andere Wafer lsat wafer Menge Material Orientierung. Größe Dicke Polieren Widerstand Typ Dotierstoff prime flach epd ra Stck (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; Orientierung / cm2 nm 1-100 Isat (100) 50.8 500 ssp n / a n / a n / a n / a \u0026 lt; 0,5 1-100 Isat (100) 10x10 500 ssp n / a n / a n / a n / a \u0026 lt; 0,5 1-100 Isat (110) 10x10 500 ssp n / a n / a n / a n / a \u0026 lt; 0,5 1-100 Isat (111) 10x10 500 ssp n / a n / a n / a n / a \u0026 lt; 0,5 1-100 Isat (100) 10x10 2000 ssp n / a n / a n / a n / a \u0026 lt; 0,5 als lsat wafer lieferant, bieten wir lsat wafer liste für ihre referenz, wenn sie preisdetail, kontaktieren sie bitte unsere vertriebsteam Hinweis: *** Als Hersteller akzeptieren wir auch kleine Mengen für Forscher oder Gießereien. *** lieferzeit: es hängt von lager wir haben, wenn wir lager haben, können wir ihnen bald versenden. tio2 Wafer Menge Material Orientierung. Größe Dicke Polieren Widerstand Typ Dotierstoff prime flach epd ra Stck (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; Orientierung / cm2 nm 1-100 tio2 (110) 5x5 500 ssp n / a n / a n / a n / a \u0026 lt; 0,5 1-100 tio2 (011) 5x5 500 ssp n / a n / a n / a n / a \u0026 lt; 0,5 1-100 tio2 (001) 10x10 500 ssp n / a n / a n / a n / a \u0026 lt; 0,5 1-100 tio2 (110) 10x10 500 ssp n / a n / a n / a n / a \u0026 lt; 0,5 1-100 tio2 (011) 10x10 500 ssp n / a n / a n / a n / a \u0026 lt; 0,5 als tio2 wafer lieferant, bieten wir tio2 wafer liste für ihre referenz, wenn sie preisdetail benötigen, kontaktieren sie bitte unsere vertriebsteam Hinweis: *** Als Hersteller akzeptieren wir auch kleine Mengen für Forscher oder Gießereien. *** lieferzeit: es hängt von lager wir haben, wenn wir lager haben, können wir ihnen bald versenden. Lao Wafer Menge Material Orientierung. Größe Dicke Polieren Widerstand Typ Dotierstoff prime flach epd ra Stck (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; Orientierung / cm2 nm 1-100 Lao (100) 50.8 500 ± 50 dsp n / a n / a n / a n / a \u0026 lt; 0,5 als lao wafer lieferant, bieten wir lao wafer liste für ihre referenz, wenn sie preisdetail, kontaktieren sie bitte unsere vertriebsteam Hinweis: *** Als Hersteller akzeptieren wir auch kleine Mengen für Forscher oder Gießereien. *** lieferzeit: es hängt von lager wir haben, wenn wir lager haben, können wir ihnen bald versenden. al2o3-Wafer Menge Material Orientierung. Größe Dicke Polieren Widerstand Typ Dotierstoff prime flach epd ra Stck (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; Orientierung / cm2 nm 1-100 al2o3 (0001) 10x10 500 dsp n / a n / a n / a n / a \u0026 lt; 0,5 1-100 al2o3 (0001) 10x10 500 ssp n / a n / a n / a n / a \u0026 lt; 0,5 1-100 al2o3 (0001) 20x20 500 ssp n / a n / a n / a n / a \u0026 lt; 0,5 1-100 al2o3 (0001) 30x30 500 ssp n / a n / a n / a n / a \u0026 lt; 0,5 als al2o3 wafer lieferant, bieten wir al2o3 wafer liste für ihre referenz, wenn sie preisdetail, bitte kontaktieren sie unser vertriebsteam Hinweis: *** Als Hersteller akzeptieren wir auch kleine Mengen für Forscher oder Gießereien. *** lieferzeit: es hängt von lager...
Graphen-CVD-System Wir bieten eine Reihe von Graphem 2D-Systemen für Graphem, CTT und andere 2D-Material Wachstum. und bieten das effizienteste CVD-System (chemical vapor deposition) für Graphenwachstum (ist kompatibel für LPC- und APCCD-Wachstum). Wir können auch anpassen, dass jedes dieser Standardsysteme an die spezifischen Anwendungsanforderungen des Benutzers angepasst werden kann. Systemkonfigurationen: 1) Reaktionskammer Standardarbeitstemperatur: ~ 1000 maximale Arbeitstemperatur: ~ 1200 ° c. Nennleistung: 2,5 kw. dichtungsmodus: edelstahl die kf schnellflansch extrusion dichtung, Kühlmodus: externe Wasserkühlung. 2) Gas und Regler Reinheit: 99,999%; Durchflussbereich: 0-1000 sccm; h2 Reinheit: 99,999%; Durchflussbereich: 0-200 sccm; ch4 Reinheit 99,999%; Durchflussbereich: 0-10 sccm; 13ch4 * Reinheit 99%; Durchflussbereich: 0-10 sccm. (*wahlweise) 3) Vakuumsystem mechanische Pumpe: Pumpgeschwindigkeit: 400 l / min; Basisdruck: 1 × 10-3 Torr. Flüssigstickstofffalle * (* optional) Überdruckschutz Vakuummessgerät: Manuelles Steuern des Kammerdrucks. (* automatische Steuerung ist optional) 4) Steuermodule Unsere Graphen-CVD-Steuerungssoftware für Echtzeit-Prozesssteuerung, Datenprotokollierung und -anzeige, Rezeptgenerierung und -bearbeitung. Temperatur, Flussrate und Vakuumdruck können leicht vom Computer kontrolliert oder bearbeitet werden. (manuelle Kontrolle ist noch verfügbar). Vorprogrammierte Rezepte für Graphenwachstum werden für Benutzer bereitgestellt. unser Ziel: Die Kommerzialisierung und Massenproduktion neuer 2D-Materialien wie Graphen wird schnell zur Realität, und Universitäten und Forscher auf der ganzen Welt haben nur begrenzte Budgets, benötigen aber eine hohe Leistung ihrer Geräte oder Systeme. Daher ist unser Ziel, ein ausgezeichnetes Graphem-CVD-System zu liefern Graphem-Wachstum im niedrigsten Preis, um ihr Preisziel zu treffen. die Funktionen: 1) Vollautomatisches System mit vorprogrammierten Rezepturen für Graphenwachstum. 2) Grundlinienprozesse & Optimierungshilfe 3) Standardisierungs- oder Anpassungssysteme für jedes Budget 4) Hochleistungs-Einkristall-Graphenwachstum in der Einkristallgröße bis zu einigen Millimetern 5) einzigartige Isotopenmarkierung-Wachstumstechnik für die Dynamik-Studie 6) Wir bieten professionelle Installations- und Schulungsservices an, um den Übergang unserer Produkte in Ihre Arbeitsumgebung zu erleichtern - einschließlich technischer Anwendungen und Wissenstransfer. Der Installationsprozess beginnt mit einer detaillierten Überprüfung des Arbeitsumfangs, um Ihre Installations- und Schulungsanforderungen, die Standortumgebung, die geografische Lage, die Projektzeitlinie und die Berichtsanforderungen zu definieren. Basierend auf den spezifischen Anforderungen Ihres Systems, werden wir die richtigen Spezialisten und Installationstechniker für die erfolgreiche Ausführung der Aufgabe zuweisen. Wir bieten ein personalisiertes Training des Graphen-cvd-Systems an, das den Wissenstransfer (insbesond...
Graphen-Wafer / Filme Graphen-Wafer / Filme Artikelnummer Beschreibung mg / Haustier-10-10 Monoschicht-Graphen auf PET-Folie (10 mm x 10 mm) mg / Tier-20-20 Monoschicht-Graphen auf PET-Folie (20 mm x 20 mm) mg / Tier-50-50 Monoschicht-Graphen auf PET-Folie (50 mm x 50 mm) mg / Haustier-100-100 Monoschicht-Graphen auf PET-Folie (100 mm x 100 mm) mg / Haustier-300-200 Monolayer Graphen auf Haustierfilm (30 0 mm × 200 mm) mg / pet-500-200 Monoschicht-Graphen auf PET-Folie (500 mm x 200 mm) mg / sio2 / si-10-10 Monolayer Graphen auf SiO2 / Silizium (10mm x 10mm) mg / sio2 / si-25-25 Monolayer Graphen auf SiO2 / Silizium (1 Zoll x 1 Zoll) mg / sio2 / si-100 Monolayer Graphen auf SiO2 / Silizium (100mm Wafer) bg / sio2 / si-10-10 Bilayer Graphen auf SiO2 / Silizium (10 mm x 10 mm) tg / sio2 / si-10-10 Dreischicht-Graphen auf SiO2 / Silizium (10 mm x 10 mm) mg / cu-10-10 Monolage Graphen auf Kupfer (10 mm x 10 mm) mg / cu-20-20 Monoschicht Graphen auf Kupfer (20 mm x 20 mm) mg / cu-25-25 Monoschicht Graphen auf Kupfer (1 Zoll x 1 Zoll) mg / cu-50-50 Monoschicht Graphen auf Cu (50 mm x 50 mm) mg / cu-100-50 Monoschicht Graphen auf Cu (100 mm x 50 mm) mg / cu-100 Monoschicht Graphen auf Cu (100mm Wafer) mg / ni-10-10 Graphenwachstum auf Nickel (10mm x 10mm) mg / ni-20-20 Graphenwachstum auf Nickel (20mm x 20mm) mg / ni-30-20 Graphenwachstum auf Nickel (30mm x 20mm) mg / ni-50-20 Graphenwachstum auf Nickel (50mm x 20mm) Quelle: pam-Xiamen Für weitere Informationen besuchen Sie bitte unsere Website: www.powerwaywafer.com, Senden Sie uns eine E-Mail an sales@powerwaywafer.com oder powerwaymaterial@gmail.com
Siliziumwafer Si-Wafer-Substrat-Silizium Menge Material Orienta tion. Durchmesser er dick ss Polieren widerstehen vity ty pe Dotiermittel nc Mobi lität epd Stck (mm) (um ) Ω · cm \u0026 emsp; a / cm 3 cm 2 / vs /cm 2 1-100 si n / a 25.4 280 ssp 1-100 p / b n / a n / a n / a 1-100 si n / a 25.4 280 ssp 1-100 p / b (1-200) e16 n / a n / a 1-100 si (100) 25.4 525 n / a \u0026 lt; 0,005 n / a n / a n / a n / a 1-100 si (100) 25.4 525 ± 25 ssp \u0026 lt; 0,005 n / a n / a n / a n / a 1-100 si mit Oxid Schicht (100) 25.4 525 ± 25 ssp \u0026 lt; 0,005 n / a n / a n / a n / a 1-100 si (100) 25.4 350-500 ssp 1 ~ 10 n / a n / a n / a n / a 1-100 si (100) 25.4 400 ± 25 p / e \u0026 lt; 0,05 p / n / a n / a n / a 1-100 si (100) 50.4 400 ± 25 p / e \u0026 lt; 0,05 p / n / a n / a n / a 1-100 p-si mit 90 nm sio2 (100) 50.4 500 ± 25 p / e \u0026 lt; 0,05 p / n / a n / a n / a 1-100 n-Si mit 90 nm sio2 (100) 50.4 500 ± 25 p / e \u0026 lt; 0,05 n / n / a n / a n / a 1-100 p-si mit 285 nm sio2 (100) 50.4 500 ± 25 p / e \u0026 lt; 0,05 n / n / a n / a n / a 1-100 n-si mit 285 nm sio2 (100) 50.4 500 ± 25 p / e \u0026 lt; 0,05 n / n / a n / a n / a 1-100 si mit Elektroden (100) 50.8 400 n / a \u0026 lt; 0,05 n / p 1e14-1e15 n / a n / a 1-100 si (100) 50.8 275 ssp 1 ~ 10 n / a n / a n / a n / a 1-100 si (100) 50.8 275 ± 25 ssp 1 ~ 10 n / p n / a n / a n / a 1-100 si (111) 50.8 350 ± 15 ssp \u0026 gt; 10000 n / a n / a n / a n / a 1-100 si (100) 50.8 430 ± 15 ssp 5000-8000 n / a n / a n / a n / a 1-100 si (111) 50.8 410 ± 15 ssp 1 ~ 20 n / a n / a n / a n / a 1-100 si (111) 50.8 400-500 ssp \u0026 gt; 5000 n / a n / a n / a n / a 1-100 si (100) 50.8 525 ± 25 ssp 1 ~ 50 n / a n / a n / a n / a 1-100 si (100) 50.8 500 ± 25 ssp 1 ~ 10 n p n / a n / a n / a 1-100 si (100) 50.8 500 ± 25 p / p \u0026 gt; 700 p / n / a n / a n / a 1-100 si (100) 76.2 400 ± 25 p / e \u0026 lt; 0,05 p / n / a n / a n / a 1-100 p-si mit 90 nm sio2 (100) 76.2 500 ± 25 p / e \u0026 lt; 0,05 p / n / a n / a n / a 1-100 n-Si mit 90 nm sio2 (100) 76.2 500 ± 25 p / e \u0026 lt; 0,05 n / n / a n / a n / a 1-100 p-si mit 285 nm sio2 (100) 76.2 500 ± 25 p / e \u0026 lt; 0,05 n / n / a n / a n / a 1-100 n-si mit 285 nm sio2 (100) 76.2 500 ± 25 p / e \u0026 lt; 0,05 n / n / a n / a n / a 1-100 si (100) 100 625 ssp \u0026 gt; 10000 n / a n / a n / a n / a 1-100 si (100) 100 525 ssp n / a n / p n / a n / a n / a 1-100 si (100) 100 320 ssp \u0026 gt; 2500 Ohm · cm p / b n / a n / a n / a 1-100 si (100) 100 n / a ssp 10 ~ 30 n / p n / a n / a n / a 1-100 si (100) 100 505 ± 25 ssp 0.005-0.20 n / p-dotiert n / a n / a n / a 1-100 si (100) 100 381 ssp 0.005-0.20 n / p-dotiert n / a n / a n / a 1-100 si (100) 100 525 dsp 1-100 n / a n / a n / a n / a 1-100 si (100) 100 525 dsp 1-100 n / a n / a n / a n / a 1-100 si (100) 100 625 ± 25 ssp 0,001-0,004 n / a n / a n / a n / a 1-100 si mit Oxid Schicht 3000a (100) 100 675 ± 25 ssp 0,001-0,004 n / a n / a n / a n / a 1-100 si (100) 100 625 ± 25 ssp 0,001-0,00...
Substrate für III-V-Nitridfilmabscheidung Kristall Struktur Schmelzpunkt Dichte Gitter-mis-match zu gan Wärmeausdehnung Wachstum Tech. .\u0026Ampere; maximale Größe Standard-Substratgröße (mm) O c g / cm 3 (10 -6 / k) sic (6h als Beispiel) sechseckig ~ 2700 3.21 3,5% Atori. 10.3 CVD Ø2 \"x 0,3, Ø3\" x0,3 a = 3,073 Å \u0026 emsp; \u0026 emsp; 20x20x0,3,15x15x0,3 c = 15,117 Å \u0026 emsp; Ø3 \" 10x10x0,3,5x5x0,3 \u0026 emsp; subl. \u0026 emsp; 1 Seite Epi poliert al 2 O 3 sechseckig 2030 3.97 14% Atori. 7.5 cz Ø50 x 0,33 a = 4,758 Å \u0026 emsp; Ø25 x 0,50 c = 12,99 Å Ø2 \" 10x10x0.5 \u0026 emsp; \u0026 emsp; 1 oder 2 Seiten epi poliert Lialo 2 tetragonal 1900 ~ 2.62 1,4% Atori. / cz 10x10x0.5 a = 5,17 Å Ø20 mm 1 oder 2 Seiten epi poliert c = 6,26 Å \u0026 emsp; \u0026 emsp; Ligao 2 Orthor. 1600 4.18 0,2% Atori. / cz 10x10x0.5 a = 5,406 Å Ø20 mm 1 oder 2 Seiten epi poliert b = 5,012 Å \u0026 emsp; \u0026 emsp; c = 6,379 Å \u0026 emsp; \u0026 emsp; Mag ich kubisch 2852 3.58 3% Atori. 12.8 Fluss 2 \"× 2\" × 0,5 mm, Ø 2 \"× 0,5 mm a = 4,216 Å \u0026 emsp; 1 \"× 1\" × 0,5 mm, Ø 1 \"× 0,5 mm \u0026 emsp; Ø2 \" 10 x 10 x 0,5 mm 1 oder 2 Seiten epi poliert mgal 2 O 4 kubisch 2130 3.6 9% Atori. 7.45 cz Ø2 \"x 0,5 a = 8,083 Å Ø2 \" 10x10x0.5 \u0026 emsp; \u0026 emsp; 1 oder 2 Seiten epi poliert zno Sechseck 1975 5.605 2,2% Atori. 2.9 Hydro-Thermal 20x20x0,5 a = 3,325 Å 20 mm 1 oder 2 Seiten epi poliert c = 5,213 Å \u0026 emsp; \u0026 emsp; Gan sechseckig \u0026 emsp; 6.15 \u0026 emsp; 5.59 \u0026 emsp; 10x10x0,475mm \u0026 emsp; \u0026 emsp; 5x5x0,475mm
Supraleiter-Substrate Kristall Struktur Schmelzpunkt Dichte Wärmeausdehnung Dielektrizitätskonstante Wachstum Tech. \u0026Ampere; max. Größe Standard 1 oder 2 Seiten Epi poliert Wafer O c g / cm 3 \u0026 emsp; Isat kubisch 1840 6.74 10 22 cz 20x20x0,5mm (laalo3) 0.3 - (sr2altao8) 0.7 a = 3,868 Å Ø35mm 10x10x0,5mm laalo3 Rhombo. 2100 6.51 9.2 24.5 cz Ø3 \"x0.5mm a = 3,790 Å Ø3 \" Ø2 \"x0.5mm c = 13,11 Å \u0026 emsp; Ø1 \"x0.5mm \u0026 emsp; \u0026 emsp; 10x10x0,5mm Mag ich kubisch 2852 3.58 12.8 9.8 Fluss Ø2 \"x0.5mm a = 4,21 Å Ø2 \" 10x10x0,5mm ndgao3 Orthor. 1600 7.57 7.8 25 cz Ø2 \"x0.5mm a = 5,43 Å Ø2 \" 10x10x0,5mm b = 5,50 Å \u0026 emsp; \u0026 emsp; c = 7,71 Å \u0026 emsp; \u0026 emsp; srtio3 kubisch 2080 5.12 10.4 300 vernunft 10x10x0,5mm a = 3,90 Å Ø30mm srlaalo4 Tetrag. 1650 16.8 cz 10x10x0,5mm a = 3,756 Å Ø20mm c = 12,63 Å \u0026 emsp; Yalo 3 Orthor. 1870 4.88 2 ~ 10 16`20 cz 10x10x0,5mm a = 5,176 Å b = 5,307 Å Ø30mm c = 7,355 Å \u0026 emsp; ysz kubisch ~ 2500 5.8 10.3 27 Fluss Ø2 \"x0.5mm a = 5,125 Å Ø2 \" 10x10x0,5m
Epi / Dünnfilm auf Substrat gan Substrat / Vorlage sio2 + si3n4 an Siliziumwafersubstrat Gaas / Algen auf GaAs (Si) -Substrat sic 4h Film auf 4h-Substrat aln dünner Film Substrat Aluminiumfolie Substrat Siliziumnitrid auf Corning-7980-Substrat la0.7sr0.3mno3 + pbzr (x) ti (1-x) o3 auf einem nb (Srtio3) -Substrat Diamant auf Siliziumwafersubstrat Leitfähiger Film ( planarisierter Silber-Nanodraht ) Substrat fto Film auf Substraten Siliziumnitrid auf Siliziumsubstrat la0.5sr0.5tio3 Filmsubstrat Au-beschichteter Siliziumwafer / Glasobjektträger ge Epi-Film auf Si-Substrat au (orientiert polykristallines) / cr / sio2 / si-Substrat Graphenfilm auf ni / sio2 / si-Substrat au (orientiert polykristallines) / ti / sio2 / si-Substrat pbzrxti 1-xo3 (pzt) Substrat la0.7sr0.3mno3 + pbzr (x) ti (1-x) o3 auf Srtio3-Substrat Silber (ag) auf Si-Wafersubstrat mos2 epi-film auf sio2 / si-substrat Srmoo4 Filmsubstrat ba1 xsrxtio3 Film auf (pt / ti / sio2 / si) Substrat mo beschichtetes Sodalime Glassubstrat sruo3 Filmsubstrat ito-beschichtetes (Sodalime) Glas / Kunststoffsubstrat Ni-beschichtetes Si-Substrat soi Wafer (si auf Isolator ) Substrat tio2 beschichtetes Sodalime Glassubstrat thermisches Oxidsubstrat Bornitrid auf Silizium ito / zno beschichtet Sodalime Glassubstrat bifeo3 Film auf Substrat si + sio2 + ti (oder tio2) + pt Dünnfilmsubstrat ybco Epi Film auf Srtio3, Laalo3, Al2O3 Substrat yig epi film auf ggg-Substrat ceo2 epi dünn Film auf Ysz-Substrat cu-Epi-Film auf Si Substrat Ingaas Epi auf Inp-Substrat zno dünner Film auf Saphirsubstrat sos (Silizium an Saphir) Substrat zno / pt / ti Film auf Si-Substrat zno an Glas / Quarzglas-Substrat zno / au / cr Film auf Si-Substrat lanio3 Film Substrat Algar Substrat / Vorlage
Einkristall ceo2 Kristall fe3o4 Kristall sno2 Kristall Cu2O Kristall fe2o3 Kristall mno Kristall prsco3 Kristall Substrat ndsco3 Kristall Substrat ndsco3 Kristall Substrat gdsco3 Kristall Substrat dysco3 Kristall Substrat soi wafer ti Terminal Srtio3 hüpfen ( hochorientiertes pyrolytisches Graphit ) zno / cal2o3 Film Ain auf Saphirwafer
Kontakt Informationen
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
