Xiamen Powerway bietet inas Wafer - Indiumarsenid an, die durch Lec (Liquid Encapsulated Czochralski) als Epi-Ready oder Mechanical Grade mit n-Typ, p-Typ oder halbisolierend in unterschiedlicher Orientierung (111) oder (100) gezüchtet werden.
Xiamen Powerway bietet inas Wafer - Indiumarsenid an, die durch Lec (Liquid Encapsulated Czochralski) als Epi-Ready oder Mechanical Grade mit n-Typ, p-Typ oder halbisolierend in unterschiedlicher Orientierung (111) oder (100) gezüchtet werden.
Indiumarsenid, Inas, ist ein Halbleiter aus Indium und Arsen. es hat das Aussehen von grauen kubischen Kristallen mit einem Schmelzpunkt von 942 ° C. [2] Indiumarsenid wird für den Bau von Infrarotdetektoren für den Wellenlängenbereich von 1-3.8 μm verwendet. Die Detektoren sind gewöhnlich photovoltaische Photodioden. Kryogen gekühlte Detektoren weisen ein geringeres Rauschen auf, können jedoch auch bei Anwendungen mit höherer Leistung bei Raumtemperatur verwendet werden. Indiumarsenid wird auch zur Herstellung von Diodenlasern verwendet.
Indiumarsenid ähnelt Galliumarsenid und ist ein Material mit direkter Bandlücke. Indiumarsenid wird manchmal zusammen mit Indiumphosphid verwendet. legiert mit Galliumarsenid, bildet es Indiumgalliumarsenid - ein Material mit einer Bandlücke, die vom in / ga-Verhältnis abhängt, ein Verfahren, das prinzipiell ähnlich dem Legieren von Indiumnitrid mit Galliumnitrid ist, um Indiumgalliumnitrid zu erhalten.
| Wafer-Spezifikation | |
| Artikel | Spezifikationen |
| Waferdurchmesser | 2 "50,5 ± 0,5 mm 3 "76,2 ± 0,4 mm |
| Kristallorientierung | (100) ± 0,1 ° |
| Dicke | 2 "500 ± 25um 3 "625 ± 25um |
| primäre flache Länge | 2 "16 ± 2 mm 3 "22 ± 2 mm |
| sekundäre flache Länge | 2 "8 ± 1 mm 3 "11 ± 1 mm |
| Oberflächenfinish | p / e, p / p |
| Paket | epi-ready, Einzelwafer-Behälter oder CF-Kassette |
| Elektro- und Dotierungsspezifikation | |||||
| Leitungstyp | n-Typ | n-Typ | n-Typ | p-Typ | p-Typ |
| Dotierstoff | undotiert | schwefelarm | hoher Schwefelgehalt | wenig Zink | hohes Zink |
| e.d.p. cm -2 | 2 " ≤ 15.000 3" ≤ 50.000 |
||||
| Mobilität cm² v -1 s -1 | ≥ 23000 | 25000-15000 | 12000-7000 | 350-200 | 250-100 |
| Trägerkonzentration cm -3 | ( 1-3 ) * 10 16 | ( 4-8 ) * 10 16 | ( 1-3 ) * 10 18 | ( 1-3 ) * 10 17 | ( 1-3 ) * 1018 |
Xiamen Powerway bietet insb Wafer - Indium Antimonid, die durch Lec (Flüssigkeit eingekapselt Czochralski) als Epi-Ready oder mechanische Klasse mit n-Typ, p-Typ oder semi-isolierende in unterschiedlicher Orientierung (111) oder (100) angebaut werden.
xiamen powerway bietet inp wafer - indiumphosphid an, die durch lec (liquid verkapselte czochralski) oder vgf (vertical gradient freeze) als epi-ready oder mechanische grade mit n typ, p typ oder semiisolierend in unterschiedlicher orientierung (111) oder ( 100).
Xiamen Powerway bietet Gap - Wafer - Gallium - Phosphid an, die mit lec (liquid) gezüchtet werden verkapselte czochralski) als epi-ready oder mechanische Klasse mit n-Typ, p-Typ oder halbisolierend in unterschiedlicher Orientierung (111) oder (100).
Xiamen Powerway bietet Gas Wafer - Gallium Antimonid, die durch Lec (Flüssigkeit eingekapselt Czochralski) als Epi-Ready oder mechanische Klasse mit n-Typ, p-Typ oder semi-isolierende in unterschiedlicher Orientierung (111) gewachsen oder (100)
Aufgrund der physikalischen und elektronischen Eigenschaften von Silizium eignen sich Geräte auf Siliziumkarbid-Basis gut für optoelektronische, hochtemperatur-, strahlungsresistente und hochleistungsfähige Hochfrequenz-Geräte mit kurzer Wellenlänge, verglichen mit Geräten auf Si und GaAs-Basis.
Pam-Xiamen bietet Photoresistplatte mit Photoresist Wir können Nanolithographie (Photolithographie) anbieten: Oberflächenvorbereitung, Photoresistauftragung, Weichbrand, Ausrichtung, Belichtung, Entwicklung, Hartbrand, Entwicklungsinspektion, Ätzen, Entfernung von Fotolack (Streifen), Endkontrolle.
pam-xiamen stellt czt-basierte Detektoren durch Festkörperdetektortechnologie für Röntgen- oder Gammastrahlen bereit, die eine bessere Energieauflösung im Vergleich zu einem Szintillationskristall-basierten Detektor, einschließlich czt-Planardetektor, czt-pixilierter Detektor, czt-co-planares gri, aufweist
xiamen powerway bietet inp wafer - indiumphosphid an, die durch lec (liquid verkapselte czochralski) oder vgf (vertical gradient freeze) als epi-ready oder mechanische grade mit n typ, p typ oder semiisolierend in unterschiedlicher orientierung (111) oder ( 100).
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luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
