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2017-12-21

ge Wafer Lieferant

ge wafer Substrat-Germanium
Menge Material Orientierung. Durchmesser dick ss Polieren Widerstand Art Dotierstoff pri mich f lat epd ra
Stck (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; Orientation n / cm2 \u0026 emsp;
1-100 ge ( 100 ) 50.8 500 ± 25 ssp 0.0138-0.02 p / ga -110 ≤ 5000 n / a
1-100 ge ( 100 ) 50.8 500 ssp ≥ 30 n / undotiert n / a n / a \u0026 lt; 5a
1-100 ge ( 100 ) 50.8 500 ssp 58.4-63.4 n / undotiert n / a n / a n / a
1-100 ge ( 100 ) 50.8 500 ssp 0.1-1 p / ga n / a n / a n / a
1-100 ge ( 100 ) 50.8 500 ssp 0.1-0.05 p / ga n / a n / a n / a
1-100 ge ( 100 ) 50.8 1000 dsp \u0026 gt; 30 n / a -110 n / a n / a
1-100 ge ( 100 ) 50.8 2000 ssp n / a n / a n / a n / a n / a
1-100 ge ( 100 ) 50.8 4000 ssp n / a n / a n / a n / a n / a
1-100 ge (111) / (110) 50.8 200000 n / a 5-20 n / a n / a n / a n / a
1-100 ge ( 100 ) 50.8 400 ssp \u0026 lt; 0,4 n / a n / a n / a n / a
1-100 ge (100) / (111) 50.8 4000 ± 10 dsp n / a n / a n / a n / a n / a
1-100 ge ( 100 ) 50.8 350 ssp 1-10 p / ga -110 ≤ 5000 n / a
1-100 ge ( 100 ) 50.8 500 ± 25 ssp 2-10 p / ga -110 ≤ 5000 n / a
1-100 ge ( 100 ) 50.8 500 ± 25 ssp 0.3-3 Ns b -110 ≤ 5000 n / a
1-100 ge ( 100 ) 50.8 500 ± 25 ssp 0.3-3 p / ga -110 ≤ 5000 n / a
1-100 ge ( 111 ) 60 1000 wie geschnitten \u0026 gt; 30 n / a -110 \u0026 lt; 3000 n / a
1-100 ge ( 100 ) 100 n / a ssp \u0026 lt; 0,019 p / ga -110 \u0026 lt; 500 n / a
1-100 ge ( 100 ) 100 1000 ± 25 ssp ≥ 30 n / undotiert n / a n / a n / a
1-100 ge (100) von 6 ° oder von 9 ° 100 500 ssp 0,01-0,05 p / ga n / a n / a n / a
1-100 ge ( 100 ) 100 500 ssp 0,01-0,05 p / ga n / a n / a n / a
1-100 ge ( 100 ) 100 500 dsp 0,01-0,05 p / ga n / a n / a n / a
1-100 ge ( 100 ) 100 500 ssp \u0026 lt; 0,01 p / ga n / a n / a n / a
1-100 ge ( 100 ) 100 500 dsp \u0026 lt; 0,01 p / ga n / a n / a n / a
1-100 ge ( 100 ) 100 500 ssp ≥ 35 p / ga n / a n / a n / a
1-100 ge ( 100 ) 100 500 dsp ≥ 35 p / ga n / a n / a n / a
1-100 ge ( 100 ) 100 500 ssp 0.1-0.05 p / ga n / a n / a \u0026 lt; 5a
1-100 ge ( 100 ) 100 500 dsp 0.1-0.05 p / ga n / a n / a \u0026 lt; 5a
1-100 ge (100) 6 ° aus (111) 100 185 ± 15 dsp 0,01-0,05 n / a -110 ≤5000 \u0026 lt; 5a
1-100 ge (100) 6 ° aus (110) 100 525 ± 25 ssp 0,01-0,04 n / a n / a n / a n / a
1-100 ge ( 100 ) 100 n / a n / a n / a n / a n / a n / a n / a
1-100 ge ( 100 ) 100 1000 ± 15 ssp ≥ 30 n / a -110 ≤ 5000 n / a
1-100 ge ( 100 ) 100 750 ± 25 ssp ≥ 30 n / a -110 ≤ 5000 n / a
1-100 ge ( 100 ) 100 500 ± 25 ssp 10-30 n / a n / a n / a n / a
1-100 ge (100) / (111) 100 160 dsp 0,05-0,1 p / ga n / a \u0026 lt; 500 n / a
1-100 ge (100) / (111) 100 160 dsp 0,05-0,1 p / ga n / a \u0026 lt; 4000 n / a
1-100 ge (100) / (111) 100 160 dsp 0,05-0,1 Ns b n / a \u0026 lt; 500 n / a
1-100 ge (100) / (111) 100 160 dsp 0,05-0,1 Ns b n / a \u0026 lt; 4000 n / a
1-100 ge (100) / (111) 100 190 dsp 0,05-0,1 p / ga n / a \u0026 lt; 500 n / a
1-100 ge (100) / (111) 100 190 dsp 0,05-0,1 p / ga n / a \u0026 lt; 4000 n / a
1-100 ge ( 111 ) 100 500 ± 25 ssp \u0026 lt; 0,4 Ns b n / a n / a n / a
1-100 ge (100) 6 ° Abschneiden in Richtung (111) a 100 175 ± 25 ssp 0,003-0,009 p / ga (0-1-1) (0-11) \u0026 lt; 100 n / a
1-100 ge (310) ± 0,1 ° 100 200 ± 15 dsp \u0026 gt; 20 n / a n / a n / a n / a
1-100 ge ( 111 ) 150 600-700 n / a \u0026 gt; 30 n / a -110 n / a n / a
ein s a Ge Wafer Lieferant, bieten wir Germanium Wafer Liste für Ihre Referenz, wenn Sie Preis-Detail benötigen, kontaktieren Sie bitte unser Vertriebsteam


Hinweis:

*** Als Hersteller akzeptieren wir auch kleine Mengen für Forscher oder Gießereien.

*** lieferzeit: es hängt von lager wir haben, wenn wir lager haben, können wir ihnen bald versenden.

*** Für die Solarzellenanwendung wählt der Anwender normalerweise einen Wafer mit (100) von 6 ° oder von 9 ° in einer Dicke von 175 um +/- 25 um, epd \u0026 lt; 500 / cm² oder 5000 / cm².


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