Wer wir sind

als führender Hersteller von Verbindungshalbleitermaterial in China. pam-xiamen entwickelt fortschrittliche Kristallwachstums- und Epitaxietechnologien, die von Germaniumwafern der ersten Generation, Galliumarsenid der zweiten Generation mit Substratwachstum und Epitaxie auf iii-v-Silizium-dotierten4
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Nach mehr als 20 Jahren der Akkumulation und Entwicklung, hat unser Unternehmen einen offensichtlichen Vorteil in der Technologie Innovation und Talent-Pool. In Zukunft müssen wir das Tempo der tatsächlichen Maßnahmen beschleunigen, um unseren Kunden bessere Produkte und Dienstleistungen zu bieten
Doktor Chan -CEO von Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd.

unsere Produkte

blauer Laser

Gan-Vorlagen

pam-xiamen's Template-Produkte bestehen aus kristallinen Schichten aus Galliumnitrid (gan), Aluminiumnitrid (aln), Aluminiumgalliumnitrid (algan) und Indiumgalliumnitrid (ingan), die auf Saphirsubstraten abgeschieden sind, Die Templatprodukte von Siliciumcarbid oder Siliciumpam-Xiamen ermöglichen 20-50% kürzere Epitaxiezykluszeiten und höherwertige4

Gan auf Silizium

freistehendes gan-Substrat

pam-xiamen hat die Herstellungstechnologie für freistehende (Galliumnitrid) gan Substratwafer, die für uhb-led und ld ist, etabliert. gewachsen durch Hydriddampfphasenepitaxie (Hvpe) -Technologie, hat unser Gansubstrat eine geringe Defektdichte.

Gaas Kristall

GaAs (Galliumarsenid) -Wafer

pwam entwickelt und fertigt Verbundhalbleitersubstrate - Galliumarsenidkristall und -wafer. Wir haben fortschrittliche Kristallzüchtungstechnologie, vertikales Gradientenfrosten (vgf) und Gaas-Wafer-Bearbeitungstechnologie verwendet, eine Produktionslinie vom Kristallwachstum, Schneiden, Schleifen bis zur Polierbearbeitung etabliert und gebaut ein 4

sic Kristall

sic Epitaxie

Für die Entwicklung von Siliziumkarbid-Bauelementen bieten wir kundenspezifische Dünnfilm-Silizium-Epitaxie auf 6h- oder 4h-Substraten an. sic epi wafer wird hauptsächlich für Schottky-Dioden, Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren, Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, bipolare Sperrschichttransistoren, Thyristoren, GTO und Bipolar mit isoli4

sic Kristall

sic Substrat

pam-xiamen bietet Halbleiter Siliziumkarbid Wafer, 6h sic und 4h sic in verschiedenen Qualitäten für den Forscher und Industriehersteller. wir haben sic Kristallwachstumstechnologie und sic Kristallwafer-Verarbeitungstechnologie entwickelt, etablierte eine produktionslinie zu hersteller sic substrat, die in gan epitaxie gerät, power geräte, Hochtem4

gan expitaxy

Gan-basierter LED-Epitaxialwafer

pam-xiamens Gan (Galliumnitrid) -basierter LED-Epitaxialwafer ist für Anwendungen mit ultrahoher Helligkeit für blaue und grüne Leuchtdioden (LED) und Laserdioden (LD) geeignet.

Gan-Haemt-Epitaxie

Gan-HaMt-Epitaxialwafer

Galliumnitrid (Gan) Hemts (Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit) sind die nächste Generation von HF-Leistungstransistor-Technologie. Dank der Gan-Technologie bieten Pam-Xiamen nun Algan / Gan-Hemt-Epi-Wafer auf Saphir oder Silizium und Algan / Gan auf Saphir-Template .

sic Kristall

sic Wafer zurückgewinnen

pam-xiamen ist in der Lage, die folgenden sic reclaim wafer services anzubieten.

Warum Uns Wählen

  • kostenlose und professionelle Technologieunterstützung

    Sie können unseren kostenlosen Technologie - Service von der Anfrage bis zum Service auf unserer Basis erhalten 25+ Erfahrungen in der Halbleiterlinie.

  • guter Verkaufsservice

    unser Ziel ist es, alle Ihre Anforderungen zu erfüllen, egal wie klein Bestellungen sind und wie schwierig die Fragen sind Sie können sein, um für jeden Kunden ein nachhaltiges und profitables Wachstum durch qualifizierte Produkte und zufriedenstellenden Service zu gewährleisten.

  • 25+ Jahre Erfahrung

    mit mehr als 25 + Jahre Erfahrungen Im Bereich der Verbindungshalbleitermaterialien und Exportgeschäfte kann unser Team Ihnen versichern, dass wir Ihre Anforderungen verstehen und professionell mit Ihrem Projekt umgehen können.

  • zuverlässige Qualität

    Qualität ist unsere erste Priorität. Pam-Xiamen wurde iso9001: 2008 , besitzt und teilt vier moderne facories, die eine ziemlich große Auswahl von qualifizierten Produkten zur Verfügung stellen können, um verschiedene Bedürfnisse unserer Kunden zu erfüllen, und jede Bestellung muss durch unser stren4

"Wir haben die Powerway Epi Wafer für einige unserer Arbeiten verwendet. Wir sind sehr beeindruckt von der Qualität des Epi"
James S. Speck, Materialabteilung Universität von Kalifornien
2018-01-25
"liebe pam-xiamen-teams, danke für deinen berufsstand, das problem ist gelöst, wir sind so froh, dein partner zu sein"
Raman k. Chauhan, Seren Photonik
2018-01-25
"danke für die schnelle antwort meiner fragen und konkurrenzfähiger preis, es ist sehr nützlich für uns, wir werden bald wieder bestellen"
markus sieger, universität ulm
2018-01-25
"Die Siliziumkarbid-Wafer sind heute angekommen, und wir sind sehr zufrieden mit ihnen! Daumen hoch zu Ihrer Produktionsmannschaft!"
Dennis, Universität von Exeter
2018-01-25

Die berühmtesten Universitäten und Firmen der Welt vertrauen uns

neuesten Nachrichten

Advantages, challenges and countermeasures of GaN application in RF field

2019-03-25

At present, gallium nitride (GaN) technology is no longer limited to power applications, and its advantages are also infiltrating into all corners of the RF/microwave industry, and the impact on the RF/microwave industry is growing, and should not be underestimated, because it can be used from space, military radar to cellular communications applications. Although GaN is often highly correlated with power amplifiers (PA), it has other use cases. Since its launch, the development of GaN has been remarkable, and with the advent of the 5G era, it may be more interesting. The role of GaN in radar and space Two variants of GaN technology are GaN-on-silicon (GaN-on-Si) and GaN-on-silicon-carbide(GaN-on-SiC). According to Damian McCann, director of engineering at Microsemi's RF/Microwave Discrete Products Division, GaN-on-SiC has contributed a great deal to space and military radar applications. Today, RF engineers are looking for new applications and solutions to take advantage of GaN-on-SiC...

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The generation of crystal defects in Ge-on-insulator (GOI) layers in the Ge-condensation process

2019-03-18

The formation process of crystal defects in a Ge-on-insulator layer(GOI layer)  fabricated by oxidizing a SiGe-on-insulator (SGOI) layer, known as the Ge-condensation technique, is studied systematically. It is found that the crystal defects in the GOI layer are threading dislocations and microtwins that are formed mainly in the Ge fraction range larger than ~0.5. Also, when the Ge fraction reaches ~1 and the GOI layer is formed, the density of microtwins significantly decreases and their width considerably increases. The relaxation of compressive strain, observed in SGOI and GOI layers, is not attributable to the formation of the microtwins, but to the perfect dislocations that cannot be detected as defects in the lattice image. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com

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Infrared spectroscopy characterization of 3C–SiC epitaxial layers on silicon

2019-03-12

We have measured the transmission Fourier transform infrared spectra of cubic silicon carbide (3C–SiC polytype) epitaxial layer with a 20 µm thickness on a 200 µm thick silicon substrate. Spectra were recorded in the 400–4000 cm−1 wavenumber range. A novel approach of IR spectra computations based on the recursion capability of the C programming language is presented on the basis of polarized light propagation in layered media using generalized Fresnel's equations. The complex refractive indices are the only input parameters. A remarkable agreement is found between all of the experimental SiC and Si spectral features and the calculated spectra. A comprehensive assignment of (i) the two fundamental transverse optical (TO) (790 cm−1) and longitudinal optical (LO) (970 cm−1) phonon modes of 3C–SiC, (ii) with their overtones (1522–1627 cm−1) and (iii) the two-phonon optical-acoustical summation bands (1311–1409 cm−1) is achieved on the basis of available literature data. This approach allo...

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Chemical mechanical polishing and nanomechanics of semiconductor CdZnTe single crystals

2019-03-05

(1 1 1), (1 1 0) Cd0.96Zn0.04Te and (1 1 1) Cd0.9Zn0.1Te semiconductor wafers grown by the modified vertical Bridgman method with dimensions of 10 mm × 10 mm × 2.5 mm were lapped with a 2–5 µm polygonal Al2O3 powder solution, and then chemically mechanically polished by an acid solution having nanoparticles with a diameter of around 5 nm, corresponding to the surface roughnesses Ra of 2.135 nm, 1.968 nm and 1.856 nm. The hardness and elastic modulus of (1 1 1), (1 1 0) Cd0.96Zn0.04Te and (1 1 1) Cd0.9Zn0.1Te single crystals are 1.21 GPa, 42.5 GPa; 1.02 GPa, 44.0 GPa; and 1.19 GPa, 43.4 GPa, respectively. After nanocutting is performed by the Berkovich nanoindenter, the surface roughness Ra of the (1 1 1) Cd0.9Zn0.1Te single crystal attains a 0.215 nm ultra-smooth surface. The hardness and elastic modulus of three kinds of CdZnTe single crystals decrease with the increase of indentation load. When the nanoindenter departs the surface of the crystals, the adherence effects are obvious fo...

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Study on AlGaN/GaN growth on carbonized Si substrate

2019-02-26

AlGaN/GaN films were grown on carbonized Si(111) substrates, which were employed to prevent impurities such as residual Ga atoms from reacting and deteriorating the surface of Si substrates. The cleaning process for the flow channel in metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) could effectively be eliminated by using this carbonized Si substrate, and high-quality AlGaN/GaN films were obtained. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at angel.ye@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com

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PAM XIAMEN bietet epitaktisches Wachstum von AlGaN-GaN-basiertem HEMT auf Si-Wafern

2019-02-18

PAM XIAMEN bietet epitaktisches Wachstum von AlGaN / GaN-basiert HEMT auf Si-Wafern Vor kurzem gab PAM XIAMEN, ein führender Anbieter von GaN-Epitaxialwafern, bekannt, dass es erfolgreich "6-Zoll-Silizium-auf-Silizium-Epitaxialwafer (GaN-auf-Si)" entwickelt hat und seine 6-Zoll-Größe in Massenproduktion ist. PAM XIAMEN ist in Halbleitern der dritten Generation effektiv Im um die Entwicklungschancen der zu gestalten und zu erfassen breite Bandlückenverbindung Halbleitermaterialien (d.h. die dritte Generation Halbleitermaterialien) hat PAM XIAMEN in Forschung und Forschung investiert Entwicklung kontinuierlich, zeigen die Daten, dass PAM XIAMEN hauptsächlich beschäftigt ist insbesondere das Design, die Entwicklung und Produktion von Halbleitermaterialien Galliumnitrid (GaN) epitaktische Materialien . Fokussierung auf die Anwendung verwandter Materialien in der Avionik, 5G-Kommunikation, Internet der Dinge und anderer Bereiche, Verbesserung und Bereicherung des Unternehmens indu...

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Erzeugung von differenzfrequenter Strahlung im fernen und mittleren IR-Bereich in einem auf Galliumarsenid basierenden Zwei-Chip-Laser auf Germanium-Substrat

2019-02-11

Die Möglichkeit der effizienten Erzeugung von differenzfrequenter Strahlung im fernen und mittleren IR-Bereich in einem Zwei-Chip-Laser auf Galliumarsenid-Basis Germaniumsubstrat gilt als. Es ist gezeigt, dass ein Laser mit einem Wellenleiter mit einer Breite von 100 & mgr; m, der 1 W im nahen IR-Bereich emittiert, bei der Differenzfrequenz im Bereich von 5–50 THz bei Raumtemperatur ~ 40 & mgr; W erzeugen kann. Quelle: IOPscience Weitere Informationen finden Sie auf unserer Website:www.semiconductorwafers.ne t Senden Sie uns eine E-Mail anangel.ye@powerwaywafer.com oderpowerwaymaterial@gmail.com

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PAM XIAMEN ist mit dem britischen IQE vergleichbar, um die asiatische VCSEL-Lieferkette für epitaktische Kerne aufzubauen

2019-01-28

PAM XIAMEN ist vergleichbar mit dem in Großbritannien zu errichtenden IQE Asiatische VCSEL-Lieferkette für epitaktische Kerne Xiamen Powerway konzentriert sich auf High-End-Epitaxie-Verbindungshalbleiter für R & amp; D und Herstellung. Im 2018 wurden die 4-Zoll- und 6-Zoll-VCSEL in Massenproduktion hergestellt und drangen in den Markt ein Mainstream-Chip-Hersteller in Taiwan. Verwendung von MBE auf dem neuesten Stand der Technik (Molecular Epitaxial Beam Epitaxy) - Massenproduktionstechnologie zur Erzielung der höchste Qualität der branchenweit größten VCSEL-Epitaxieprodukte. Wie Immer mehr Hersteller von Smartphones und IT-Geräten folgen den Spuren von Apple, VCEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser) -basierte 3D-Sensorsysteme werden sein in ihre neue Elektronik integriert. gemäß Bei Memes Consulting erfolgt der Versand von VCSEL-Chips für Smartphones im nächsten Jahr 2018 voraussichtlich auf 240 Millionen verdoppelt. In den nächsten fünf Jahren wird der globale VCSEL-Markt we...

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Semikohärentes Wachstum von Bi2Te3-Schichten auf InP-Substraten durch Heißwand-Epitaxie

2019-01-21

Wir suchen nach optimalen Wachstumsbedingungen, um flach zu sein BiTe-Schichten auf InP (111) B durch Hot-Wall-Epitaxie. Das Substrat stellt eine relativ kleine Gitterfehlanpassung bereit, und so wachsen (0001) -orientierte Schichten halbkohärent. Das Temperaturfenster für das Wachstum ist aufgrund der Nicht-Null-Gitter-Nichtübereinstimmung und der schnellen Rückverdampfung von BiTe als eng befunden. Die mittels Röntgenbeugung bewerteten kristallinen Qualitäten zeigen Verschlechterungen auf, wenn die Substrattemperatur nicht nur von niedrigen Temperaturen, sondern auch von hohen Temperaturen abweicht. Bei hohen Substrattemperaturen nimmt die Bi-Zusammensetzung zu, da Te durch Sublimation teilweise verloren geht. Wir zeigen außerdem, dass die Einwirkung des BiTe-Flusses bei noch höheren Temperaturen zu einem anisotropen Ätzen der Substrate führt, vermutlich aufgrund der Bi-Substitution der In-Atome durch die In-Atome. Durch das Aufwachsen von BiTe-Schichten auf InP (001) zeigen wir, das...

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Diamantdrehen eines kleinen Fresnel-Linsenarrays in Einkristall-InSb

2019-01-14

Eine kleine Fresnel-Linsenanordnung wurde in eine Diamantform gedreht Einkristall-InSb-Wafer Verwenden eines negativen Einschnitt-Diamantwerkzeugs mit einem halben Radius (–25 °). Das bearbeitete Array bestand aus drei konkaven Fresnel-Linsen, die unter verschiedenen Bearbeitungssequenzen geschnitten wurden. Die Fresnel-Linsenprofile wurden entworfen, um im paraxialen Bereich mit einer quadratischen Phasenverteilung zu arbeiten. Die Probe wurde durch Rasterelektronenmikroskopie und ein optisches Profilometer untersucht. Optische Profilometrie wurde auch verwendet, um die Oberflächenrauheit der bearbeiteten Oberfläche zu messen. Duktile bandartige Chips wurden auf der Spanfläche des Schneidwerkzeugs beobachtet. An dem Diamantwerkzeug wurden keine Anzeichen von Schneidkantenverschleiß beobachtet. Die bearbeitete Oberfläche zeigte eine amorphe Phase, die durch Mikro-Raman-Spektroskopie untersucht wurde. Eine erfolgreiche Wärmebehandlung des Temperns wurde durchgeführt, um die kristalline ...

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