Glaswafer Wir sind einer der weltweit führenden Anbieter von Glaswafern dünn & ultradünne Glaswafer und Substrate, die aus verschiedenen Materialien hergestellt sind, wie z Borofloat , Quarzglas & Quarz , bk7 , Natronkalk usw. für Mems , LWL AWG , LCD-Panels und oled Substrate Anwendung. Diese Wafer sind alle Semi-Standards, einschließlich Maß-, Flach- und Kerbspezifikationen. Wir bieten auch kundenspezifische Spezifikationen an, die auf Ihre individuellen Bedürfnisse zugeschnitten sind, einschließlich Ausrichtungsmarkierungen, Löcher, Taschen, Kantenprofil, Dicke, Ebenheit, Oberflächenqualität, Sauberkeit oder andere für Sie wichtige Details Anwendung, einschließlich Halbleiter, medizinische Wissenschaft, Kommunikation, Laser, Infrarot, Elektronik, Messgeräte, Militär und Raumfahrt. Parameter Messung Durchmesser 2 \", 4 \", 6\", 8 \", 10\" dimensional Toleranz ± 0,02 um Dicke 0,12 mm, 0,13 mm, 0,2 mm, 0,25 mm, 0,45 mm Dicke Toleranz ± 10 um Dicke Variation (ttv) \u0026 lt; 0,01 mm Ebenheit 1/10 Welle / Zoll Oberfläche Rauheit (RMS) \u0026 lt; 1,5 nm kratzen und graben 5/2 Partikelgröße \u0026 lt; 5 \u0026 mgr; m Bogen / Warp \u0026 lt; 10 um für die Maßanfertigung, bitte kontaktieren Sie uns Glas-Wafer-Prozess Wafer schneiden : leere Wafer sind fertig durch diese dicken Platten sind Wasserstrahl und Blöcke sind Draht gesägt Bodenkante : die Waferkante ist zylindrisch an der Kantenschleifstation geerdet. Wafer Läppen : Der Wafer wird auf die gewünschte Dicke geläppt. Wafer Polieren Das Polieren des Wafers gibt ihm die gespiegelte, superflache Oberfläche, die für die Herstellung erforderlich ist. Waferreinigung : Es ist die Entfernung von chemischen und partikulären Verunreinigungen, ohne die Waferoberfläche oder das Substrat auf mehreren Reinigungslinien zu verändern oder zu beschädigen. Wafer-Inspektion : Inspizieren Sie unter den entsprechenden Beleuchtungsbedingungen im Reinraum der Klasse 100 verschiedene Qualitätsstufen. Wafer-Verpackung Alle Wafer sind in den einzelnen Wafer-Containern verpackt.
Siliciumcarbid-Liste 4 \"4h Siliziumkarbid Art.-Nr. Art Orientati auf dick ss Klasse Mikroleitung d ensity su rface verwendbar Bereich \u0026 emsp; n-Typ s4h-100-n-sic-350-a 4 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 350 ± 25um ein \u0026 lt; 10 / cm² p / p \u0026 gt; 90% s4h-100-n-sic-350-b 4 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 350 ± 25um b \u0026 lt; 30 / cm2 p / p \u0026 gt; 85% s4h-100-n-sic-350-d 4 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 350 ± 25um d \u0026 lt; 100 / cm² p / p \u0026 gt; 75% s4h-100-n-sic-370-l 4 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 370 ± 25um d * l / l \u0026 gt; 75% s4h-100-n-sic-440-ac 4 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 440 ± 25um d * wie geschnitten \u0026 gt; 75% s4h-100-n-sic-c0510-a-d 4 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 5 ~ 10mm d \u0026 lt; 100 / cm² wie geschnitten * s4h-100-n-sic-c1015-a-c 4 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 5 ~ 10mm c \u0026 lt; 50 / cm² wie geschnitten * 3 \"4h Siliziumkarbid Art.-Nr. Art Orie ntation dick ss grad e Mikrolunker Dichte Oberfläche e USA blasse Gegend \u0026 emsp; n-Typ s4h-76-n-sic-350-a 3 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 350 ± 25um ein \u0026 lt; 10 / cm² p / p \u0026 gt; 90% s4h-76-n-sic-350-b 3 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 350 ± 25um b \u0026 lt; 30 / cm2 p / p \u0026 gt; 85% s4h-76-n-sic-350-d 3 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 350 ± 25um d \u0026 lt; 100 / cm² p / p \u0026 gt; 75% s4h-76-n-sic-370-l 3 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 370 ± 25um d * l / l \u0026 gt; 75% s4h-76-n-sic-410-ac 3 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 410 ± 25um d * wie geschnitten \u0026 gt; 75% s4h-76-n-sic-c0510-a-d 3 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 5 ~ 10mm d \u0026 lt; 100 / cm² wie geschnitten * s4h-76-n-sic-c1015-a-d 3 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 10 ~ 15 mm d \u0026 lt; 100 / cm² wie geschnitten * s4h-76-n-sic-c0510-a-c 3 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 5 ~ 10mm c \u0026 lt; 50 / cm² wie geschnitten * s4h-76-n-sic-c1015-a-c 3 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 10 ~ 15 mm c \u0026 lt; 50 / cm² wie geschnitten * \u0026 emsp; halbisolierend s4h-76-si-sic-350-a 3 \"4h-si 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 350 ± 25um ein \u0026 lt; 10 / cm² p / p \u0026 gt; 90% s4h-76-si-sic-350-b 3 \"4h-si 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 350 ± 25um b \u0026 lt; 30 / cm2 p / p \u0026 gt; 85% s4h-76-si-sic-350-d 3 \"4h-si 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 350 ± 25um d \u0026 lt; 100 / cm² p / p \u0026 gt; 75% 2 \"4h Siliziumkarbid Art.-Nr. Art Orienta tion verdicken ess grad e Mikro IPE-Dichte Surfen As usabl der Bereich \u0026 emsp; n-Typ s4h-51-n-sic-330-a 2 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 330 ± 25um ein \u0026 lt; 10 / cm² c / p \u0026 gt; 90% s4h-51-n-sic-330-b 2 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 330 ± 25um b \u0026 lt; 30 / cm2 c / p \u0026 gt; 85% s4h-51-n-sic-330-d 2 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 330 ± 25um d \u0026 lt; 100 / cm² c / p \u0026 gt; 75% s4h-51-n-sic-370-l 2 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 370 ± 25um d * l / l \u0026 gt; 75% s4h-51-n-sic-410-ac 2 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 410 ± 25um d * wie geschnitten \u0026 gt; 75% s4h-51-n-sic-c0510-a-d 2 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 5 ~ 10mm d \u0026 lt; 100 / cm² wie geschnitten * s4h-51-n-sic-c1015-a-d 2 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 10 ~ 15 mm d \u0026 lt; 100 / cm² wie geschnitten * ...
Nitrid-Halbleiterwafer freistehendes Galliumnitrid Art.-Nr. Art Orientierung Dicke Klasse Mikrodefekt Dichte Oberfläche nutzbare Fläche \u0026 emsp; n-Typ pam-fs-gan50-n 2 \"n Typ 0 ° ± 0,5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm² p / p oder p / l \u0026 gt; 90% pam-fs-gan45-n Durchmesser 45mm, Typ n 0 ° ± 0,5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm² p / p oder p / l \u0026 gt; 90% pam-fs-gan40-n Durchmesser 40mm, Typ n 0 ° ± 0,5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm² p / p oder p / l \u0026 gt; 90% pam-fs-gan38-n Durchmesser 38 mm, Typ n 0 ° ± 0,5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm² p / p oder p / l \u0026 gt; 90% pam-fs-gan25-n dia.25.4mm, n Art 0 ° ± 0,5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm² p / p oder p / l \u0026 gt; 90% pam-fs-gan15-n 14mm * 15mm, n Art 0 ° ± 0,5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm² p / p oder p / l \u0026 gt; 90% pam-fs-gan10-n 10 mm * 10.5 mm, n Art 0 ° ± 0,5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm² p / p oder p / l \u0026 gt; 90% pam-fs-gan5-n 5 mm * 5,5 mm, n Art 0 ° ± 0,5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm² p / p oder p / l \u0026 gt; 90% \u0026 emsp; halbisolierend pam-fs-gan50-si 2 \"n Typ 0 ° ± 0,5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm² p / p oder p / l \u0026 gt; 90% pam-fs-gan45-si Durchmesser 45mm, Typ n 0 ° ± 0,5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm² p / p oder p / l \u0026 gt; 90% pam-fs-gan40-si Durchmesser 40mm, Typ n 0 ° ± 0,5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm² p / p oder p / l \u0026 gt; 90% pam-fs-gan38-si Durchmesser 38 mm, Typ n 0 ° ± 0,5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm² p / p oder p / l \u0026 gt; 90% pam-fs-gan25-si dia.25.4mm, n Art 0 ° ± 0,5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm² p / p oder p / l \u0026 gt; 90% pam-fs-gan15-si 14mm * 15mm, n Art 0 ° ± 0,5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm² p / p oder p / l \u0026 gt; 90% pam-fs-gan10-si 10 mm * 10.5 mm, n Art 0 ° ± 0,5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm² p / p oder p / l \u0026 gt; 90% pam-fs-gan5-si 5 mm * 5,5 mm, n Art 0 ° ± 0,5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm² p / p oder p / l \u0026 gt; 90% Galliumnitrid-Vorlage, Aln-Vorlage, Ingan-Vorlage, Algan Vorlage Art.-Nr. Art Orientierung Dicke Klasse Luxation Dichte Oberfläche nutzbare Fläche pam-76-gan-t-n gan-Vorlage, n Art 0 ° ± 0,5 ° 20/30 / 40um / \u0026 lt; 1x10 ^ 8 / cm² p / p oder p / l \u0026 gt; 90% pam-50-gan-t-n gan-Vorlage, n Art 0 ° ± 0,5 ° 20/30 / 40um / \u0026 lt; 1x10 ^ 8 / cm² p / p oder p / l \u0026 gt; 90% pam-50-gan-t-p Gan-Vorlage, S. Art 0 ° ± 0,5 ° 2um / / p / p oder p / l \u0026 gt; 91% pam-50-gan-t-si Gan Schablone, halbisolierend 0 ° ± 0,5 ° 30 / 90um / \u0026 lt; 1x10 ^ 8 / cm² p / p oder p / l \u0026 gt; 90% pam-50-aln-t-si aln Schablone, halbisolierend 0 ° ± 0,5 ° 1um / / p / p oder p / l \u0026 gt; 90% Pam-50-Ingan-T-Si Ingan-Vorlage 0 ° ± 0,5 ° 100-200nm / 10 ^ 8 / cm2 p / p oder p / l \u0026 gt; 90% Pam-50-Algan-T-Si Algeman Vorlage 0 ° ± 0,5 ° 1-5um / * p / p oder p / l \u0026 gt; ...
Gallium-Halbleiterwafer GaAs-Wafersubstrat - Galliumarsenidwww.semiconductorwafers.netwww.semiconductorwafers.net Menge Material Orientierung. Durchmesser Dicke Polieren Widerstand Typ Dotierstoff nc Mobilität epd Stck (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; a / cm3 cm2 / vs / cm2 1-100 Gaas ( 100 ) 25.4 4000 ± 50 dsp \u0026 gt; 1e7 undotiert n / a n / a \u0026 lt; 1e5 1-100 Gaas ( 100 ) 50.7 350-370 ssp \u0026 gt; 1e7 undotiert n / a \u0026 gt; 3500 \u0026 lt; 10000 1-100 Gaas (100) 2 ° ± 0,50 in Richtung (011) 50.7 350 ± 10 ssp (0.8-9) e -3 n / s (8) e17 2000-3000 \u0026 lt; 5000 1-100 Gaas (100) 6 ° ± 0,50 in Richtung (011) 50.7 350 ± 20 ssp (0,8-9) × 10 -3 n / s (0,2-4) e18 ≥1000 ≤5000 1-100 Gaas ( 100 ) 50.8 350 ssp n / a p / zn (1-5) e19 n / a \u0026 lt; 5000 1-100 Gaas ( 100 ) 50.8 5000 ± 50 ssp \u0026 gt; 1e8 undotiert n / a n / a n / a 1-100 Gaas ( 100 ) 50.8 4000 ± 50 ssp \u0026 gt; 1e7 undotiert n / a n / a n / a 1-100 Gaas ( 100 ) 50.8 8000 ± 10 wie geschnitten \u0026 gt; 1e7 undotiert n / a n / a n / a 1-100 Gaas ( 100 ) 50.8 8000 ± 10 dsp \u0026 gt; 1e7 undotiert n / a n / a n / a 1-100 Gaas (100) 2 ° 50.8 3000 ssp \u0026 gt; 1e7 n / s n / a n / a n / a 1-100 Gaas ( 100 ) 50.8 350 ± 25 ssp \u0026 gt; 1e7 n / a (1-5) e19 n / a n / a 1-100 Gaas ( 100 ) 50.8 350 ± 25 ssp n / a n / a (0.4-3.5) e18 ≥1400 ≤100 1-100 Gaas (100) 0 ° oder 2 ° 76.2 130 ± 20 dsp n / a undotiert n / a n / a \u0026 lt; 10000 1-100 Gaas (100) 2 ° ± 0,50 76.2 350 ± 25 ssp n / a n / s (0.4-2.5) e18 n / a ≤5000 1-100 Gaas ( 100 ) 76.2 350 ± 25 ssp n / a n / a n / a n / a n / a 1-100 Gaas ( 100 ) 76.2 350 ± 25 ssp \u0026 gt; 1e7 undotiert n / a n / a ≤8e4 oder 1e4 1-100 Gaas ( 100 ) 76.2 625 ± 25 dsp \u0026 gt; 1e7 undotiert n / a ≥4500 ≤8e4 oder 1e4 1-100 Gaas (100) 2 ° ± 0,10 in Richtung (110) 76.2 500 ssp \u0026 gt; 1e7 undotiert n / a n / a n / a 1-100 Gaas (100) 2 ° 100 625 dsp \u0026 gt; 1e7 undotiert n / a n / a n / a 1-100 Gaas (100) 2 ° 100 625 ± 25 dsp n / a n / a n / a n / a n / a 1-100 Gaas (100) 2 ° ± 0,50 in Richtung (011) 100 350 ± 25 ssp n / a n / s (0.4-3.5) e18 n / a ≤5000 1-100 Gaas (100) 2 ° ± 0,10 in Richtung (110) 100 625 ± 25 dsp (1-4) e18 undotiert n / a n / a n / a 1-100 Gaas (100) 2 ° ± 0,50 in Richtung (011) 100 625 ± 25 dsp (1,0-4,0) 1e8 undotiert n / a n / a n / a 1-100 Gaas (100) 2 ° ± 0,50 in Richtung (011) 100 625 ± 25 dsp (1-4) e8 undotiert n / a n / a n / a 1-100 Gaas (100) 2 ° ± 0,50 in Richtung (011) 100 350 ± 25 ssp n / a n / s (0,4-4) e18 n / a ≤5000 1-100 Gaas (100) 15 ° ± 0,50 in Richtung (011) 100 350 ± 25 ssp n / a n / s (0,4-4) e18 n / a ≤5000 1-100 Gaas (100) 2 ° ± 0,50 100 350 ± 25 dsp n / a n / s (0,4-4) e18 n / a ≤5000 1-100 Gaas (100) 2 ° ± 0,50 100 625 ± 25 ssp (1-4) e18 undotiert n / a n / a n / a 1-100 Gaas (100) 2 ° ± 0,50 150 675 ± 25 dsp \u0026 gt; 1e7 undotiert n / a n / a n / a 1-100 Gaas (100) 0 ° ± 3,0 ° 150 675 ± 25 dsp \u0026 gt; 1,0 × 107 undotiert n / a n / a n / a 1-100 Gaas ( 310 ) 50.8 / 76.2 n / a n / a n / a n ...
ge Wafer Lieferant ge wafer Substrat-Germanium Menge Material Orientierung. Durchmesser dick ss Polieren Widerstand Art Dotierstoff pri mich f lat epd ra Stck (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; Orientation n / cm2 \u0026 emsp; 1-100 ge ( 100 ) 50.8 500 ± 25 ssp 0.0138-0.02 p / ga -110 ≤ 5000 n / a 1-100 ge ( 100 ) 50.8 500 ssp ≥ 30 n / undotiert n / a n / a \u0026 lt; 5a 1-100 ge ( 100 ) 50.8 500 ssp 58.4-63.4 n / undotiert n / a n / a n / a 1-100 ge ( 100 ) 50.8 500 ssp 0.1-1 p / ga n / a n / a n / a 1-100 ge ( 100 ) 50.8 500 ssp 0.1-0.05 p / ga n / a n / a n / a 1-100 ge ( 100 ) 50.8 1000 dsp \u0026 gt; 30 n / a -110 n / a n / a 1-100 ge ( 100 ) 50.8 2000 ssp n / a n / a n / a n / a n / a 1-100 ge ( 100 ) 50.8 4000 ssp n / a n / a n / a n / a n / a 1-100 ge (111) / (110) 50.8 200000 n / a 5-20 n / a n / a n / a n / a 1-100 ge ( 100 ) 50.8 400 ssp \u0026 lt; 0,4 n / a n / a n / a n / a 1-100 ge (100) / (111) 50.8 4000 ± 10 dsp n / a n / a n / a n / a n / a 1-100 ge ( 100 ) 50.8 350 ssp 1-10 p / ga -110 ≤ 5000 n / a 1-100 ge ( 100 ) 50.8 500 ± 25 ssp 2-10 p / ga -110 ≤ 5000 n / a 1-100 ge ( 100 ) 50.8 500 ± 25 ssp 0.3-3 Ns b -110 ≤ 5000 n / a 1-100 ge ( 100 ) 50.8 500 ± 25 ssp 0.3-3 p / ga -110 ≤ 5000 n / a 1-100 ge ( 111 ) 60 1000 wie geschnitten \u0026 gt; 30 n / a -110 \u0026 lt; 3000 n / a 1-100 ge ( 100 ) 100 n / a ssp \u0026 lt; 0,019 p / ga -110 \u0026 lt; 500 n / a 1-100 ge ( 100 ) 100 1000 ± 25 ssp ≥ 30 n / undotiert n / a n / a n / a 1-100 ge (100) von 6 ° oder von 9 ° 100 500 ssp 0,01-0,05 p / ga n / a n / a n / a 1-100 ge ( 100 ) 100 500 ssp 0,01-0,05 p / ga n / a n / a n / a 1-100 ge ( 100 ) 100 500 dsp 0,01-0,05 p / ga n / a n / a n / a 1-100 ge ( 100 ) 100 500 ssp \u0026 lt; 0,01 p / ga n / a n / a n / a 1-100 ge ( 100 ) 100 500 dsp \u0026 lt; 0,01 p / ga n / a n / a n / a 1-100 ge ( 100 ) 100 500 ssp ≥ 35 p / ga n / a n / a n / a 1-100 ge ( 100 ) 100 500 dsp ≥ 35 p / ga n / a n / a n / a 1-100 ge ( 100 ) 100 500 ssp 0.1-0.05 p / ga n / a n / a \u0026 lt; 5a 1-100 ge ( 100 ) 100 500 dsp 0.1-0.05 p / ga n / a n / a \u0026 lt; 5a 1-100 ge (100) 6 ° aus (111) 100 185 ± 15 dsp 0,01-0,05 n / a -110 ≤5000 \u0026 lt; 5a 1-100 ge (100) 6 ° aus (110) 100 525 ± 25 ssp 0,01-0,04 n / a n / a n / a n / a 1-100 ge ( 100 ) 100 n / a n / a n / a n / a n / a n / a n / a 1-100 ge ( 100 ) 100 1000 ± 15 ssp ≥ 30 n / a -110 ≤ 5000 n / a 1-100 ge ( 100 ) 100 750 ± 25 ssp ≥ 30 n / a -110 ≤ 5000 n / a 1-100 ge ( 100 ) 100 500 ± 25 ssp 10-30 n / a n / a n / a n / a 1-100 ge (100) / (111) 100 160 dsp 0,05-0,1 p / ga n / a \u0026 lt; 500 n / a 1-100 ge (100) / (111) 100 160 dsp 0,05-0,1 p / ga n / a \u0026 lt; 4000 n / a 1-100 ge (100) / (111) 100 160 dsp 0,05-0,1 Ns b n / a \u0026 lt; 500 n / a 1-100 ge (100) / (111) 100 160 dsp 0,05-0,1 Ns b n / a \u0026 lt; 4000 n / a 1-100 ge (100) / (111) 100 190 dsp 0,05-0,1 p / ga n / a \u0026 lt; 500 n / a 1-100 ge (100) / (111) 100 190 dsp 0,05-0,1 p / ga n / a \u0026 lt; 4000 n / a 1-100 ge ( 111 ) 100 500 ± 25 ssp \u00...
Indium-Halbleiterwafer in Wafer-Substrat-Indium-Arsenid Menge materi al Ori Entbindung. Durchmesser dick s Polieren Widerstand Art Dotierstoff nc Mob iilität epd Stck (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; a / cm3 cm2 / vs / cm2 1-100 inas ( 110 ) 40 500 ssp n /ein p (1-9) e17 n / a n / a 1-100 inas ( 100 ) 50.8 450 ssp n / a p 1e17 / cc n / a \u0026 lt; 20000 1-100 inas ( 100 ) 50.8 400 ssp n / a n / s 5e18-2e19 \u0026 gt; 6.000 \u0026 lt; 1e4 1-100 inas ( 100 ) 50.8 400 dsp n / a n / s 5e18-2e19 \u0026 gt; 6.000 \u0026 lt; 1e4 1-100 inas (111) b 50.8 n / a ssp n / a n / s (1-3) e18 n / a n / a 1-100 inas ( 100 ) 50.8 n / a ssp n / a n / te 1e16 / cc n / a n / a 1-100 inas ( 100 ) 50.8 400 dsp n / a p (1-9) e18 / cc n / a n / a 1-100 inas ( 100 ) 3x3x5 n / a n / a n / a n / a 3e16 / cc n / a n / a als inas wafer lieferant, bieten wir inas wafer liste für ihre referenz, wenn sie preisdetail benötigen, kontaktieren sie bitte unser vertriebsteam Hinweis: *** Als Hersteller akzeptieren wir auch kleine Mengen für Forscher oder Gießereien. *** lieferzeit: es hängt von lager wir haben, wenn wir lager haben, können wir ihnen bald versenden. Inp-Wafersubstrat - Indiumphosphid Menge Materie l Orientierung. Durchm Eter verdicken ess Polieren Widerstand Art Dotierstoff nc Mobi lität epd Stck (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; a / cm3 cm2 / vs / cm2 1-100 inp ( 111 ) 25.4 300 n / a n / a n / a \u0026 lt; 3e16 \u0026 gt; 3500 \u0026 lt; 3e4 1-100 inp ( 100 ) 50.8 400 ± 10 ssp n / a n / (5-50) e15 n / a \u0026 lt; 20000 1-100 inp ( 111 ) 50.8 400 ± 10 ssp n / a p / zn ~ 1e19 n / a \u0026 lt; 20000 1-100 inp ( 100 ) 50.8 400 ssp n / a n / ~ 5e17 n / a n / a 1-100 inp (111) a 50.8 n / a n / a n / a p / zn ~ 5e18 n / a n / a 1-100 inp (111) ± 0,5 ° 50.8 350 ssp \u0026 gt; 1e7 undotiert (1-10) e7 \u0026 gt; 2000 \u0026 lt; 3e4 1-100 inp (100) / (111) 50.8 350-400 ssp n / a n (1-3) e18 n / a n / a 1-100 inp ( 111 ) 50.8 500 ± 25 ssp n / a undotiert n / a n / a n / a 1-100 inp (111) a 50.8 500 ssp \u0026 gt; 1e7 undotiert n / a n / a n / a 1-100 inp (111) a 50.8 500 ± 25 ssp n / a undotiert n / a n / a n / a 1-100 inp (111) b 50.8 500 ± 25 ssp n / a undotiert n / a n / a n / a 1-100 inp ( 110 ) 50.8 400 ± 25 ssp n / a p / zn n / s n / a n / a n / a 1-100 inp ( 110 ) 50.8 400 ± 25 dsp n / a p / zn n / s n / a n / a n / a 1-100 inp (110) ± 0,5 50.8 400 ± 25 ssp n / a n / a n / a n / a n / a 1-100 inp (100) ± 0,5 50.8 350 ± 25 ssp n / a p / zn n / a n / a n / a 1-100 inp n / a 50.8 500 n / a n / a n / a n / a n / a n / a 1-100 inp (111) b 50.8 400 ± 25 n / a \u0026 gt; 1e4 n / te n / a n / a n / a 1-100 inp (211) b 50.8 400 ± 25 n / a \u0026 gt; 1e4 n / te n / a n / a n / a 1-100 inp (311) b 50.8 400 ± 25 n / a \u0026 gt; 1e4 n / te n / a n / a n / a 1-100 inp ( 111 ) 50.8 n / a ssp n / a n (1-9) e18 n / a n / a 1-100 inp n / a 50.8 4000 ± 300 n / a n / a n / a undotiert n / a n / a 1-100 inp ( 100 ) 50.8 500 ± 25 ssp n / a n / s (1-9) e18 n / a n / a 1-100 inp ( 100 ) 50.8 500 ± 25...
czt Halbleiterwafer cdznte Wafer-Substrat-Cadmium-Zink-Tellurid Menge y Material Orientierung. Größe verdicken ess Polieren Widerstand Art Dotierstoff fwhm Stck (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; \u0026 emsp; 1-100 cdznte n / a 10x10 1000 dsp \u0026 gt; 1e10 n @ 59,5kev \u0026 lt; 7% 1-100 cdznte n / a 10x10 2000 dsp \u0026 gt; 1e10 n @ 59,5kev \u0026 lt; 7% 1-100 cdznte -111 10x10 500 ssp n / a p n / a 1-100 cdznte (211) b 10x10 800 dsp n / a n / a n / a 1-100 cdznte n / a 10x10 500 Läppen n / a n / a n / a 1-100 cdznte n / a 10x10 500 dsp n / a n / a n / a 1-100 cdznte n / a 20x20 800 dsp n / a n / a n / a 1-100 cdznte n / a 20x20 5000 dsp n / a n / a n / a 1-100 cdznte n / a 20x20 2000 dsp n / a n / a n / a 1-100 cdznte n / a 20x20 3000 dsp n / a n / a n / a 1-100 cdznte n / a 3x3 2000 dsp n / a n / a n / a als czt halbleiter wafer lieferant, bieten wir czt halbleiter wafer liste für ihre referenz, wenn sie preisdetail, bitte kontaktieren sie unser vertriebsteam Hinweis: *** Als Hersteller akzeptieren wir auch kleine Mengen für Forscher oder Gießereien. *** lieferzeit: es hängt von lager wir haben, wenn wir lager haben, können wir ihnen bald versenden.
andere Wafer mgo Wafer Menge Material Orientierung. Größe Dicke Polieren Widerstand Typ Dotierstoff prime flach epd ra Stck (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; Orientierung / cm2 nm 1-100 Mag ich (100) 50.8 500 ssp n / a n / a n / a n / a \u0026 lt; 0,5 1-100 Mag ich (111) 10x10 500 ssp n / a n / a n / a n / a \u0026 lt; 0,5 1-100 Mag ich (111) 10x10 1000 ssp n / a n / a n / a n / a \u0026 lt; 0,5 1-100 Mag ich (100) 10x10 1000 ssp n / a n / a n / a n / a \u0026 lt; 0,5 1-100 Mag ich (100) 10x10 500 ssp n / a n / a n / a n / a \u0026 lt; 0,5 1-100 Mag ich (100) 10x10 500 dsp n / a n / a n / a n / a \u0026 lt; 0,5 als ein mgo Halbleiter wafer Lieferant, bieten wir mgo Halbleiter Wafer Liste für Ihre Referenz, wenn Sie Preis-Detail benötigen, kontaktieren Sie bitte unser Vertriebsteam Hinweis: *** Als Hersteller akzeptieren wir auch kleine Mengen für Forscher oder Gießereien. *** lieferzeit: es hängt von lager wir haben, wenn wir lager haben, können wir ihnen bald versenden. sto wafer Menge Material Orientierung. Größe Dicke Polieren Widerstand Typ Dotierstoff prime flach epd ra Stck (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; Orientierung / cm2 nm 1-100 sto (100) 10x10 500 ssp n / a n / a n / a n / a \u0026 lt; 0,5 1-100 sto (110) 10x10 500 ssp n / a n / a n / a n / a \u0026 lt; 0,5 1-100 sto (111) 10x10 500 ssp n / a n / a n / a n / a \u0026 lt; 0,5 als sto wafer lieferant, bieten wir sto wafer liste für ihre referenz, wenn sie preisdetail, bitte kontaktieren sie unser vertriebsteam Hinweis: *** Als Hersteller akzeptieren wir auch kleine Mengen für Forscher oder Gießereien. *** lieferzeit: es hängt von lager wir haben, wenn wir lager haben, können wir ihnen bald versenden.
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