3,0 MeV Protonenbestrahlungseffekte auf die Gaas mittlere Zelle und die Gewinnzelle von n + -p Gewinn / gaas / ge Triple-Junction (3j) Solarzellen wurden mit der temperaturabhängigen Photolumineszenz (pl) -Technik analysiert. die e5 (ec - 0.96 ev) Elektronenfalle in der Gaas Mittelzelle, die h2 (ev + 0.55 eV) Lochfalle in der gainp Zelle werden als Protonenbestrahlungsinduzierte nichtstrahlende Rekombinationszentren identifiziert, welche die Leistung verursachen Degradation der Dreifach-Junction-Solarzellen. Die GaAs-Mittelzelle ist weniger resistent gegen Protonenbestrahlung als die Gainp-Zelle. Quelle: Iopscience Für weitere Informationen besuchen Sie bitte unsere Website: http://www.semiconductorwafers.net , Senden Sie uns eine E-Mail an angel.ye@powerwaywafer.com oder powerwaymaterial@gmail.com
Kristallwafer (sic wafer, gan wafer, gaas wafer, ge wafer, czt wafer, aln wafer, si wafer) Ein Wafer, auch Scheibe oder Substrat genannt, ist eine dünne Scheibe aus Halbleitermaterial, beispielsweise aus kristallinem Silizium, die in der Elektronik zur Herstellung von integrierten Schaltungen und in der Photovoltaik für herkömmliche Solarzellen auf Waferbasis verwendet wird. der Wafer dient als das Substrat für mikroelektronische Vorrichtungen, die in und über dem Wafer eingebaut sind, und durchläuft viele Mikrofabrikationsverfahrensschritte wie etwa Dotieren oder Ionenimplantation, Ätzen, Abscheiden verschiedener Materialien und photolithographische Strukturierung. schließlich werden die einzelnen Mikroschaltkreise getrennt (Dicing) und verpackt. Xiamenmachtweg Advanced Material Co., Ltd. bietet eine große Auswahl an Kristallwafern wie folgt an: 1) sic Kristallwafer : 2 \", 3\", 4 \" Orientierung: 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° Einkristall 4h / 6h Dicke: (250 ± 25) \u0026 mgr; m, (330 ± 25) \u0026 mgr; m, (430 ± 25) \u0026 mgr; m Geben Sie ein: n / s Dotierstoff: Stickstoff / v spezifischer Widerstand (RT): 0,02 ~ 0,1 Ω · cm / \u0026 gt; 1e5 Ω · cm fwhm: a \u0026 lt; 30 Bogensekunden b / c / d \u0026 lt; 50 Bogensekunden Verpackung: Einzelwafer-Box oder Multi-Wafer-Box 2) gan Kristallwafer: 1,5 \", 2\", 3 \", 4\" 6 \" freistehendes (Galliumnitrid) -Gan-Substrat Orientierung: c-Achse (0001) +/- 0,5 ° Dicke: 350um spezifischer Widerstand (300 k): \u0026 lt; 0,5 \u0026 OHgr; · cm \u0026 gt; 10 6 \u0026 OHgr; · cm Versetzungsdichte: \u0026 lt; 5x10 ^ 6cm-2 ttv: \u0026 lt; = 15um Bogen: \u0026 lt; = 20um Oberflächenbehandlung: Vorderseite: Ra \u0026 lt; 0,2nm.epi-ready poliert 3) Germaniumkristallwafer : 2 \", 3\", 4 \" Orientierung: +/- 0,5 ° Typ / Dotierstoff: n / sb; p / ga Durchmesser: 100 mm Dicke: 525 +/- 25 um Widerstand: 0,1 ~ 40 Ohm-cm primäre flache Position: +/- 0.5 Grad primäre flache Länge: 32,5 +/- 2,5 mm Vorderseite: poliert Rückseite: geätzt Kantenbearbeitung: zylindrischer Boden Oberflächenrauhigkeit (ra): \u0026 lt; = 5a epd: \u0026 lt; = 5000 cm \u0026 ndash; 2 epi bereit: ja Paket: Einzel-Wafer-Container 4) Gaas Kristallwafer : 2 \", 3\", 4 \", 6\" Dicke: 220 ~ 500m Leitungstyp: sc / n-Typ Wachstumsmethode: vgf Dotierstoff: Silizium / Zn Orientierung: (100) 20/60/150 aus (110) Widerstand bei RT: (1,5 ~ 9) e-3 Ohm.cm Verpackung: Einzelwafer-Behälter oder Kassette 2 \"lt-Gaas Dicke: 1-2um oder 2-3um spezifischer Widerstand (300k): \u0026 gt; 108 Ohm-cm Polieren: einseitig poliert (GaAs) Galliumarsenid-Wafer für LED / LD / Mikroelektronik / Anwendungen 5) czt Kristallwafer (15 * 15 ± 0,05 mm, 25 * 25 ± 0,05 mm, 30 * 30 ± 0,05 mm) Orientierung (111) b, (211) b Dicke: dotiert: undotiert spezifischer Widerstand: ≥ 1 mΩ.cm epd≤1x105 / cm3 Doppelseite poliert 6) aln Kristallwafer : 2 \" 7) Siliziumkristallwafer : 2 \", 3\", 4 \", 6\", 8 \" 8) linbo3 Kristallwafer: 2 \", 3\", 4 \", 6\" 9) litao3 Kristallwafer: 2 \", 3\", 4 \", 6\" 10) Inas, Inp-Kristal...
Detailanwendung von Siliziumcarbid Aufgrund der physischen und elektronischen Eigenschaften von Silizium eignen sich Geräte auf Siliziumkarbid-Basis gut für optoelektronische, Hochtemperatur-, strahlungsbeständige und hoch- und hochfrequente elektronische Geräte mit kurzer Wellenlänge im Vergleich zu Geräten mit Si und Gaas. viele Forscher kennen den Allgemeinen sic Anwendung : iii-v Nitrid Deposition, optoelektronische Geräte, High-Power-Geräte, Hochtemperatur-Geräte, Hochfrequenz-Power-Geräte.aber nur wenige Menschen kennt detaillierte Anwendungen, hier listen wir einige detaillierte Anwendung und einige Erklärungen: 1. sic Substrat für Röntgen-Monochromatoren: wie die Verwendung von Sics großem d-Abstand von etwa 15 a 2.Substrat für Hochspannungsgeräte 3. Substrat für das Wachstum von Diamantfilmen durch mikrowellenplasmaverstärkte chemische Gasphasenabscheidung 4.für Siliziumkarbid p-n-Diode 5. Substrat für optisches Fenster: wie für sehr kurze (\u0026 lt; 100 fs) und intensive (\u0026 gt; 100 gw / cm²) Laserimpulse mit a Wellenlänge von 1300 nm. es sollte einen niedrigen Absorptionskoeffizienten und einen niedrigen Zweiphotonenabsorptionskoeffizienten für 1300 nm haben 6. Substrat für den Wärmeverteiler: Beispielsweise wird der Siliziumkarbidkristall auf einer flachen Chip-Oberfläche mit einer Fläche von vecsel (Laser), um die erzeugte Pumpenwärme zu entfernen. Daher sind die folgenden Eigenschaften wichtig: 1) semi-isolierende Art erforderlich, um freie Trägerabsorption des Laserlichtes zu verhindern 2) Doppelseite poliert sind bevorzugt 3) Oberflächenrauigkeit: \u0026 lt; 2nm, so dass die Oberfläche zum Verkleben flach ist 7.sic substrat für thz system anwendung: normalerweise es thz transparenz 8.sic Substrat für Epitaxie Graphen auf sic: Graphen Epitaxie auf Off-Axe-Substrat und auf Achse sind beide verfügbar, Oberflächenseite auf C-Gesicht oder Si-Gesicht sind beide verfügbar. 9.sic Substrat für Prozessentwicklung loke ginding, Dicing und usw 10.Substrat für schnelle photoelektrische Schalter 11.Substrat für Kühlkörper: Wärmeleitfähigkeit und Wärmeausdehnung sind betroffen. 12.sic Substrat für Laser: Optik, Oberfläche und Straparence betroffen sind. 13. Substrat für iii-v-Epitaxie, normalerweise außeraxiales Substrat sind erforderlich. Xiamen Powerway fortgeschrittenes Material Co., begrenzt ist ein Experte in sic Substrat, kann Forschern in verschiedenen Anwendungen Anregungen geben. Quelle: pam-Xiamen Wenn Sie mehr Informationen über die Detailanwendung von Siliziumkarbid benötigen, besuchen Sie bitte http://www.semiconductorwafers.net oder senden Sie uns eine E-Mail an luna@powerwaywafer.com und powerwaymaterial@gmail.com
auf der Grundlage der physikalischen analytischen Modelle, basierend auf der Poisson-Gleichung, der Drift-Diffusion und der Kontinuitätsgleichung, werden die Durchlass-Strom-Spannungs-Charakteristiken von 6h-sic und 4h-sic Typ Schottky-Diode mit Ni und Ti Schottky-Kontakt wurden simuliert. Es ist auf der Grundlage der Analyse der Strom-Spannungs-Charakteristiken im Hinblick auf die Theorie der klassischen thermionischen Emission gezeigt, dass das vorgeschlagene Simulationsmodell der Schottky-Diode der fast \"idealen\" Diode mit dem Idealitätsfaktor n gleich 1,1 entspricht. deshalb wird bestimmt, dass die effektive Schottky-Barrierenhöhe phivb gleich 1,57 eV bzw. 1,17 eV für den Siliziumcarbid-Schottky-Diodentyp ni / 6h bzw. ti / 4h ist. Quelle: Iopscience Für weitere Informationen, besuchen Sie bitteunsere Internetseite: http://www.semiconductorwafers.net , Senden Sie uns eine E-Mail an angel.ye@powerwaywafer.com oder powerwaymaterial@gmail.com
wir berichten über das Molekularstrahlepitaxie (mbe) Wachstum und die Eigenschaften von Solarzellen. Das Integrieren einer ge-unteren Zelle unter einen gitterangepassten Dreifachverbindungsstapel, der durch mbe gewachsen ist, könnte ultra-hohe Effizienzen ohne metamorphes Wachstum oder Waferbindung ermöglichen. eine diffundierte Verbindung kann jedoch aufgrund des niedrigen Haftkoeffizienten von Molekülen der Gruppe-V nicht ohne weiteres in ge mbe gebildet werden ge Oberflächen. Wir haben daher Ge-Übergänge durch Wachstum von homoepitaktischen N-Ge auf P-Ge-Wafern innerhalb eines Standard-III-V-Mbe-Systems realisiert. Wir haben dann Solarzellen ge fabriziert, wobei die Wachstumstemperatur und das Glühen nach dem Wachstum als Schlüsselfaktoren für die Erzielung einer hohen Effizienz gefunden wurden. Leerlaufspannung und Füllfaktorwerte von ~ 0,175 v und ~ 0,59 ohne eine Fensterschicht wurden erhalten, die beide vergleichbar sind mit diffundiert ge Übergänge, die durch metallorganische Gasphasenepitaxie gebildet werden. Wir demonstrieren auch das Wachstum von GaAs mit hoher Qualität an der ge-Verbindung, wie es für das nachfolgende Wachstum von iii-v-Subzellen erforderlich ist, und dass die Oberflächenpassivierung durch die Gaas-Schicht die Ge-Zellen-Leistung leicht verbessert. Quelle: Iopscience Für weitere Informationen besuchen Sie bitte unsere Website: http://www.semiconductorwafers.net , Senden Sie uns eine E-Mail an angel.ye@powerwaywafer.com oder powerwaymaterial@gmail.com
wir berichten hier über einen doppelseitigen Prozess für die Herstellung eines Kammantriebs-Gan-Mikrospiegels auf einer Gan-on-Silicon-Plattform. ein Siliziumsubstrat wird zuerst von der Rückseite gemustert und durch tiefes reaktives Ionenätzen entfernt, was zu vollständig suspendierten GaN-Platten führt. Die Mikrostrukturen einschließlich der Torsionsstäbe, der beweglichen Kämme und der Spiegelplatte werden dann auf einer freistehenden Gan-Platte durch die Rückseitenausrichtungstechnik definiert und durch schnelles Atomstrahlätzen mit Cl \u0026 sub2; -Gas erzeugt. obwohl die hergestellten Kammantriebs-Mikrospiegel durch die Restspannung in dünnen Filmen abgelenkt werden, können sie auf einem Siliziumsubstrat mit hohem spezifischem Widerstand arbeiten, ohne irgendeine zusätzliche Isolationsschicht einzuführen. Die optischen Rotationswinkel werden in den Rotationsexperimenten experimentell charakterisiert. Diese Arbeit eröffnet die Möglichkeit, gan optische mikroelektromechanische Systeme (Mems) auf einer Gan-on-Silicon-Plattform herzustellen. Quelle: Iopscience Für weitere Informationen besuchen Sie bitte unsere Website: http://www.semiconductorwafers.net , Senden Sie uns eine E-Mail an angel.ye@powerwaywafer.com oder powerwaymaterial@gmail.com
Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd, ein führender Anbieter von Epi-Service für Gaas-basierte Laser-Wafer-Wachstum und andere damit zusammenhängende Produkte und Dienstleistungen kündigte die neue Verfügbarkeit der Größe 3 \"ist in der Massenproduktion im Jahr 2017. Dieses neue Produkt stellt eine natürliche Ergänzung zu pam-Xiamens Produktlinie. DR. shaka, sagte, \"wir freuen uns, Quantentopflaserstruktur unseren Kunden einschließlich vieler anzubieten, die besser und zuverlässiger für das grundlegende aktive Element (Laserlichtquelle) der Internet-Faseroptikkommunikation entwickeln. unsere epitaxiale Struktur der Laserdiode hat ausgezeichnet Eigenschaften, Quantentopflaser, die auf Galliumarsenid- und Indiumphosphidwafern basieren, Laser, die Quantentöpfe verwenden, und die diskreten Elektronenmoden werden sowohl durch Movpe- als auch Mbe-Techniken hergestellt, werden bei einer Vielzahl von Wellenlängen vom Ultraviolett- bis zum Thz-Bereich erzeugt Laser beruhen auf Galliumnitrid-basierten Materialien.Die Laser mit der längsten Wellenlänge beruhen auf dem Quantenkaskaden-Laserdesign.Quantenwell-Laser haben durch ihre vielen Vorteile wie niedrige Schwellenstromdichte, ausgezeichnetes Temperaturmerkmal, hohe Modulationsrate und eine große Aufmerksamkeitauf sich gezogen Wellenlängen-Einstellbarkeit usw. Die Verfügbarkeit verbessert das Wachstum von Kugeln und Wafering-Prozesse. \" und \"unsere Kunden können jetzt von der erhöhten Geräteausbeute profitieren, die bei der Entwicklung fortschrittlicher Transistoren auf einem quadratischen Substrat erwartet wird. Unser epi-Service für Gaas-basiertes Laserwafer-Wachstum ist selbstverständlich durch Produkte unserer laufenden Bemühungen, derzeit widmen wir uns der kontinuierlichen Entwicklung zuverlässiger Produkte.\" Pam-Xiamen 's verbesserte gaas-basierte Laser-Wafer-Produktlinie profitiert von starker Technologie, Unterstützung von nativen Universität und Laborzentrum. Jetzt zeigt es ein Beispiel wie folgt: 808 nm ingaasp / inp mqw laser struktur Schicht Material x Y-Belastungstoleranz pl Dicke Art Niveau \u0026 emsp; \u0026 emsp; (ppm) (nm) (Äh) \u0026 emsp; \u0026 emsp; \u0026 emsp; +/- 500 \u0026 emsp; 6 [al (x) ga] in (y) p 0.3 0.49 +/- 500r \u0026 emsp; 5 Gewinn (x) p 0.49 \u0026 emsp; 0.5 u / d \u0026 emsp; +/- 500 798 0,013 u / d \u0026 emsp; +/- 500 \u0026 emsp; 2 [al (x) ga] in (y) p 0.3 0.49 +/- 500 \u0026 emsp; 1 Gaas \u0026 emsp; \u0026 emsp; 0.5 n \u0026 emsp; \u0026 emsp; \u0026 emsp; n \u0026 emsp; im Jahr 1990 gefunden, Xiamen Powerway erweiterte Material Co., Ltd ( Pam-Xiamen ) ist ein führender Hersteller von Verbindungshalbleitermaterial in China. pam-xiamen entwickelt fortschrittliche Kristallwachstums- und Epitaxietechnologien, Herstellungsprozesse, technische Substrate und Halbleiterbauelemente. Die pam-Xiamen-Technologien ermöglichen eine höhere Leistung und eine kostengünstigere Herstellung von Halbleiterwafern. über Quantentopf-Laserstruktur p: danke für ihre anfrage, j...
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