Nitrid-Halbleiterwafer
| freistehendes Galliumnitrid | |||||||
| Art.-Nr. | Art | Orientierung | Dicke | Klasse | Mikrodefekt Dichte | Oberfläche | nutzbare Fläche |
| \u0026 emsp; | n-Typ | ||||||
| pam-fs-gan50-n | 2 \"n Typ | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | a / b | 0 / \u0026 lt; 2 / cm² | p / p oder p / l | \u0026 gt; 90% |
| pam-fs-gan45-n | Durchmesser 45mm, Typ n | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | a / b | 0 / \u0026 lt; 2 / cm² | p / p oder p / l | \u0026 gt; 90% |
| pam-fs-gan40-n | Durchmesser 40mm, Typ n | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | a / b | 0 / \u0026 lt; 2 / cm² | p / p oder p / l | \u0026 gt; 90% |
| pam-fs-gan38-n | Durchmesser 38 mm, Typ n | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | a / b | 0 / \u0026 lt; 2 / cm² | p / p oder p / l | \u0026 gt; 90% |
| pam-fs-gan25-n | dia.25.4mm, n Art | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | a / b | 0 / \u0026 lt; 2 / cm² | p / p oder p / l | \u0026 gt; 90% |
| pam-fs-gan15-n | 14mm * 15mm, n Art | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | a / b | 0 / \u0026 lt; 2 / cm² | p / p oder p / l | \u0026 gt; 90% |
| pam-fs-gan10-n | 10 mm * 10.5 mm, n Art | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | a / b | 0 / \u0026 lt; 2 / cm² | p / p oder p / l | \u0026 gt; 90% |
| pam-fs-gan5-n | 5 mm * 5,5 mm, n Art | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | a / b | 0 / \u0026 lt; 2 / cm² | p / p oder p / l | \u0026 gt; 90% |
| \u0026 emsp; | halbisolierend | ||||||
| pam-fs-gan50-si | 2 \"n Typ | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | a / b | 0 / \u0026 lt; 2 / cm² | p / p oder p / l | \u0026 gt; 90% |
| pam-fs-gan45-si | Durchmesser 45mm, Typ n | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | a / b | 0 / \u0026 lt; 2 / cm² | p / p oder p / l | \u0026 gt; 90% |
| pam-fs-gan40-si | Durchmesser 40mm, Typ n | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | a / b | 0 / \u0026 lt; 2 / cm² | p / p oder p / l | \u0026 gt; 90% |
| pam-fs-gan38-si | Durchmesser 38 mm, Typ n | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | a / b | 0 / \u0026 lt; 2 / cm² | p / p oder p / l | \u0026 gt; 90% |
| pam-fs-gan25-si | dia.25.4mm, n Art | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | a / b | 0 / \u0026 lt; 2 / cm² | p / p oder p / l | \u0026 gt; 90% |
| pam-fs-gan15-si | 14mm * 15mm, n Art | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | a / b | 0 / \u0026 lt; 2 / cm² | p / p oder p / l | \u0026 gt; 90% |
| pam-fs-gan10-si | 10 mm * 10.5 mm, n Art | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | a / b | 0 / \u0026 lt; 2 / cm² | p / p oder p / l | \u0026 gt; 90% |
| pam-fs-gan5-si | 5 mm * 5,5 mm, n Art | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | a / b | 0 / \u0026 lt; 2 / cm² | p / p oder p / l | \u0026 gt; 90% |
| Galliumnitrid-Vorlage, Aln-Vorlage, Ingan-Vorlage, Algan Vorlage | |||||||
| Art.-Nr. | Art | Orientierung | Dicke | Klasse | Luxation Dichte | Oberfläche | nutzbare Fläche |
| pam-76-gan-t-n | gan-Vorlage, n Art | 0 ° ± 0,5 ° | 20/30 / 40um | / | \u0026 lt; 1x10 ^ 8 / cm² | p / p oder p / l | \u0026 gt; 90% |
| pam-50-gan-t-n | gan-Vorlage, n Art | 0 ° ± 0,5 ° | 20/30 / 40um | / | \u0026 lt; 1x10 ^ 8 / cm² | p / p oder p / l | \u0026 gt; 90% |
| pam-50-gan-t-p | Gan-Vorlage, S. Art | 0 ° ± 0,5 ° | 2um | / | / | p / p oder p / l | \u0026 gt; 91% |
| pam-50-gan-t-si | Gan Schablone, halbisolierend | 0 ° ± 0,5 ° | 30 / 90um | / | \u0026 lt; 1x10 ^ 8 / cm² | p / p oder p / l | \u0026 gt; 90% |
| pam-50-aln-t-si | aln Schablone, halbisolierend | 0 ° ± 0,5 ° | 1um | / | / | p / p oder p / l | \u0026 gt; 90% |
| Pam-50-Ingan-T-Si | Ingan-Vorlage | 0 ° ± 0,5 ° | 100-200nm | / | 10 ^ 8 / cm2 | p / p oder p / l | \u0026 gt; 90% |
| Pam-50-Algan-T-Si | Algeman Vorlage | 0 ° ± 0,5 ° | 1-5um | / | * | p / p oder p / l | \u0026 gt; 90% |
| Galliumnitrid-Epi-Wafer (LED-Wafer) | |||||||
| Art.-Nr. | Art | Orientierung | Dicke | Klasse | Wellenlänge | Oberfläche | nutzbare Fläche |
| \u0026 emsp; | n-Typ | ||||||
| pam-50-gan-epi- blau-f | / | 0 ° ± 0,5 ° | 436um | / | 445-475nm | p / l | \u0026 gt; 90% |
| Pam-50-Gan-Epi-Blau-Pss | / | 0 ° ± 0,5 ° | 436um | / | 445-475nm | p / l | \u0026 gt; 90% |
| pam-50-gan-epi-grün-f | / | 0 ° ± 0,5 ° | 436um | / | 510-530nm | p / l | \u0026 gt; 90% |
| Pam-50-Gan-Epi-Grün-Pss | / | 0 ° ± 0,5 ° | 436um | / | 510-530nm | p / l | \u0026 gt; 90% |
| Galliumnitrid uv geführt | |||||||
| Art.-Nr. | pkg | Ausgangsleistung | Vorwärtsspannung | Klasse | Wellenlänge | deg. | fwhm |
| Pam-gan-geführt-uv-265 | 03wg / smd / bis39 | / | / | / | 265nm +/- 3nm | / | 10nm |
| Pam-Gan-geführt-uv-280 | 03wg / smd / bis39 | / | 6.8-7.5 | / | 280nm +/- 3nm | 140/60 | 10nm |
| Pam-Gan-geführt-uv-310 | 03wg / smd / bis39 | / | 6.5-7.2 | / | 310nm +/- 3nm | 140/60 | 10nm |
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