Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd., ein führender Anbieter von Laserdioden-Epitaxie-Struktur und andere verwandte Produkte und Dienstleistungen kündigte die neue Verfügbarkeit der Größe 3 \"ist in der Massenproduktion im Jahr 2017. Dieses neue Produkt stellt eine natürliche Ergänzung zu Pam-Xiamen Die Produktlinie.

DR. Shaka sagte: \"Wir freuen uns, unseren Kunden Laserdioden-Epitaxiestruktur anbieten zu können, einschließlich vieler, die für dpss-Laser besser und zuverlässiger entwickeln. Unsere Laserdioden-Epitaxiestruktur hat ausgezeichnete Eigenschaften, maßgeschneidertes Dotierungsprofil für geringe Absorptionsverluste und Hochleistungsmode Betrieb, optimierter aktiver Bereich für 100% interne Quanteneffizienz, spezielles breites Wellenleiter- (bwg) -Design für Hochleistungsbetrieb und / oder niedrige Emissionsdivergenz für effektive Faserkopplung, die Verfügbarkeit verbessert das Wachstum von Kugeln und Wafering-Prozesse. \" und \"unsere Kunden können jetzt von der erhöhten Geräteausbeute profitieren, die bei der Entwicklung fortschrittlicher Transistoren auf einem quadratischen Substrat erwartet wird. Unsere epitaktische Laserdiodenstruktur ist durch die Produkte unserer laufenden Bemühungen natürlich, derzeit widmen wir uns der kontinuierlichen Entwicklung zuverlässigerer Produkte.\"

Pam-Xiamen 's verbesserte Laserdiode Epitaxiestruktur Produktlinie profitiert von starken Technologie, Unterstützung von nativen Universität und Laborzentrum.

Jetzt zeigt es ein Beispiel wie folgt:

808nm

905 nm

über Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd.

gefunden in 1990, xiamen powerway erweiterte material co., ltd (pam-xiamen) ist ein führender hersteller von verbindungshalbleiter material in china. pam-xiamen entwickelt fortschrittliche Kristallwachstums- und Epitaxietechnologien, Herstellungsprozesse, technische Substrate und Halbleiterbauelemente. Die pam-Xiamen-Technologien ermöglichen eine höhere Leistung und eine kostengünstigere Herstellung von Halbleiterwafern.

über Laserdioden-Epitaxiestruktur

Die Laserdioden-Epitaxiestruktur wird unter Verwendung einer der Kristallwachstumstechniken, üblicherweise ausgehend von einem n-dotierten Substrat, aufgewachsen und wächst die i-dotierte aktive Schicht, gefolgt von der p-dotierten Ummantelung und einer Kontaktschicht. Die aktive Schicht besteht meistens aus Quantentöpfen, die einen niedrigeren Schwellenstrom und eine höhere Effizienz bereitstellen.

q & a

c: danke für deine Nachricht und Informationen.

Es ist sehr interessant für uns.

1. Laserdiode 3-Zoll-Epitaxiestruktur für 808nm Menge: 10 nos.

Könnten Sie uns Schichtdicke und Dotierungsinformation für 808nm schicken?

Spezifikation:

1.generische 3 \"Laser Epitaxiestruktur für 808nm Emission

i.gaas Quantentopf pl Wellenlänge: 799 +/- 5 nm

wir brauchen Spitzenemission pl: 794 +/- 3 nm, könnten Sie es herstellen?

ii.pl Wellenlängeneinheitlichkeit: \u0026 lt; = 5 nm

iii. Defektdichte: \u0026 lt; 50 cm -2

iv. Dotierungsniveau-Einheitlichkeit: \u0026 lt; = 20%

v. Dotierungspegeltoleranz: \u0026 lt; = 30%

vi. Molenbruch (x) Toleranz: +/- 0,03

vii. Epischicht-Dickeneinheitlichkeit: \u0026 lt; = 6%

viii.thickness Toleranz: +/- 10%

ix.n + Gaas Substrat

xsrate epd \u0026 lt; 1 e3 cm -2

x Träger c: 0,5-4,0x e18 cm-2

xii.major flache Ausrichtung: (01-1) ± 0,05º

Wir benötigen auch Ihren Vorschlag für 980 und 1550nm epi-wafers.as, wie unten auf Ihrer Website erwähnt, ingaasp / ingaas auf Inp-Substraten

Wir liefern Ingaasp / Ingaas Epi auf Inp-Substraten wie folgt:

1.Struktur: 1.55um ingaasp qw Laser

Könntest du auch über LD-Parameter von LDs informieren, die für deine Standard-Pi-Wafer hergestellt wurden?

was ist p Ausgangsleistung von ld in cw mit einzelnen Emitter mit emittierenden Fläche Breite = 90-100um,

zum Beispiel oder Schmollen für LD-Bar mit emittierenden Fläche Breite = 10mm?

Ich freue mich auf Ihre schnelle Antwort auf die oben genannten Fragen.

p: siehe unten bitte:

808nm

905 nm

c: Wir interessieren uns für Epi-Wafer mit Laserwellenlänge 808 nm.

Bitte senden Sie uns zu Evaluierungszwecken und zur Anpassung eine Bewertung

des technologischen Prozesses, weil unsere Anwendung dpss Laser ist und wir müssen

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Schlüsselwörter: Faserlaser, abstimmbarer Laser, dfb Laser, vcsel Laser, Laserdiode,

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Für weitere Informationen besuchen Sie bitte unsere Website: http://www.semiconductorwafers.net ,

Schick uns eine E-Mail bei angel.ye@powerwaywafer.com oder powerwaymaterial@gmail.com