die ultraschnelle photoleitende Anwendung. lt-gaas hat eine einzigartige Kombination von physikalischen Eigenschaften, einschließlich: kurze Ladungsträgerlebensdauer (\u0026 lt; 200 fs), hoher spezifischer Widerstand, hohe Elektronenbeweglichkeit und hohes Durchbruchsfeld. Niedrigtemperaturwachstum von Gaas (zwischen 190-350 ° C) lässt überschüssiges Arsen als Punktdefekte inkorporiert werden: Arsen-Antisit (welches die Mehrheit der Defekte darstellt), Arsen-Interstitial- und Gallium-Leerstellen. ionisierte Antisitendefekte, die als tiefe Donatoren wirken, ungefähr 0,7 eV unterhalb des Leitungsbands, sorgen für schnelles Einfangen von Elektronen vom Leitungsband bis zu den Zuständen mit mittlerer Lücke (0,7 eV). Aufgrund dieses schnellen Einfangens von Elektronen durch Arsen-Atisit-Defekte kann eine so lange wie 90 fs lange Trägerlebensdauer aufweisen. Dies verbessert die Elektron-Loch-Rekombination, was zu einer wesentlichen Verringerung der Elektronenlebensdauer führt, wodurch die lT-GaAs für die ThZ-Generation geeignet sind. Für Abbildung 2 klicken Sie bitte unten: Nachrichten von Samir Rihani Hinweis: Powerway Wafer kann lt-Gaas, Größe von 2 \"bis 4\" bieten, Epi-Schicht kann bis zu 3um, Mikrodeckdichte kann \u0026 lt; 5 / cm2 sein, Trägerlebensdauer kann \u0026 lt; 0,5ps sein
Die Algan / Gan-Energie fet ist ein Aluminium-Galliumnitrid (Algan) / Galliumnitrid (Gan) -Feldeffekttransistor (Fet), der auf einem billigen Silizium hergestellt ist. Der Transistor nutzt die panasonic-eigene Kristallzüchtungstechnologie und Gan-Materialien, die eine 10-fache Durchbruchsspannung und einen um 1/5 geringeren Widerstand des vorhandenen Siliziums (si) aufweisen. als Ergebnis hat es eine Durchschlagspannung von 350 V erreicht, ebenso wie Silizium-Leistungs-Metalloxid-Halbleiter (MOS), einen sehr niedrigen spezifischen Durchlasswiderstand von 1,9 mOhm cm2 (unter 1/10 der si-Leistung), und Hochgeschwindigkeits-Leistungsumschaltung von weniger als 0,1 Nanosekunden (unter 1/100 der si-Leistung). der Transistor hat auch eine Stromschlagfähigkeit von 150 a (mehr als das Fünffache der Leistung von si). Nur einer dieser neuen Transistoren kann mehr als 10 parallel geschaltete Si-Leistungs-Mosfets ersetzen und trägt damit erheblich zur Energieeinsparung und Miniaturisierung elektronischer Produkte bei. Durch die Verwendung von Siliziumsubstraten werden die Materialkosten drastisch auf weniger als 1/100 der Siliziumkarbid-MOSFETs reduziert. Die neue Algan / Gan-Leistung ist das Ergebnis der Entwicklung der Source-via-Grounding (Svg) -Strukturtechnologie von panasonic, bei der die Transistor-Source-Elektrode durch Löcher auf der Oberflächenseite mit dem Si-Substrat verbunden ist. Dies eliminiert Source-Drähte, Bonding und Pads von der Substratoberfläche. Folglich werden die Chipgröße und die Drahtinduktivität signifikant reduziert. eine auf einer hohen Temperatur gewachsene AlN / Algan-Pufferschicht und ein AlN / Gan-Mehrschichtfilm werden auf der ersten Schicht verwendet, um die Defektdichte auf dem Si-Substrat zu verringern und die Qualität der Heteroübergangsgrenzfläche zu verbessern. Panasonic entwickelte die Gan-Wachstumstechnologie in Zusammenarbeit mit Professor Takashi Egawa vom Forschungszentrum für Nanogeräte und -systeme, dem nagoya Institute of Technology. Die neue Technologie hat entscheidend dazu beigetragen, dass die neue Hochleistung algan / gan fet entstand. durch die erfolgreiche entwicklung von gan auf einem si-substrat reagierte panasonic zum ersten mal weltweit auf die bedürfnisse nach verlustarmen schaltgeräten, die eine hohe durchschlagsspannung und einen geringen spezifischen Durchlasswiderstand kombinieren. Es wurde immer schwieriger für gegenwärtige Si-Power-Mosfets, die Bedürfnisse zu erfüllen. Quelle: phys.org Für weitere Informationen besuchen Sie bitte unsere Website: http://www.semiconductorwafers.net , Senden Sie uns eine E-Mail an angel.ye@powerwaywafer.com oder powerwaymaterial@gmail.com
Indiumarsenidfilme wurden durch ein Elektroabscheidungsverfahren bei niedriger Temperatur auf einem Zinnoxid (sno2) -Substrat gezüchtet. Röntgenbeugungsuntersuchungen zeigten, dass die im Wachstum gewachsenen Filme schlecht kristallisiert waren und die Wärmebehandlung die Kristallinität von Inas-Filmen verbesserte. atomkraftmikroskopische Messungen ergaben, dass die Inas-Filmoberfläche von Partikeln gebildet wird, deren Korngröße von den Elektrolyseparametern abhängt; Wir haben gefunden, dass die Korngröße mit der Elektrolysestromdichte zunimmt. Absorptionsmessungen zeigen, dass sich die Bandlückenenergie mit zunehmender Teilchengröße rot verschiebt. Dieses Ergebnis kann als Folge des Quanteneinschlusses auf die Ladungsträger in den Nanokristalliten interpretiert werden. Quelle: Iopscience Für weitere Informationen besuchen Sie bitte unsere Website: http: // http://www.semiconductorwafers.net , Senden Sie uns eine E-Mail an angel.ye@powerwaywafer.com oder powerwaymaterial@gmail.co m
Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd., ein führender Anbieter von Laserdioden-Epitaxie-Struktur und andere verwandte Produkte und Dienstleistungen kündigte die neue Verfügbarkeit der Größe 3 \"ist in der Massenproduktion im Jahr 2017. Dieses neue Produkt stellt eine natürliche Ergänzung zu Pam-Xiamen Die Produktlinie. DR. Shaka sagte: \"Wir freuen uns, unseren Kunden Laserdioden-Epitaxiestruktur anbieten zu können, einschließlich vieler, die für dpss-Laser besser und zuverlässiger entwickeln. Unsere Laserdioden-Epitaxiestruktur hat ausgezeichnete Eigenschaften, maßgeschneidertes Dotierungsprofil für geringe Absorptionsverluste und Hochleistungsmode Betrieb, optimierter aktiver Bereich für 100% interne Quanteneffizienz, spezielles breites Wellenleiter- (bwg) -Design für Hochleistungsbetrieb und / oder niedrige Emissionsdivergenz für effektive Faserkopplung, die Verfügbarkeit verbessert das Wachstum von Kugeln und Wafering-Prozesse. \" und \"unsere Kunden können jetzt von der erhöhten Geräteausbeute profitieren, die bei der Entwicklung fortschrittlicher Transistoren auf einem quadratischen Substrat erwartet wird. Unsere epitaktische Laserdiodenstruktur ist durch die Produkte unserer laufenden Bemühungen natürlich, derzeit widmen wir uns der kontinuierlichen Entwicklung zuverlässigerer Produkte.\" Pam-Xiamen 's verbesserte Laserdiode Epitaxiestruktur Produktlinie profitiert von starken Technologie, Unterstützung von nativen Universität und Laborzentrum. Jetzt zeigt es ein Beispiel wie folgt: 808nm Zusammensetzung Dicke dopping Gaas 150nm c, p = 1e20 Algen Lagen 1,51 um c Algainas qw \u0026 emsp; \u0026 emsp; Algen Lagen 2,57 um si gaassubstrat 350 um n = 1-4e18 905 nm Zusammensetzung Dicke dopping Gaas 150nm c, p = 1e20 Algenschichten 1,78 um c algainas qw \u0026 emsp; \u0026 emsp; Algenschichten 3,42 um si gaassubstrat 350 um n = 1-4e18 über Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd. gefunden in 1990, xiamen powerway erweiterte material co., ltd (pam-xiamen) ist ein führender hersteller von verbindungshalbleiter material in china. pam-xiamen entwickelt fortschrittliche Kristallwachstums- und Epitaxietechnologien, Herstellungsprozesse, technische Substrate und Halbleiterbauelemente. Die pam-Xiamen-Technologien ermöglichen eine höhere Leistung und eine kostengünstigere Herstellung von Halbleiterwafern. über Laserdioden-Epitaxiestruktur Die Laserdioden-Epitaxiestruktur wird unter Verwendung einer der Kristallwachstumstechniken, üblicherweise ausgehend von einem n-dotierten Substrat, aufgewachsen und wächst die i-dotierte aktive Schicht, gefolgt von der p-dotierten Ummantelung und einer Kontaktschicht. Die aktive Schicht besteht meistens aus Quantentöpfen, die einen niedrigeren Schwellenstrom und eine höhere Effizienz bereitstellen. q & a c: danke für deine Nachricht und Informationen. Es ist sehr interessant für uns. 1. Laserdiode 3-Zoll-Epitaxiestruktur für 808nm Menge: 10 nos. Könnten Sie uns Schichtdicke und Dotierungsinformation für 808...
Cree (Nasdaq: Cree) ist ein führender Innovator von Leuchtdioden (LED) der Lichtklasse, LED-Beleuchtung und Halbleiterlösungen für Wireless- und Power-Anwendungen. Das Unternehmen hat sich dazu verpflichtet, die Einführung von LEDs voranzutreiben, indem es die Leistung optimiert und die Lücke zwischen LED-Beleuchtung und konventioneller Technologie verkleinert. Cree macht derzeit 7,7% des globalen Marktes aus, aber wir schätzen, dass sein Anteil im Berichtszeitraum auf über 10% steigen wird. Ein Überangebot an LED-Produkten, angeführt von chinesischen Herstellern, und ein daraus resultierender Preisverfall sind Schlüsseltrends, die die LED-Industrie derzeit belasten. Angesichts eines Anstiegs der Bestellungen in allen Geschäftsbereichen ist die Marktdynamik jedoch gestiegen. LED erfordern im Vergleich zu herkömmlichen Lichtquellen deutlich geringere Energie- und Wartungskosten. historisch gesehen ist der led-markt von 2007 bis 2008 um 21% gewachsen, während der umsatz von cree 25% betrug. Wir gehen davon aus, dass der globale Markt bis zum Ende unseres Prognosezeitraums mit einem Plus von 9% wachsen wird, wobei der Markt für LED-Beleuchtungen schneller wachsen wird. nach dem erwerb von ruud lighting ist cree zu einem der führenden anbieter von indoor- und outdoor-led-beleuchtung geworden. Wir gehen daher davon aus, dass das Wachstum des Umsatzwachstums (13% bis 2019) das Wachstum im globalen Markt übertreffen wird. cree leitet mehr als 70% seiner Bewertung vom LED-Markt ab und jede Abweichung von unserer Schätzung kann zu erheblichen Auswirkungen auf die Bewertung führen. Unsere Preisschätzung von $ 35 für Cree ist mit einem erheblichen Rabatt auf den aktuellen Marktpreis. In diesem Artikel diskutieren wir unsere Gründe für die wahrscheinlichen Marktanteilsgewinne von Cree in den kommenden Jahren. Wachstumspotenzial im LED-Markt; führte zu einem Umsatzanstieg von 9% Der led-Markt hat sich in den letzten 5 Jahren von 5 Milliarden US-Dollar im Jahr 2006 auf rund 14 Milliarden US-Dollar mehr als verdoppelt. Viele Volkswirtschaften, insbesondere in den Schwellenländern, verzeichnen eine rasche Urbanisierung, die zu größeren Chancen für wirtschaftliche und soziale Entwicklung führt . Gleiches schafft jedoch Ressourcenknappheit und wirft Umweltprobleme auf. Die Länder beginnen zu erkennen, welche Möglichkeiten LED bieten, um ihre Energiekosten deutlich zu senken und die Wartungsgebühren zu senken. Mit Energieeinsparungen von 50% -60%, die zu niedrigeren Treibhausgasemissionen und einer wesentlich höheren Lebensdauer im Vergleich zu herkömmlichen Technologien führen, bieten LEDs eine kostengünstige Möglichkeit, den weltweiten Stromverbrauch zu senken. In wichtigen Marktsegmenten - wie Gewerbe-, Industrie- und Außenbeleuchtungen - ist die Marktdurchdringung bei LEDs nur 10%, während sie im (vielleicht aussichtsreichsten) Wohnsektor nur bei 1% liegt. [1] Wir schätzen, dass der globale Markt in Zukunft um 9% wachsen wird und bis zum Ende unseres Prognoseze...
Im ersten Teil dieser Reihe untersuchte ledinside die Strategien der vertikalen Integration von Philips, Osram und Cree. im zweiten teil dieser reihe werden wir die wichtigsten chinesischen führungsgesellschaften mls und elech-tech international (eti) vertikale integrationsstrategien näher betrachten. Warum erweitert MLS sein Beleuchtungsgeschäft, nachdem es zum größten LED-Verpacker Chinas geworden ist? am 17. februar 2015 wurde mls offiziell von shenzhen a share genehmigt und seine marktkapitalisierung stieg auf rmb 30 milliarden (us $ 4,64 milliarden), was es zu einem der wertvollsten unternehmen im led-paketsektor machte. Das enorme Umsatzwachstum von msl ist der Hauptgrund für die ansteigende Marktkapitalisierung und die Umsatzerlöse des Unternehmens überstiegen 2014 einen Rekordwert von 4 Mrd. rmb (619 Mio. us $). im vergleich zu einigen anderen chinesischen verpackungsherstellern, die gleichzeitig auf den markt kamen, wie nationstar, refond opto und hongliopto, expandierte mls in erstaunlichem Tempo. Der Unterschied zwischen diesen chinesischen Herstellern war 2008 unbedeutend, aber bis 2014 war der Umsatz drei- bis viermal höher als bei anderen Unternehmen. Vergleich der Einnahmen der chinesischen Hersteller Unter ähnlichen Rahmenbedingungen und Branchenentwicklungen könnte der Schlüssel für ein exponentielles Wachstum in einem korrekten Geschäftsmodell liegen. Die Geschäftsstrategie von mls passt genau zur Beschreibung der Gesamtkostenführerschaft unter der generischen Strategie des Wettbewerbsspezialisten Michael Porter. Sobald ein Hersteller die Strategie der Kostenführerschaft erfolgreich umsetzt, wird es für andere Unternehmen in ähnlichen und verwandten Märkten äußerst schwierig, die gleiche Marktposition zu erlangen. Viele führende Verpackungshersteller haben versucht, die Kostenführerschaftsstrategie von mls nachzuahmen, aber alle sind gescheitert. Wahrscheinlich haben sie die Porter Teachings vergessen, dass nur ein Unternehmen die Strategie in einem bestimmten Markt erfolgreich nutzen kann. Die Kostenführerschaftsstrategie birgt jedoch auch Risiken, insbesondere in der LED-Branche, in der sich Markt und Technologie rasant verändern. Zum Beispiel, wenn csp LED-Hersteller erfolgreich LED-Verpackungen zu beseitigen, wie sie behaupten, dann bestehende Anbieter auf LED-Verpackungen mit erheblichen Paket Produktionskapazität und Technologie konzentriert, wird all ihrer Vorteile beraubt werden und sogar Gefahr, ihre Wettbewerbsfähigkeit auf dem Markt zu verlieren. Dies gilt insbesondere für MLs, die ihre gesamten Investitionen in die Vergangenheit auf führende Verpackungstechnologie konzentriert haben und zum führenden Hersteller im Hinblick auf die Produktionskapazität geworden sind. Obwohl der Produktionsumfang früher ein Vorteil für den Hersteller war, könnte eine große Produktionskapazität zu hohen Fixkosten führen und das Unternehmen hohen Betriebsrisiken aussetzen, wenn bahnbrechende Technologien in die Industrie eingeführt werde...
als die klassischen Geschäftsmodelle in der LED-Industrie, niederländischen Beleuchtung Riese Philips und führenden deutschen Beleuchtung Hersteller osram Geschäftsmodelle als die am meisten diskutierten unter Markteingeweihten. Die vertikalen Integrationsmodelle der beiden europäischen Unternehmen gelten in der Branche als Lehrbuchfälle. Im Gegensatz dazu haben viele chinesische Hersteller eine Strategie der Diversifizierung in der Branche angenommen, mit Ausnahme von eti, die gewissenhaft das Konzept der vertikalen Integration verfolgt hat. seit absorbieren guangdong jiang longda (健 隆達) im jahr 2009, durch verschiedene investitionen eti war in der lage, nach und nach seine fehlenden links in der led-lieferkette zusammenzufügen. Das Unternehmen ist ein vollständig vertikal integriertes Unternehmen mit einer umfassenden Lieferkette mit LED-Chips, LED-Gehäusen und Beleuchtungsprodukten. Vertikale Integration und Diversifizierung waren lange Jahre zwei parallele Geschäftsmodelle in der LED-Industrie. Doch im Jahr 2015 haben Unternehmen, die sich zuvor auf den Markt für LED-Gehäusemärkte konzentriert hatten, wie Cree und MLS (oder auch als Waldbeleuchtung bekannt), begonnen, sich auf den Bereich der nachgelagerten Beleuchtung auszuweiten und damit ihre vertikale Integration auszuweiten. Im krassen Gegensatz dazu haben traditionelle Lichtspieler wie Philips und OSRAM wichtige Beleuchtungsunternehmen getrennt und zum Verkauf gestellt. So veräußerte Philips zum Beispiel im Jahr 2015 das Geschäft mit LED-Komponenten für Business-Lumileds und Automobilbeleuchtung. Weitere Pläne sehen den Verkauf des gesamten Beleuchtungsgeschäfts vor. Auch Osram hat sich von seinem Lichtquellengeschäft getrennt, das traditionell einen großen Umsatzanteil hatte. Bis zu einem gewissen Grad haben die beiden globalen Lichtgiganten die Geschäftsmodelle der vertikalen Integration aufgegeben, die sie über Jahre hinweg im Austausch für spezialisierte Geschäftsstrategien eingesetzt und entwickelt haben. Daher stellt sich die Frage, ob diese Entwicklungen ein Paradigmenwechsel im Managementumfeld sind oder ob die vertikale Integration zu einer überholten Strategie geworden ist. Wann ist der beste Zeitpunkt, um die vertikale Integration zu implementieren oder aufzugeben? Warum ist eine vertikale Integration notwendig? Ökonomen haben vor langer Zeit eine theoretische Erklärung geliefert. Die Vorteile der vertikalen Integration in einem fairen Handelsmarkt bestehen darin, dass durchschnittliche Produkte auf dem Markt gehandelt werden können und gleichzeitig die Skaleneffekte des Anbieters auf dem Markt genutzt werden können. Da die Anbieter Produkte an viele Kunden auf dem Markt versenden, können sie die Produktionskosten erheblich senken, selbst wenn das Beschaffungsvolumen moderat ist. Dennoch gibt es viele Nachteile in einem fairen Handelsmarkt. Wenn die Produktion eines bestimmten Rohstoffs in hohem Maße als spezifisches Gut genutzt wird, wird der Unterschied zwischen der Beschaf...
Indiumgalliumarsenid (ingaas), auch Galliumindiumarsenid genannt, ist eine gebräuchliche Bezeichnung für eine Familie von chemischen Verbindungen der drei chemischen Elemente Indium, Gallium und Arsen. Indium und Gallium sind beide Borgruppenelemente, oft als \"Gruppe III\" bezeichnet, während Arsen ein Pniktogen oder \"Gruppe V\" -Element ist. In der Halbleiterphysik werden Verbindungen von Elementen in diesen Gruppen oft als \"iii-v\" -Verbindungen bezeichnet. Da sie zur selben Gruppe gehören, spielen Indium und Gallium eine ähnliche Rolle bei der chemischen Bindung, und Ingaas wird oft als eine Legierung von Galliumarsenid und Indiumarsenid angesehen, wobei ihre Eigenschaften zwischen den beiden liegen und von dem Verhältnis von Gallium zu Indium abhängen . Unter typischen Bedingungen ist Ingaas ein Halbleiter, und es ist besonders wichtig in der Optoelektronik, weshalb es ausgiebig untersucht wurde. Derzeit können wir neue 2 \"Ingaas Struktur Wafer wie folgt anbieten: Struktur1: n ++ ingaas (~ 30 nm) (5 × 1019 cm-3, höher ist besser) inp (undotiert) (~ 3 nm) in0,53ga0,47as (undotiert) (10 nm) in0.52al0.48as (undotiert) (100 ~ 200 nm) 2 Zoll Inch Struktur3 inp (undotiert) (4 ~ 5 nm) in0.53ga0.47as (leicht p-Typ) (20 nm) in0.52al0.48as (undotiert) (10 nm) Pufferschicht erforderlich si : Struktur5:
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