Wer wir sind

als führender Hersteller von Verbindungshalbleitermaterial in China. pam-xiamen entwickelt fortschrittliche Kristallwachstums- und Epitaxietechnologien, die von Germaniumwafern der ersten Generation, Galliumarsenid der zweiten Generation mit Substratwachstum und Epitaxie auf iii-v-Silizium-dotierten4
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Nach mehr als 20 Jahren der Akkumulation und Entwicklung, hat unser Unternehmen einen offensichtlichen Vorteil in der Technologie Innovation und Talent-Pool. In Zukunft müssen wir das Tempo der tatsächlichen Maßnahmen beschleunigen, um unseren Kunden bessere Produkte und Dienstleistungen zu bieten
Doktor Chan -CEO von Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd.

unsere Produkte

blauer Laser

Gan-Vorlagen

pam-xiamen's Template-Produkte bestehen aus kristallinen Schichten aus Galliumnitrid (gan), Aluminiumnitrid (aln), Aluminiumgalliumnitrid (algan) und Indiumgalliumnitrid (ingan), die auf Saphirsubstraten abgeschieden sind, Die Templatprodukte von Siliciumcarbid oder Siliciumpam-Xiamen ermöglichen 20-50% kürzere Epitaxiezykluszeiten und höherwertige4

Gan auf Silizium

freistehendes gan-Substrat

pam-xiamen hat die Herstellungstechnologie für freistehende (Galliumnitrid) gan Substratwafer, die für uhb-led und ld ist, etabliert. gewachsen durch Hydriddampfphasenepitaxie (Hvpe) -Technologie, hat unser Gansubstrat eine geringe Defektdichte.

Gaas Kristall

GaAs (Galliumarsenid) -Wafer

pwam entwickelt und fertigt Verbundhalbleitersubstrate - Galliumarsenidkristall und -wafer. Wir haben fortschrittliche Kristallzüchtungstechnologie, vertikales Gradientenfrosten (vgf) und Gaas-Wafer-Bearbeitungstechnologie verwendet, eine Produktionslinie vom Kristallwachstum, Schneiden, Schleifen bis zur Polierbearbeitung etabliert und gebaut ein 4

sic Kristall

sic Epitaxie

Für die Entwicklung von Siliziumkarbid-Bauelementen bieten wir kundenspezifische Dünnfilm-Silizium-Epitaxie auf 6h- oder 4h-Substraten an. sic epi wafer wird hauptsächlich für Schottky-Dioden, Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren, Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, bipolare Sperrschichttransistoren, Thyristoren, GTO und Bipolar mit isoli4

sic Kristall

sic Substrat

pam-xiamen bietet Halbleiter Siliziumkarbid Wafer, 6h sic und 4h sic in verschiedenen Qualitäten für den Forscher und Industriehersteller. wir haben sic Kristallwachstumstechnologie und sic Kristallwafer-Verarbeitungstechnologie entwickelt, etablierte eine produktionslinie zu hersteller sic substrat, die in gan epitaxie gerät, power geräte, Hochtem4

gan expitaxy

Gan-basierter LED-Epitaxialwafer

pam-xiamens Gan (Galliumnitrid) -basierter LED-Epitaxialwafer ist für Anwendungen mit ultrahoher Helligkeit für blaue und grüne Leuchtdioden (LED) und Laserdioden (LD) geeignet.

Gan-Haemt-Epitaxie

Gan-HaMt-Epitaxialwafer

Galliumnitrid (Gan) Hemts (Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit) sind die nächste Generation von HF-Leistungstransistor-Technologie. Dank der Gan-Technologie bieten Pam-Xiamen nun Algan / Gan-Hemt-Epi-Wafer auf Saphir oder Silizium und Algan / Gan auf Saphir-Template .

sic Kristall

sic Wafer zurückgewinnen

pam-xiamen ist in der Lage, die folgenden sic reclaim wafer services anzubieten.

Warum Uns Wählen

  • kostenlose und professionelle Technologieunterstützung

    Sie können unseren kostenlosen Technologie - Service von der Anfrage bis zum Service auf unserer Basis erhalten 25+ Erfahrungen in der Halbleiterlinie.

  • guter Verkaufsservice

    unser Ziel ist es, alle Ihre Anforderungen zu erfüllen, egal wie klein Bestellungen sind und wie schwierig die Fragen sind Sie können sein, um für jeden Kunden ein nachhaltiges und profitables Wachstum durch qualifizierte Produkte und zufriedenstellenden Service zu gewährleisten.

  • 25+ Jahre Erfahrung

    mit mehr als 25 + Jahre Erfahrungen Im Bereich der Verbindungshalbleitermaterialien und Exportgeschäfte kann unser Team Ihnen versichern, dass wir Ihre Anforderungen verstehen und professionell mit Ihrem Projekt umgehen können.

  • zuverlässige Qualität

    Qualität ist unsere erste Priorität. Pam-Xiamen wurde iso9001: 2008 , besitzt und teilt vier moderne facories, die eine ziemlich große Auswahl von qualifizierten Produkten zur Verfügung stellen können, um verschiedene Bedürfnisse unserer Kunden zu erfüllen, und jede Bestellung muss durch unser stren4

"Wir haben die Powerway Epi Wafer für einige unserer Arbeiten verwendet. Wir sind sehr beeindruckt von der Qualität des Epi"
James S. Speck, Materialabteilung Universität von Kalifornien
2018-01-25
"liebe pam-xiamen-teams, danke für deinen berufsstand, das problem ist gelöst, wir sind so froh, dein partner zu sein"
Raman k. Chauhan, Seren Photonik
2018-01-25
"danke für die schnelle antwort meiner fragen und konkurrenzfähiger preis, es ist sehr nützlich für uns, wir werden bald wieder bestellen"
markus sieger, universität ulm
2018-01-25
"Die Siliziumkarbid-Wafer sind heute angekommen, und wir sind sehr zufrieden mit ihnen! Daumen hoch zu Ihrer Produktionsmannschaft!"
Dennis, Universität von Exeter
2018-01-25

Die berühmtesten Universitäten und Firmen der Welt vertrauen uns

neuesten Nachrichten

Characterization of 4H-SiC Homoepitaxial Films on Porous 4H-SiC from Bis(trimethylsilyl)methane Precursor

2020-01-13

4H-SiC homoepitaxial films were grown on 8° off-axis porous 4H-SiC (0001) faces in the temperature range of  by chemical vapor deposition from bis(trimethylsilyl)methane (BTMSM) precursor. The activation energy for growth was 5.6 kcal/mol, indicating that the film growth is dominated by the diffusion-limited mechanism. Triangular stacking faults were incorporated in the SiC thin film grown at low temperature of 1280°C due to the formation of 3C-SiC polytype. Moreover, super-screw dislocations appeared seriously in the SiC film grown below 1320°C. Clean and featureless morphology was observed in the SiC film grown below 25 standard cubic centimeters per minute (sccm)  carrier gas flow rate of BTMSM at 1380°C while 3C-SiC polytype with double positioning boundaries grew at 30 sccm flow rate of BTMSM. The dislocation density of the epi layer was strongly influenced by the growth temperature and flow rate of BTMSM. Double axis crystal X-ray diffraction and optical micro...

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Density Functional Theory Study of the Stress Impact on Formation Enthalpy of Intrinsic Point Defect around Dopant Atom in Ge Crystal

2020-01-07

During the last decade, the use of single crystal germanium (Ge) layers and structures in combination with silicon (Si) substrates has led to a revival of defect research on Ge. In Si crystals, dopants and stresses affect the intrinsic point defect (vacancy V and self-interstitial I) parameters and thus change the thermal equilibrium concentrations of V and I Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com

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Current-injected light emission of epitaxially grown InAs/InP quantum dots on directly bonded InP/Si substrate

2019-12-30

Current-injected light emission was confirmed for metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) grown (Ga)InAs/InP quantum dots (QDs) on directly bonded InP/Si substrate. The InP/Si substrate was prepared by directly bonding of InP thin film and a Si substrate using a wet-etching and annealing process. A p–i–n LED structure including Stranski–Krastanov (Ga)InAs/InP QDs was grown by MOVPE on an InP/Si substrate. No debonding between Si substrate and InP layer was observed, even after MOVPE growth and operation of the device under continuous wave conditions at RT. The photoluminescence, current/voltage, and electroluminescence characteristics of the device grown on the InP/Si substrate were compared with reference grown on an InP substrate. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com

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Gas Source MBE Growth of GaSb

2019-12-24

3333 Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com

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Effects of Drying Methods and Wettability of Silicon on the Formation of Water Marks in Semiconductor Processing

2019-12-16

Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com

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A Facile Method for Heteroepitaxial Growth of Homogeneous 3C-SiC Thin Films on Both Surfaces of Suspended Si Wafer by Conventional Chemical Vapor Deposition

2019-12-09

Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com

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Growth and relaxation processes in Ge nanocrystals on free-standing Si(001) nanopillars

2019-12-02

Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com

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Shock-recovery studies on InSb single crystals up to 24 GPa

2019-11-25

A series of shock-recovery experiments on InSb single crystals along the (100) or (111) axes up to 24 GPa were performed using flyer plate impact. The structures of recovered samples were characterized by X-ray diffraction (XRD) analysis. According to calculated peak pressures and temperatures, and phase diagram for InSb, the sample could undergo phase transitions from zinc-blende structure to high-pressure phases. However, the XRD trace of each sample corresponded to powder pattern of InSb with zinc-blende structure. The XRD trace of each sample revealed the absence of additional constituents including metastable phases and high-pressure phases of InSb except for samples shocked around 16 GPa. At 16 GPa, in addition to zinc-blende structure, additional peaks were obtained. One of these peaks may correspond to the Cmcm or Immm phase of InSb, and the other peaks were not identified. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send ...

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Integration of GaAs, GaN, and Si-CMOS on a common 200 mm Si substrate through multilayer transfer process

2019-11-18

The integration of III–V semiconductors (e.g., GaAs and GaN) and silicon-on-insulator (SOI)-CMOS on a 200 mm Si substrate is demonstrated. The SOI-CMOS donor wafer is temporarily bonded on a Si handle wafer and thinned down. A second GaAs/Ge/Si substrate is then bonded to the SOI-CMOS-containing handle wafer. After that, the Si from the GaAs/Ge/Si substrate is removed. The GaN/Si substrate is then bonded to the SOI–GaAs/Ge-containing handle wafer. Finally, the handle wafer is released to realize the SOI–GaAs/Ge/GaN/Si hybrid structure on a Si substrate. By this method, the functionalities of the materials used can be combined on a single Si platform. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com

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Highly doped p-type 3C–SiC on 6H–SiC substrates

2019-11-11

Highly doped p-3C–SiC layers of good crystal perfection have been grown by sublimation epitaxy in vacuum. Analysis of the photoluminescence spectra and temperature dependence of the carrier concentration shows that at least two types of acceptor centers at ~EV + 0.25 eV and at EV + 0.06–0.07 eV exist in the samples studied. A conclusion is reached that layers of this kind can be used as p-emitters in 3C–SiC devices. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com

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