Ge (Germanium) -Einkristalle und -Wafer

Allgemeines  Eigenschaften Struktur

kubisch, a =  5.6754 Å

Dichte: 5,765  g / cm3

schmelzen  Punkt: 937.4 u

Thermal-  Leitfähigkeit: 640

Kristallwachstum  Technologie

czochralski

Doping  verfügbar

undotiert

SB-Doping

Doping in oder  ga

leitfähiger Typ

/

n

p

Widerstand, ohm.cm

u0026 gt; 35

u0026 lt; 0,05

0,05 - 0,1

epd

u0026 lt; 5x10 ³ /cm ²

u0026 lt; 5x10 ³ /cm ²

u0026 lt; 5x10 ³ /cm ²

u0026 lt; 5x10 ² /cm ²

u0026 lt; 5x10 ² /cm ²

u0026 lt; 5x10 ² /cm ²

elektronische Klasse

Wird für Dioden verwendet  und Transistoren,

Infrarot oder  Optical Note

verwendet für ir  optische Fenster oder Platten, optische Komponenten

Zellgehalt

verwendet für Substrate von  Solarzelle

Kristall  Orientierung

u0026 lt; 111 u0026 gt;, u0026 lt; 100 u0026 gt;  und u0026 lt; 110 u0026 gt; ± 0,5 ^O oder benutzerdefinierte Ausrichtung

Kristallkugel als  gewachsen

1 "~  6 "Durchmesser x 200 mm Länge

Standard leer  wie geschnitten

1 "x 0,5 mm

2 "x 0,6 mm

4 "x 0,7 mm

5 "u0026 6" x 0,8 mm

Standard  polierte Wafer (ein / zwei Seiten poliert)

1 "x 0,30 mm

2 "x 0,5 mm

4 "x0,5 mm

5 "u0026 6" x 0,6 mm

Artikel

Spezifikationen

Bemerkungen

Wachstumsmethode

vgf

Leitungstyp

n-Typ, p-Typ,  undotiert

Dotierstoff

Gallium oder  Antimon

Waferdurchmesser

2, 3,4 & 6

Zoll

Kristall  Orientierung

(100), (111), (110)

Dicke

200 ~ 550

Äh

von

ej oder wir

Träger  Konzentration

Anfrage nach  Kunden

u0026 emsp;

Widerstand bei  rt

(0,001 ~ 80)

ohm.cm

Ätzgrübchendichte

u0026 lt; 5000

/ cm2

Laserbeschriftung

auf Anfrage

Oberflächenfinish

p / e oder p / p

Epi bereit

Ja

Paket

Einzelwafer  Behälter oder Kassette

u0026 emsp;

4 Zoll ge Wafer  Spezifikation

zum Solarzellen

u0026 emsp;

Doping

p

u0026 emsp;

Doping  Substanzen

ge-ga

u0026 emsp;

Durchmesser

100 ± 0,25  mm

u0026 emsp;

Orientierung

(100) 9 ° aus  in Richtung u0026 lt; 111 u0026 gt; +/- 0,5

Aus-Orientierung  Neigungswinkel

n / a

u0026 emsp;

primäre Wohnung  Orientierung

n / a

u0026 emsp;

primäre Wohnung  Länge

32 ± 1

mm

Zweitwohnung  Orientierung

n / a

u0026 emsp;

Zweitwohnung  Länge

n / a

mm

cc

(0.26-2.24) e18

/c.c

Widerstand

(0,74-2,81) e-2

ohm.cm

Elektron  Mobilität

382-865

cm2 / vs.

epd

u0026 lt; 300

/ cm2

Lasermarkierung

n / a

u0026 emsp;

Dicke

175 ± 10

um

ttv

u003c 15

um

tir

n / a

um

Bogen

u0026 lt; 10

um

Kette

u003c 10

um

Vorderseite

poliert

u0026 emsp;

Rückfläche

Boden

u0026 emsp;