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xiamen powerway bietet inp wafer - indiumphosphid an, die durch lec (liquid verkapselte czochralski) oder vgf (vertical gradient freeze) als epi-ready oder mechanische grade mit n typ, p typ oder semiisolierend in unterschiedlicher orientierung (111) oder ( 100).

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xiamen powerway bietet inp wafer - indiumphosphid an, die durch lec (liquid verkapselte czochralski) oder vgf (vertical gradient freeze) als epi-ready oder mechanische grade mit n typ, p typ oder semiisolierend in unterschiedlicher orientierung (111) oder ( 100).


Indiumphosphid (inp) ist ein binärer Halbleiter aus Indium und Phosphor. es hat eine kubisch-flächenzentrierte Kristallstruktur ("Zinkblende"), die mit der von Gaas und den meisten III-v-Halbleitern identisch ist. Indiumphosphid kann aus der Reaktion von weißem Phosphor und Indiumiodid bei 400 hergestellt werden ° c., [5] auch durch direkte Kombination der gereinigten Elemente bei hoher Temperatur und hohem Druck oder durch thermische Zersetzung einer Mischung aus Trialkylindiumverbindung und Phosphid. inp wird in der Hochleistungs- und Hochfrequenzelektronik [Zitat benötigt] aufgrund seiner überlegenen Elektronengeschwindigkeit in Bezug auf die üblicheren Halbleiter Silizium und Galliumarsenid verwendet.


Wafer-Spezifikation
Artikel Spezifikationen
Waferdurchmesser 50,5 ± 0,4 mm
Kristallorientierung (100) ± 0,1 °
Dicke 350 ± 25 um / 500 ± 25 um
primäre flache Länge 16 ± 2 mm
sekundäre flache Länge 8 ± 1 mm
Oberflächenfinish p / e, p / p
Paket epi-ready, Einzelwafer-Behälter oder CF-Kassette


Elektro- und Dotierungsspezifikation
Leitungstyp n-Typ n-Typ n-Typ n-Typ p-Typ p-Typ
Dotierstoff undotiert Eisen Zinn Schwefel Zink wenig Zink
e.d.p. cm -2 5000 5000 50000 1000 1000 5000
Mobilität cm² v -1 s -1 4200 1000 2500-750 2000-1000 keine Angabe keine Angabe
Trägerkonzentration cm -3 10 16 halbisolierend ( 7-40 ) * 10 17 ( 1-10 ) * 10 18 ( 1-6 ) * 10 18 ( 1-6 ) * 10 1

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Gegenstand : Inp-Wafer

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