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2017-12-22

Siliciumcarbid-Liste

4 \"4h Siliziumkarbid
Art.-Nr. Art Orientati auf dick ss Klasse Mikroleitung d ensity su rface verwendbar Bereich
\u0026 emsp; n-Typ
s4h-100-n-sic-350-a 4 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 350 ± 25um ein \u0026 lt; 10 / cm² p / p \u0026 gt; 90%
s4h-100-n-sic-350-b 4 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 350 ± 25um b \u0026 lt; 30 / cm2 p / p \u0026 gt; 85%
s4h-100-n-sic-350-d 4 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 350 ± 25um d \u0026 lt; 100 / cm² p / p \u0026 gt; 75%
s4h-100-n-sic-370-l 4 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 370 ± 25um d * l / l \u0026 gt; 75%
s4h-100-n-sic-440-ac 4 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 440 ± 25um d * wie geschnitten \u0026 gt; 75%
s4h-100-n-sic-c0510-a-d 4 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 5 ~ 10mm d \u0026 lt; 100 / cm² wie geschnitten *
s4h-100-n-sic-c1015-a-c 4 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 5 ~ 10mm c \u0026 lt; 50 / cm² wie geschnitten *
3 \"4h Siliziumkarbid
Art.-Nr. Art Orie ntation dick ss grad e Mikrolunker Dichte Oberfläche e USA blasse Gegend
\u0026 emsp; n-Typ
s4h-76-n-sic-350-a 3 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 350 ± 25um ein \u0026 lt; 10 / cm² p / p \u0026 gt; 90%
s4h-76-n-sic-350-b 3 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 350 ± 25um b \u0026 lt; 30 / cm2 p / p \u0026 gt; 85%
s4h-76-n-sic-350-d 3 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 350 ± 25um d \u0026 lt; 100 / cm² p / p \u0026 gt; 75%
s4h-76-n-sic-370-l 3 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 370 ± 25um d * l / l \u0026 gt; 75%
s4h-76-n-sic-410-ac 3 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 410 ± 25um d * wie geschnitten \u0026 gt; 75%
s4h-76-n-sic-c0510-a-d 3 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 5 ~ 10mm d \u0026 lt; 100 / cm² wie geschnitten *
s4h-76-n-sic-c1015-a-d 3 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 10 ~ 15 mm d \u0026 lt; 100 / cm² wie geschnitten *
s4h-76-n-sic-c0510-a-c 3 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 5 ~ 10mm c \u0026 lt; 50 / cm² wie geschnitten *
s4h-76-n-sic-c1015-a-c 3 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 10 ~ 15 mm c \u0026 lt; 50 / cm² wie geschnitten *
\u0026 emsp; halbisolierend
s4h-76-si-sic-350-a 3 \"4h-si 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 350 ± 25um ein \u0026 lt; 10 / cm² p / p \u0026 gt; 90%
s4h-76-si-sic-350-b 3 \"4h-si 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 350 ± 25um b \u0026 lt; 30 / cm2 p / p \u0026 gt; 85%
s4h-76-si-sic-350-d 3 \"4h-si 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 350 ± 25um d \u0026 lt; 100 / cm² p / p \u0026 gt; 75%
2 \"4h Siliziumkarbid
Art.-Nr. Art Orienta tion verdicken ess grad e Mikro IPE-Dichte Surfen As usabl der Bereich
\u0026 emsp; n-Typ
s4h-51-n-sic-330-a 2 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 330 ± 25um ein \u0026 lt; 10 / cm² c / p \u0026 gt; 90%
s4h-51-n-sic-330-b 2 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 330 ± 25um b \u0026 lt; 30 / cm2 c / p \u0026 gt; 85%
s4h-51-n-sic-330-d 2 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 330 ± 25um d \u0026 lt; 100 / cm² c / p \u0026 gt; 75%
s4h-51-n-sic-370-l 2 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 370 ± 25um d * l / l \u0026 gt; 75%
s4h-51-n-sic-410-ac 2 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 410 ± 25um d * wie geschnitten \u0026 gt; 75%
s4h-51-n-sic-c0510-a-d 2 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 5 ~ 10mm d \u0026 lt; 100 / cm² wie geschnitten *
s4h-51-n-sic-c1015-a-d 2 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 10 ~ 15 mm d \u0026 lt; 100 / cm² wie geschnitten *
s4h-51-n-sic-c0510-a-c 2 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 5 ~ 10mm c \u0026 lt; 50 / cm² wie geschnitten *
s4h-51-n-sic-c1015-a-c 2 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 10 ~ 15 mm c \u0026 lt; 50 / cm² wie geschnitten *
2 \"6h Siliziumkarbid
Art.-Nr. Art Orie ntation dick s gra de Mikr Opipe Dichte Suffa ce usab der Bereich
\u0026 emsp; n-Typ
s6h-51-n-sic-330-a 2 \"6h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 330 ± 25um ein \u0026 lt; 10 / cm² c / p \u0026 gt; 90%
s6h-51-n-sic-330-b 2 \"6h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 330 ± 25um b \u0026 lt; 30 / cm2 c / p \u0026 gt; 85%
s6h-51-n-sic-330-d 2 \"6h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 330 ± 25um d \u0026 lt; 100 / cm² c / p \u0026 gt; 75%
s6h-51-n-sic-370-l 2 \"6h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 370 ± 25um d * l / l \u0026 gt; 75%
s6h-51-n-sic-410-ac 2 \"6h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 410 ± 25um d * wie geschnitten \u0026 gt; 75%
s6h-51-n-sic-c0510-a-d 2 \"6h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 5 ~ 10mm d \u0026 lt; 100 / cm² wie geschnitten *
s6h-51-n-sic-c1015-a-d 2 \"6h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 10 ~ 15 mm d \u0026 lt; 100 / cm² wie geschnitten *
s6h-51-n-sic-c0510-a-c 2 \"6h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 5 ~ 10mm c \u0026 lt; 50 / cm² wie geschnitten *
s6h-51-n-sic-c1015-a-c 2 \"6h-n 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 10 ~ 15 mm c \u0026 lt; 50 / cm² wie geschnitten *
\u0026 emsp; halbisolierendwww.semiconductorwafers.net
s6h-51-si-sic-330-a 2 \"6h-si 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 330 ± 25um ein \u0026 lt; 10 / cm² c / p \u0026 gt; 90%
s6h-51-si-sic-330-b 2 \"6h-si 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 330 ± 25um b \u0026 lt; 30 / cm2 c / p \u0026 gt; 85%
s6h-51-si-sic-330-d 2 \"6h-si 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 330 ± 25um d \u0026 lt; 100 / cm² c / p \u0026 gt; 75%
s6h-51-si-sic-370-l 2 \"6h-si 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 370 ± 25um d * l / l \u0026 gt; 75%
s6h-51-si-sic-410-ac 2 \"6h-si 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 410 ± 25um d * wie geschnitten \u0026 gt; 75%
s6h-51-si-sic-c0510-a-d 2 \"6h-si 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 5 ~ 10mm d \u0026 lt; 100 / cm² wie geschnitten *
s6h-51-si-sic-c1015-a-d 2 \"6h-si 0 ° / 4 ° ± 0,5 ° 10 ~ 15 mm d \u0026 lt; 100 / cm² wie geschnitten *

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