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Xiamen Powerway bietet insb Wafer - Indium Antimonid, die durch Lec (Flüssigkeit eingekapselt Czochralski) als Epi-Ready oder mechanische Klasse mit n-Typ, p-Typ oder semi-isolierende in unterschiedlicher Orientierung (111) oder (100) angebaut werden.

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Xiamen Powerway bietet insb Wafer - Indium Antimonid, die durch Lec (Flüssigkeit eingekapselt Czochralski) als Epi-Ready oder mechanische Klasse mit n-Typ, p-Typ oder semi-isolierende in unterschiedlicher Orientierung (111) oder (100) angebaut werden.


Indiumantimonid (insb) ist eine kristalline Verbindung aus den Elementen Indium (in) und Antimon (sb). Es handelt sich um ein Halbleitermaterial mit schmaler Lücke aus der iii-v-Gruppe, das in Infrarotdetektoren verwendet wird, einschließlich Wärmebildkameras, Flu-Systeme, Infrarothoming-Raketenleitsysteme und Infrarot-Astronomie. Die Indiumantimoniddetektoren sind empfindlich zwischen Wellenlängen von 1 bis 5 um. Indiumantimonid war ein sehr gebräuchlicher Detektor in den alten, mechanisch abgetasteten thermischen Erfassungssystemen mit Einzeldetektor. Eine andere Anwendung ist eine Terahertz-Strahlungsquelle, da es sich um einen starken Photodembritter handelt.


Wafer-Spezifikation
Artikel Spezifikationen
Waferdurchmesser 2 "50,5 ± 0,5 mm
3 "76,2 ± 0,4 mm
4 "1000,0 ± 0,5 mm
Kristallorientierung 2 "(111) aorb ± 0,1 °
3 "(111) aorb ± 0,1 °
4 "(111) aorb ± 0,1 °
Dicke 2 "625 ± 25um
3 "800or900 ± 25um
4 "1000 ± 25um
primäre flache Länge 2 "16 ± 2 mm
3 "22 ± 2 mm
4 "32,5 ± 2,5 mm
sekundäre flache Länge 2 "8 ± 1 mm
3 "11 ± 1 mm
4 "18 ± 1 mm
Oberflächenfinish p / e, p / p
Paket epi-ready, Einzelwafer-Behälter oder CF-Kassette


Elektro- und Dotierungsspezifikation
Leitungstyp n-Typ n-Typ n-Typ n-Typ p-Typ
Dotierstoff undotiert Tellur niedriges Tellur hohes Tellur Genmanium
e.d.p. cm -2 2 "3" 4 " 50 2 " 100
Mobilität cm² v -1 s -1 4 * 105 2,5 * 10 4 2.5 * 105 keine Angabe 8000-4000
Trägerkonzentration cm -3 5 * 10 13 -3 * 10 14 ( 1-7 ) * 10 17 4 * 10 14 -2 * 10 15 1 * 10 18 5 * 10 14 -3 * 10 15

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Gegenstand : insb-Wafer

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