pam-xiamens Gan (Galliumnitrid) -basierter LED-Epitaxialwafer ist für Anwendungen mit ultrahoher Helligkeit für blaue und grüne Leuchtdioden (LED) und Laserdioden (LD) geeignet.
moq :
1Gan (Galliumnitrid) -basierter LED-Epitaxialwafer
als led wafer hersteller, wir bieten led wafer für led und laserdioden (ld) anwendung, wie für micro led oder ultradünne wafer oder uv führte forschung oder led manufacturers.it ist durch mocvd mit pss oder flache saphir für lcd-rücklicht, mobil, elektronisch oder UV (ultraviolett), mit blauer oder grüner oder roter Emission, einschließlich ingan / gan aktiver Fläche und Alganschichten mit Gan-Well- / Algebarriere für verschiedene Chipgrößen.
gan auf al2o3-2 "epi wafer spezifikation (led epitaxial wafer)
|
uv LED: 365nm, 405nm |
|
Weiß : 445 ~ 460 nm |
|
Blau : 465 ~ 475 nm |
|
Grün : 510 ~ 530 nm |
1. Wachstumstechnik - mocvd
2. Waferdurchmesser: 50,8 mm
3. Wafer-Substratmaterial: gemustertes Saphirsubstrat (al2o3)
4.Wafer Mustergröße: 3x2x1,5μm
5.wafer struktur:
|
Strukturschichten |
Dicke (μm) |
|
p-gan |
0.2 |
|
p-algan |
0,03 |
|
ingan / gan (aktiv Bereich) |
0.2 |
|
N-Gan |
2.5 |
|
Ugan |
3.5 |
|
al2o3 (Substrat) |
430 |
6.wafer Parameter um Chips zu machen:
|
Artikel |
Farbe |
Chipgröße |
Eigenschaften |
Aussehen |
u0026 emsp; |
|
|
pam1023a01 |
Blau |
10mil x 23mil |
u0026 emsp; |
u0026 emsp; |
Beleuchtung |
|
|
vf = 2,8 ~ 3,4 V |
LCD-Rücklicht |
|||||
|
po = 18 ~ 25 mw |
Handy, Mobiltelefon Haushaltsgeräte |
|||||
|
wd = 450 ~ 460nm |
Verbraucher elektronisch |
|||||
|
pam454501 |
Blau |
45mil x 45mil |
vf = 2,8 ~ 3,4 V |
u0026 emsp; |
Allgemeines Beleuchtung |
|
|
po = 250 ~ 300 mw |
LCD-Rücklicht |
|||||
|
wd = 450 ~ 460 nm |
draussen Anzeige |
* wenn Sie mehr Detailinformation des blauen LED-Chips wissen müssen, treten Sie bitte mit unseren Verkaufsabteilungen in Verbindung
7. Anwendung von LED Epitaixal Wafer:
Beleuchtung
LCD-Rücklicht
mobile Geräte
Unterhaltungselektronik
Die Gan-basierten Epitaxialwafer (Epi-Wafer) von pam-xiamen sind für blaue und grüne Leuchtdioden mit ultrahoher Leuchtstärke (LED) vorgesehen
auf GaAs (Galliumarsenid) basierende Wafer:
gaas led wafer, sie sind von mocvd gewachsen, siehe unter wellenlänge von gaas led wafer:
|
rot: 585 nm, 615 nm, 620 ~ 630nm |
|
gelb: 587 ~ 592nm |
|
Gelbgrün: 568 ~ 573 |
Für diese Details führten Gaas Wafer-Spezifikationen, besuchen Sie bitte: Gaas Epi Wafer für LED
* Laserstruktur auf 2 Zoll Gan (0001) Substrat oder Saphirsubstrat ist verfügbar.
pam-xiamen's Template-Produkte bestehen aus kristallinen Schichten aus Galliumnitrid (gan), Aluminiumnitrid (aln), Aluminiumgalliumnitrid (algan) und Indiumgalliumnitrid (ingan), die auf Saphirsubstraten abgeschieden sind, Die Templatprodukte von Siliciumcarbid oder Siliciumpam-Xiamen ermöglichen 20-50% kürzere Epitaxiezykluszeiten und höherwertige4
pam-xiamen hat die Herstellungstechnologie für freistehende (Galliumnitrid) gan Substratwafer, die für uhb-led und ld ist, etabliert. gewachsen durch Hydriddampfphasenepitaxie (Hvpe) -Technologie, hat unser Gansubstrat eine geringe Defektdichte.
Galliumnitrid (Gan) Hemts (Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit) sind die nächste Generation von HF-Leistungstransistor-Technologie. Dank der Gan-Technologie bieten Pam-Xiamen nun Algan / Gan-Hemt-Epi-Wafer auf Saphir oder Silizium und Algan / Gan auf Saphir-Template .
Silizium-Epitaxie-Wafer (Epi-Wafer) ist eine Schicht aus Einkristall-Silizium auf einem Einkristall-Silizium-Wafer abgeschieden (Anmerkung: es ist verfügbar, um eine Schicht aus polykristallinen Silizium-Schicht auf einem hoch dotierten einkristallinen Silizium-Wafer wachsen, aber es braucht Pufferschicht (wie Oxid oder Poly-Si) zwischen dem Bulk-S4
wir stellen verschiedene Arten von Epi-Wafer iii-v-Silizium-dotierten n-Typ-Halbleitermaterialien her, basierend auf ga, al, in, as und p, die durch mbe oder mocvd gezüchtet wurden. Wir liefern kundenspezifische Strukturen nach Kundenspezifikationen. Bitte kontaktieren Sie uns für weitere Informationen.
pam-xiamen stellt czt-basierte Detektoren durch Festkörperdetektortechnologie für Röntgen- oder Gammastrahlen bereit, die eine bessere Energieauflösung im Vergleich zu einem Szintillationskristall-basierten Detektor, einschließlich czt-Planardetektor, czt-pixilierter Detektor, czt-co-planares gri, aufweist
Xiamen Powerway bietet insb Wafer - Indium Antimonid, die durch Lec (Flüssigkeit eingekapselt Czochralski) als Epi-Ready oder mechanische Klasse mit n-Typ, p-Typ oder semi-isolierende in unterschiedlicher Orientierung (111) oder (100) angebaut werden.
der Ätzwafer hat die Eigenschaften einer geringen Rauhigkeit, eines guten Glanzes und relativ niedriger Kosten und ersetzt direkt den polierten Wafer oder den epitaktischen Wafer, der relativ hohe Kosten aufweist, um die elektronischen Elemente in einigen Gebieten herzustellen, um die Kosten zu reduzieren. Es gibt Wafer mit geringer Rauhigkeit, ger4
Kontakt Informationen
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
