Das Waferbonden von GaAs unter Verwendung einer Ammoniumsulfid(NH4)2S-Behandlung wird für verschiedene Strukturen untersucht. Die Wirkung des Wafer-Offcut-Winkels auf die elektrische Leitfähigkeit von III-V- Solarzellenvorrichtungen, die n-GaAs/n-GaAs-Wafer-gebondete Strukturen verwenden, wird untersucht. Hochauflösende Röntgenbeugung wird verwendet, um die Fehlorientierung der verbundenen Proben zu bestätigen. Zusätzlich vergleichen wir die elektrischen Eigenschaften von epitaktisch gewachsenen pn-Übergängen auf GaAs mit n-GaAs/p-GaAs-Wafer-Bond-Strukturen. Hochauflösende Transmissionselektronenmikroskopie (HRTEM) und Rastertransmissionselektronenmikroskopie(STEM) werden verwendet, um die Grenzflächenmorphologie über den Bereich relativer Fehlorientierungen nach einem RTP von 600 {Gradzeichen}C zu vergleichen. Das Verhältnis von gut gebundenen kristallinen Bereichen zu amorphen Oxideinschlüssen ist bei allen gebundenen Proben konsistent, was darauf hinweist, dass der Grad der Fehlorientierung den Grad der Grenzflächenrekristallisation bei hohen Temperaturen nicht beeinflusst.

Quelle: IOPscience

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