Indiumgalliumarsenid (ingaas), auch Galliumindiumarsenid genannt, ist eine gebräuchliche Bezeichnung für eine Familie von chemischen Verbindungen der drei chemischen Elemente Indium, Gallium und Arsen. Indium und Gallium sind beide Borgruppenelemente, oft als \"Gruppe III\" bezeichnet, während Arsen ein Pniktogen oder \"Gruppe V\" -Element ist. In der Halbleiterphysik werden Verbindungen von Elementen in diesen Gruppen oft als \"iii-v\" -Verbindungen bezeichnet. Da sie zur selben Gruppe gehören, spielen Indium und Gallium eine ähnliche Rolle bei der chemischen Bindung, und Ingaas wird oft als eine Legierung von Galliumarsenid und Indiumarsenid angesehen, wobei ihre Eigenschaften zwischen den beiden liegen und von dem Verhältnis von Gallium zu Indium abhängen . Unter typischen Bedingungen ist Ingaas ein Halbleiter, und es ist besonders wichtig in der Optoelektronik, weshalb es ausgiebig untersucht wurde.
Derzeit können wir neue 2 \"Ingaas Struktur Wafer wie folgt anbieten:
Struktur1:
inp (undotiert) (4 ~ 5 nm) |
in0.53ga0.47as (leicht p-Typ) (20 nm) |
inp (undotiert) (30 nm) |
in0.52al0.48as (leicht p-Typ) (100 ~ 200 nm) |
2-Zoll-Inp-Sub. (undotiert oder p-Typ) |
Struktur2:
n ++ ingaas (~ 30 nm) (5 × 1019 cm-3, höher ist besser) |
inp (undotiert) (~ 3 nm) |
in0,53ga0,47as (undotiert) (10 nm) |
in0.52al0.48as (undotiert) (100 ~ 200 nm) |
2 Zoll Inch |
Struktur3
n ++ ingaas (~ 30 nm) (5 × 1019 cm-3, höher ist besser) |
inp (undotiert) (3 ~ 5 nm) |
in0.7ga0.3as (undotiert) (3 nm) |
Inas (undotiert) (2 nm) |
in0,53ga0,47as (undotiert) (5 nm) |
in0.52al0.48as (undotiert) (200 nm) |
si (Wafergröße: größer ist besser.) |
: Struktur4:
inp (undotiert) (4 ~ 5 nm) |
in0.53ga0.47as (leicht p-Typ) (20 nm) |
in0.52al0.48as (undotiert) (10 nm) |
Pufferschicht erforderlich |
si |
: Struktur5:
n ++ ingaas (~ 30 nm) (5 × 1019 cm-3, höher ist besser) |
inp (undotiert) (~ 3 nm) |
in0,53ga0,47as (undotiert) (10 nm) |
in0.52al0.48as (undotiert) (10 nm) |
Pufferschicht |
si |
Quelle: pam-Xiamen
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