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1Xiamen Powerway bietet Gap-Wafer - Galliumphosphid, die durch Lec (Flüssigkeit eingekapselt Czochralski) als Epi-Ready oder mechanische Klasse mit n-Typ, p-Typ oder halbisolierend in unterschiedlicher Orientierung (111) oder (100) gezüchtet werden.
Galliumphosphid (Spalt), ein Galliumphosphid, ist ein Verbindungshalbleitermaterial mit einer indirekten Bandlücke von 2,26 eV (300k). das polykristalline Material hat das Aussehen von blass orangefarbenen Stücken. undotierte Einkristallwafer erscheinen klar orange, aber stark dotierte Wafer erscheinen aufgrund der freien Trägerabsorption dunkler. es ist geruchlos und in Wasser unlöslich. Schwefel oder Tellur werden als Dotiermittel verwendet, um Halbleiter vom n-Typ herzustellen. Zink wird als Dotierstoff für den p-Typ-Halbleiter verwendet. Galliumphosphid findet in optischen Systemen Anwendung. sein Brechungsindex liegt zwischen 4,30 bei 262 nm (UV), 3,45 bei 550 nm (grün) und 3,19 bei 840 nm (ir).
| Spezifikationen von Lücke Wafer und Substrat | |
| Leitungstyp | n-Typ |
| Dotierstoff | s dotiert |
| Waferdurchmesser | 5 0,8 +/- 0,5 mm |
| Kristallorientierung | (111) +/- 0,5 ° |
| flache Ausrichtung | 111 |
| flache Länge | 17,5 +/- 2 mm |
| Trägerkonzentration | (2-7) × 10 ^ 7 / cm 3 |
| Widerstand bei RT | 0,05-0,4 Ohm.cm |
| Mobilität | u003e 100 cm² / v. S |
| Ätzgrübchendichte | u003c 3 * 10 ^ 5 / cm² |
| Laserbeschriftung | auf Anfrage |
| Oberflächlich | p / e |
| Dicke | 250 +/- 20um |
| Epi bereit | Ja |
| Paket | Einzelwafer-Behälter oder Kassette |
Xiamen Powerway bietet insb Wafer - Indium Antimonid, die durch Lec (Flüssigkeit eingekapselt Czochralski) als Epi-Ready oder mechanische Klasse mit n-Typ, p-Typ oder semi-isolierende in unterschiedlicher Orientierung (111) oder (100) angebaut werden.
xiamen powerway bietet inp wafer - indiumphosphid an, die durch lec (liquid verkapselte czochralski) oder vgf (vertical gradient freeze) als epi-ready oder mechanische grade mit n typ, p typ oder semiisolierend in unterschiedlicher orientierung (111) oder ( 100).
Xiamen Powerway bietet inas Wafer - Indiumarsenid an, die durch Lec (Liquid Encapsulated Czochralski) als Epi-Ready oder Mechanical Grade mit n-Typ, p-Typ oder halbisolierend in unterschiedlicher Orientierung (111) oder (100) gezüchtet werden.
Xiamen Powerway bietet Gas Wafer - Gallium Antimonid, die durch Lec (Flüssigkeit eingekapselt Czochralski) als Epi-Ready oder mechanische Klasse mit n-Typ, p-Typ oder semi-isolierende in unterschiedlicher Orientierung (111) gewachsen oder (100)
Galliumnitrid (Gan) Hemts (Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit) sind die nächste Generation von HF-Leistungstransistor-Technologie. Dank der Gan-Technologie bieten Pam-Xiamen nun Algan / Gan-Hemt-Epi-Wafer auf Saphir oder Silizium und Algan / Gan auf Saphir-Template .
fz-Silizium das monokristalline Silizium mit den Eigenschaften eines niedrigen Fremdstoffgehalts, einer geringen Defektdichte und einer perfekten Kristallstruktur wird mit dem Float-Zone-Verfahren hergestellt; während des Kristallwachstums wird kein Fremdmaterial eingeführt. die fz-Silizium-Leitfähigkeit liegt üblicherweise über 1000 Ω-cm, und das 4
Cadmium-Zink-Tellurid (cdznte oder czt) ist ein neuer Halbleiter, der es ermöglicht, Strahlung effektiv in Elektronen umzuwandeln, hauptsächlich in Infrarot-Dünnschicht-Epitaxiesubstraten, Röntgendetektoren und Gammastrahlendetektoren, laseroptische Leistungs-Solarzellen und andere High-Tech-Bereiche.
cz-Silizium das schwer / leicht dotierte cz monokristalline silizium eignet sich zur herstellung verschiedener integrierter schaltkreise (ic), dioden, trioden, grün-energie solarpanels. die speziellen Elemente (wie ga, ge) können hinzugefügt werden, um die hocheffizienten, strahlungsresistenten und anti-degenerierenden Solarzellenmaterialien für sp4
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