cz-Silizium
das schwer / leicht dotierte cz monokristalline silizium eignet sich zur herstellung verschiedener integrierter schaltkreise (ic), dioden, trioden, grün-energie solarpanels. die speziellen Elemente (wie ga, ge) können hinzugefügt werden, um die hocheffizienten, strahlungsresistenten und anti-degenerierenden Solarzellenmaterialien für spezielle Komponenten herzustellen.
cz monokristallines Silizium
cz-Silizium
das schwer / leicht-dotiert cz monokristallines Silizium ist geeignet für die Herstellung verschiedener integrierter Schaltkreise (IC), Dioden, Trioden, Grün-Energie-Solarpanel. die speziellen Elemente (wie ga, ge) können hinzugefügt werden, um die hocheffizienten, strahlungsresistenten und anti-degenerierenden Solarzellenmaterialien für spezielle Komponenten herzustellen.
MCZ
das Magnetfeld wird im Czochralski-Prozess verwendet, um das zu produzieren cz monokristallines Silizium mit den Eigenschaften eines niedrigen Sauerstoffgehalts und einer hohen spezifischen Gleichmäßigkeit; das MCZ Silizium ist geeignet, die Siliziummaterialien für verschiedene ICs, diskrete Vorrichtungen und sauerstoffarme Solarbatterien herzustellen.
cz stark dotierter Kristall
Übernahme der speziellen Dotiervorrichtung und cz-Prozess, die stark dotiert (p, sb, as) cz monokristallines Silizium mit sehr niedrigen spezifischen Widerstand produziert werden kann, wird hauptsächlich als Auskleidungsmaterial für epitaktische Wafer verwendet, und wird verwendet, um die speziellen elektronischen Geräte für ISI Schaltnetzteile, Schottky-Dioden und Feld-Control-Hochfrequenz-Leistungselektronik-Geräte zu produzieren.
u0026 lt; 110 u0026 gt; spezielle Orientierung cz-Silizium
das u0026 lt; 110 u0026 gt; monokristallines Silizium hat die ursprüngliche Ausrichtung u0026 lt; 110 u0026 gt; die weitere Verarbeitung zur Orientierungseinstellung unnötig; das u0026 lt; 110 u0026 gt; monokristallines Silizium hat die Eigenschaften der perfekten Kristallstruktur und niedrigen Sauerstoff- u0026 Amp; Kohlenstoffgehalt, ist ein neues Solarzellenmaterial und kann das Zellmaterial der neuen Generation verwendet werden.
unsere Vorteile auf einen Blick
1. fortgeschrittene Epitaxie-Wachstumsgeräte und Testgeräte.
2. bieten die höchste Qualität mit geringer Fehlerdichte und guter Oberflächenrauigkeit.
3. starke Unterstützung des Forschungsteams und Technologieunterstützung für unsere Kunden
cz monokristalline Silizium-Spezifikation
|
Art |
Leitungstyp |
Orientierung |
Durchmesser (mm) |
Leitfähigkeit (Ω • cm) |
|
cz |
n & p |
u0026 lt; 100 u0026 gt; u0026 lt; 110 u0026 gt; & u0026 lt; 111 u0026 gt; |
76.2-200 |
1-300 |
|
MCZ |
n & p |
u0026 lt; 100 u0026 gt; u0026 lt; 110 u0026 gt; & u0026 lt; 111 u0026 gt; |
76.2-200 |
1-300 |
|
Schwerdoping |
n & p |
u0026 lt; 100 u0026 gt; u0026 lt; 110 u0026 gt; & u0026 lt; 111 u0026 gt; |
76.2-200 |
0.001-1 |
Wafer-Spezifikation
|
u0026 emsp; |
Durchmesser (mm) |
Dicke (um) |
|
Wafer |
76.2-200 |
≥ 160 |
fz-Silizium das monokristalline Silizium mit den Eigenschaften eines niedrigen Fremdstoffgehalts, einer geringen Defektdichte und einer perfekten Kristallstruktur wird mit dem Float-Zone-Verfahren hergestellt; während des Kristallwachstums wird kein Fremdmaterial eingeführt. die fz-Silizium-Leitfähigkeit liegt üblicherweise über 1000 Ω-cm, und das 4
pam-xiamen bietet Dummy-Wafer / Test-Wafer / Monitor-Wafer
Silizium-Epitaxie-Wafer (Epi-Wafer) ist eine Schicht aus Einkristall-Silizium auf einem Einkristall-Silizium-Wafer abgeschieden (Anmerkung: es ist verfügbar, um eine Schicht aus polykristallinen Silizium-Schicht auf einem hoch dotierten einkristallinen Silizium-Wafer wachsen, aber es braucht Pufferschicht (wie Oxid oder Poly-Si) zwischen dem Bulk-S4
fz polierte Wafer, hauptsächlich für die Herstellung von Silizium-Gleichrichter (sr), Silizium gesteuerten Gleichrichter (scr), Riesen-Transistor (gtr), Thyristor (gro)
der Ätzwafer hat die Eigenschaften einer geringen Rauhigkeit, eines guten Glanzes und relativ niedriger Kosten und ersetzt direkt den polierten Wafer oder den epitaktischen Wafer, der relativ hohe Kosten aufweist, um die elektronischen Elemente in einigen Gebieten herzustellen, um die Kosten zu reduzieren. Es gibt Wafer mit geringer Rauhigkeit, ger4
Aufgrund der physikalischen und elektronischen Eigenschaften von Silizium eignen sich Geräte auf Siliziumkarbid-Basis gut für optoelektronische, hochtemperatur-, strahlungsresistente und hochleistungsfähige Hochfrequenz-Geräte mit kurzer Wellenlänge, verglichen mit Geräten auf Si und GaAs-Basis.
xiamen powerway bietet inp wafer - indiumphosphid an, die durch lec (liquid verkapselte czochralski) oder vgf (vertical gradient freeze) als epi-ready oder mechanische grade mit n typ, p typ oder semiisolierend in unterschiedlicher orientierung (111) oder ( 100).
pam-xiamen bietet Halbleiter Siliziumkarbid Wafer, 6h sic und 4h sic in verschiedenen Qualitäten für den Forscher und Industriehersteller. wir haben sic Kristallwachstumstechnologie und sic Kristallwafer-Verarbeitungstechnologie entwickelt, etablierte eine produktionslinie zu hersteller sic substrat, die in gan epitaxie gerät, power geräte, Hochtem4
Kontakt Informationen
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