Wonach suchen Sie?

luna@powerwaywafer.com

powerwaymaterial@gmail.com 

Zuhause / Wafer-Liste /

Indium-Halbleiterwafer

Wafer-Liste

Kategorien

Empfohlene Produkte

neuesten Nachrichten

Indium-Halbleiterwafer

2017-12-21

Indium-Halbleiterwafer

in Wafer-Substrat-Indium-Arsenid
Menge materi al Ori Entbindung. Durchmesser dick s Polieren Widerstand Art Dotierstoff nc Mob iilität epd
Stck (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; a / cm3 cm2 / vs / cm2
1-100 inas ( 110 ) 40 500 ssp n /ein p (1-9) e17 n / a n / a
1-100 inas ( 100 ) 50.8 450 ssp n / a p 1e17 / cc n / a \u0026 lt; 20000
1-100 inas ( 100 ) 50.8 400 ssp n / a n / s 5e18-2e19 \u0026 gt; 6.000 \u0026 lt; 1e4
1-100 inas ( 100 ) 50.8 400 dsp n / a n / s 5e18-2e19 \u0026 gt; 6.000 \u0026 lt; 1e4
1-100 inas (111) b 50.8 n / a ssp n / a n / s (1-3) e18 n / a n / a
1-100 inas ( 100 ) 50.8 n / a ssp n / a n / te 1e16 / cc n / a n / a
1-100 inas ( 100 ) 50.8 400 dsp n / a p (1-9) e18 / cc n / a n / a
1-100 inas ( 100 ) 3x3x5 n / a n / a n / a n / a 3e16 / cc n / a n / a
als inas wafer lieferant, bieten wir inas wafer liste für ihre referenz, wenn sie preisdetail benötigen, kontaktieren sie bitte unser vertriebsteam


Hinweis:

*** Als Hersteller akzeptieren wir auch kleine Mengen für Forscher oder Gießereien.

*** lieferzeit: es hängt von lager wir haben, wenn wir lager haben, können wir ihnen bald versenden.

Inp-Wafersubstrat - Indiumphosphid
Menge Materie l Orientierung. Durchm Eter verdicken ess Polieren Widerstand Art Dotierstoff nc Mobi lität epd
Stck (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; a / cm3 cm2 / vs / cm2
1-100 inp ( 111 ) 25.4 300 n / a n / a n / a \u0026 lt; 3e16 \u0026 gt; 3500 \u0026 lt; 3e4
1-100 inp ( 100 ) 50.8 400 ± 10 ssp n / a n / (5-50) e15 n / a \u0026 lt; 20000
1-100 inp ( 111 ) 50.8 400 ± 10 ssp n / a p / zn ~ 1e19 n / a \u0026 lt; 20000
1-100 inp ( 100 ) 50.8 400 ssp n / a n / ~ 5e17 n / a n / a
1-100 inp (111) a 50.8 n / a n / a n / a p / zn ~ 5e18 n / a n / a
1-100 inp (111) ± 0,5 ° 50.8 350 ssp \u0026 gt; 1e7 undotiert (1-10) e7 \u0026 gt; 2000 \u0026 lt; 3e4
1-100 inp (100) / (111) 50.8 350-400 ssp n / a n (1-3) e18 n / a n / a
1-100 inp ( 111 ) 50.8 500 ± 25 ssp n / a undotiert n / a n / a n / a
1-100 inp (111) a 50.8 500 ssp \u0026 gt; 1e7 undotiert n / a n / a n / a
1-100 inp (111) a 50.8 500 ± 25 ssp n / a undotiert n / a n / a n / a
1-100 inp (111) b 50.8 500 ± 25 ssp n / a undotiert n / a n / a n / a
1-100 inp ( 110 ) 50.8 400 ± 25 ssp n / a p / zn n / s n / a n / a n / a
1-100 inp ( 110 ) 50.8 400 ± 25 dsp n / a p / zn n / s n / a n / a n / a
1-100 inp (110) ± 0,5 50.8 400 ± 25 ssp n / a n / a n / a n / a n / a
1-100 inp (100) ± 0,5 50.8 350 ± 25 ssp n / a p / zn n / a n / a n / a
1-100 inp n / a 50.8 500 n / a n / a n / a n / a n / a n / a
1-100 inp (111) b 50.8 400 ± 25 n / a \u0026 gt; 1e4 n / te n / a n / a n / a
1-100 inp (211) b 50.8 400 ± 25 n / a \u0026 gt; 1e4 n / te n / a n / a n / a
1-100 inp (311) b 50.8 400 ± 25 n / a \u0026 gt; 1e4 n / te n / a n / a n / a
1-100 inp ( 111 ) 50.8 n / a ssp n / a n (1-9) e18 n / a n / a
1-100 inp n / a 50.8 4000 ± 300 n / a n / a n / a undotiert n / a n / a
1-100 inp ( 100 ) 50.8 500 ± 25 ssp n / a n / s (1-9) e18 n / a n / a
1-100 inp ( 100 ) 50.8 500 ± 25 ssp n / a n / s ~ 3e17 n / a n / a
1-100 inp (100) / (111) 76.2 600 ssp n / a n (1-3) e18 n / a n / a
1-100 inp (100) ± 0,5 76.2 600 ± 25 ssp n / a undotiert \u0026 lt; 3e16 \u0026 gt; 3500 \u0026 lt; 3e4
1-100 inp ( 100 ) 76.2 400-600 dsp n / a undotiert / fe n / a n / a n / a
1-100 inp ( 100 ) 76.2 600 ± 25 ssp n / a n / a n / s n / a n / a
1-100 inp ( 100 ) 76.2 600 ± 25 ssp n / a n / a n / a n / a n / a
1-100 inp ( 100 ) 76.2 675 ± 25 dsp n / a n / a (3-6) e18 n / a n / a
1-100 inp ( 100 ) 76.2 600 ± 25 dsp n / a n / a 2.00e + 18 e n / a
1-100 inp ( 100 ) 76.2 600 ± 25 dsp n / a n / a n / a n / a n / a
1-100 inp ( 111 ) 10x10 500 ± 25 ssp n / a undotiert n / a n / a n / a
1-100 inp n / a 30-40 n / a n / a n / a n / a n / a n / a n / a
1-100 inp (100) 2º aus +/- 0,1 Grad t.n. (110) 50 ± 0,2 500 ± 20 ssp ≥1e7 si / fe n / a ≥2000 ≤5000
als inp wafer lieferant, bieten wir inp wafer liste für ihre referenz, wenn sie preisdetail benötigen, kontaktieren sie bitte unser vertriebsteam


Hinweis:

*** Als Hersteller akzeptieren wir auch kleine Mengen für Forscher oder Gießereien.

*** lieferzeit: es hängt von lager wir haben, wenn wir lager haben, können wir ihnen bald versenden.

insb-Wafersubstrat - Indiumantimonid
Menge Material orientieren Ion. Durchmesser dick ness Polieren Widerstand Typ Dotierstoff nc mobilit y epd
Stck (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; a / cm3 cm2 / vs / cm2
1-100 insb ( 100 ) 50.8 500 ssp n / a n / undotiert \u0026 lt; 2e14 n / a n / a
1-100 insb ( 100 ) 50.8 500 n / a n / a n / a n / a n / a n / a
als ein insb wafer lieferant, bieten wir insb wafer liste für ihre referenz, wenn sie preisdetail, bitte kontaktieren sie unser vertriebsteam


Hinweis:

*** Als Hersteller akzeptieren wir auch kleine Mengen für Forscher oder Gießereien.

*** lieferzeit: es hängt von lager wir haben, wenn wir lager haben, können wir ihnen bald versenden.








kontaktiere uns

wenn Sie ein Angebot oder mehr Informationen über unsere Produkte möchten, lassen Sie uns bitte eine Nachricht, wird Ihnen so schnell wie möglich antworten.