Xiamen Powerway bietet inas Wafer - Indiumarsenid an, die durch Lec (Liquid Encapsulated Czochralski) als Epi-Ready oder Mechanical Grade mit n-Typ, p-Typ oder halbisolierend in unterschiedlicher Orientierung (111) oder (100) gezüchtet werden.
Xiamen Powerway bietet inas Wafer - Indiumarsenid an, die durch Lec (Liquid Encapsulated Czochralski) als Epi-Ready oder Mechanical Grade mit n-Typ, p-Typ oder halbisolierend in unterschiedlicher Orientierung (111) oder (100) gezüchtet werden.
Indiumarsenid, Inas, ist ein Halbleiter aus Indium und Arsen. es hat das Aussehen von grauen kubischen Kristallen mit einem Schmelzpunkt von 942 ° C. [2] Indiumarsenid wird für den Bau von Infrarotdetektoren für den Wellenlängenbereich von 1-3.8 μm verwendet. Die Detektoren sind gewöhnlich photovoltaische Photodioden. Kryogen gekühlte Detektoren weisen ein geringeres Rauschen auf, können jedoch auch bei Anwendungen mit höherer Leistung bei Raumtemperatur verwendet werden. Indiumarsenid wird auch zur Herstellung von Diodenlasern verwendet.
Indiumarsenid ähnelt Galliumarsenid und ist ein Material mit direkter Bandlücke. Indiumarsenid wird manchmal zusammen mit Indiumphosphid verwendet. legiert mit Galliumarsenid, bildet es Indiumgalliumarsenid - ein Material mit einer Bandlücke, die vom in / ga-Verhältnis abhängt, ein Verfahren, das prinzipiell ähnlich dem Legieren von Indiumnitrid mit Galliumnitrid ist, um Indiumgalliumnitrid zu erhalten.
| Wafer-Spezifikation | |
| Artikel | Spezifikationen |
| Waferdurchmesser | 2 "50,5 ± 0,5 mm 3 "76,2 ± 0,4 mm |
| Kristallorientierung | (100) ± 0,1 ° |
| Dicke | 2 "500 ± 25um 3 "625 ± 25um |
| primäre flache Länge | 2 "16 ± 2 mm 3 "22 ± 2 mm |
| sekundäre flache Länge | 2 "8 ± 1 mm 3 "11 ± 1 mm |
| Oberflächenfinish | p / e, p / p |
| Paket | epi-ready, Einzelwafer-Behälter oder CF-Kassette |
| Elektro- und Dotierungsspezifikation | |||||
| Leitungstyp | n-Typ | n-Typ | n-Typ | p-Typ | p-Typ |
| Dotierstoff | undotiert | schwefelarm | hoher Schwefelgehalt | wenig Zink | hohes Zink |
| e.d.p. cm -2 | 2 " ≤ 15.000 3" ≤ 50.000 |
||||
| Mobilität cm² v -1 s -1 | ≥ 23000 | 25000-15000 | 12000-7000 | 350-200 | 250-100 |
| Trägerkonzentration cm -3 | ( 1-3 ) * 10 16 | ( 4-8 ) * 10 16 | ( 1-3 ) * 10 18 | ( 1-3 ) * 10 17 | ( 1-3 ) * 1018 |
Xiamen Powerway bietet insb Wafer - Indium Antimonid, die durch Lec (Flüssigkeit eingekapselt Czochralski) als Epi-Ready oder mechanische Klasse mit n-Typ, p-Typ oder semi-isolierende in unterschiedlicher Orientierung (111) oder (100) angebaut werden.
xiamen powerway bietet inp wafer - indiumphosphid an, die durch lec (liquid verkapselte czochralski) oder vgf (vertical gradient freeze) als epi-ready oder mechanische grade mit n typ, p typ oder semiisolierend in unterschiedlicher orientierung (111) oder ( 100).
Xiamen Powerway bietet Gap - Wafer - Gallium - Phosphid an, die mit lec (liquid) gezüchtet werden verkapselte czochralski) als epi-ready oder mechanische Klasse mit n-Typ, p-Typ oder halbisolierend in unterschiedlicher Orientierung (111) oder (100).
Xiamen Powerway bietet Gas Wafer - Gallium Antimonid, die durch Lec (Flüssigkeit eingekapselt Czochralski) als Epi-Ready oder mechanische Klasse mit n-Typ, p-Typ oder semi-isolierende in unterschiedlicher Orientierung (111) gewachsen oder (100)
pam-xiamen bietet Dummy-Wafer / Test-Wafer / Monitor-Wafer
fz polierte Wafer, hauptsächlich für die Herstellung von Silizium-Gleichrichter (sr), Silizium gesteuerten Gleichrichter (scr), Riesen-Transistor (gtr), Thyristor (gro)
Xiamen Powerway bietet Gas Wafer - Gallium Antimonid, die durch Lec (Flüssigkeit eingekapselt Czochralski) als Epi-Ready oder mechanische Klasse mit n-Typ, p-Typ oder semi-isolierende in unterschiedlicher Orientierung (111) gewachsen oder (100)
cz-Silizium das schwer / leicht dotierte cz monokristalline silizium eignet sich zur herstellung verschiedener integrierter schaltkreise (ic), dioden, trioden, grün-energie solarpanels. die speziellen Elemente (wie ga, ge) können hinzugefügt werden, um die hocheffizienten, strahlungsresistenten und anti-degenerierenden Solarzellenmaterialien für sp4
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