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freistehendes gan-Substrat

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freistehendes gan-Substrat

freistehendes gan-Substrat

pam-xiamen hat die Herstellungstechnologie für freistehende (Galliumnitrid) gan Substratwafer, die für uhb-led und ld ist, etabliert. gewachsen durch Hydriddampfphasenepitaxie (Hvpe) -Technologie, hat unser Gansubstrat eine geringe Defektdichte.
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freistehendes gan-Substrat


Pam-Xiamen hat die Herstellungstechnologie für freistehendes (Galliumnitrid) -Gan-Substrat Wafer, der für uhb-led und ld ist. gewachsen durch Hydrid-Dampfphasenepitaxie (Hvpe) -Technologie, hat unser Gansubstrat eine geringe Defektdichte und eine geringere oder freie Makrodefektdichte.

Spezifikation von freistehendes gan-Substrat

Hier zeigt Detailspezifikation:

2 " freistehendes (Galliumnitrid) -Gan-Substrat

Artikel

pam-fs-gan50-n

pam-fs-gan50-si

Leitungstyp

n-Typ

halbisolierend

Größe

2 "(50,8) +/- 1 mm

Dicke

300 +/- 50um

Orientierung

c-Achse (0001) +/- 0,5 O

primäre Wohnung  Lage

(1-100) +/- 0,5 O

primäre Wohnung  Länge

16 +/- 1 mm

Zweitwohnung  Lage

(11-20) +/- 3 O

Zweitwohnung  Länge

8 +/- 1 mm

Widerstand (300k)

u0026 lt; 0,5 u0026 OHgr; · cm

u0026 gt; 10 6 Ω · cm

Luxation  Dichte

u0026 lt; 5x10 6 cm-2

Marco-Defekt  Dichte

eine Klasse u0026 lt; = 2 cm -2 b  Grad u0026 gt; 2 cm -2

ttv

u0026 lt; = 15um

Bogen

u0026 lt; = 20um

Oberflächenfinish

Frontfläche: Ra u0026 lt; 0,2 nm. Epi-Ready  poliert

Rückseite: 1. feiner Boden 2. durchgeschliffen

nutzbare Fläche ≥ 90%




1,5 " freistehendes gan-Substrat

Artikel

pam-fs-gan38-n

pam-fs-gan38-si

Leitungstyp

n-Typ

halbisolierend

Größe

1,5 "(38,1) +/- 0,5 mm

Dicke

260 +/- 20um

Orientierung

c-Achse (0001) +/- 0,5 O

primäre Wohnung  Lage

(1-100) +/- 0,5 O

primäre Wohnung  Länge

12 +/- 1 mm

Zweitwohnung  Lage

(11-20) +/- 3 O

Zweitwohnung  Länge

6 +/- 1 mm

Widerstand (300k)

u0026 lt; 0,5 u0026 OHgr; · cm

u0026 gt; 10 6 Ω · cm

Luxation  Dichte

u0026 lt; 5x10 6 cm-2

Marco-Defekt  Dichte

eine Klasse u0026 lt; = 2 cm -2 b  Grad u0026 gt; 2 cm -2

ttv

u0026 lt; = 15um

Bogen

u0026 lt; = 20um

Oberflächenfinish

Vorderseite  Oberfläche: ra u0026 lt; 0,2nm.epi-ready poliert

Rückseite: 1. feiner Boden 2. durchgeschliffen

nutzbare Fläche ≥ 90%


15 mm, 10 mm, 5 mm freistehendes gan-Substrat

Artikel

pam-fs-gan15-n  pam-fs-gan10-npam-fs-gan5-n

pam-fs-gan15-si  pam-fs-gan10-si pam-fs-gan5-si

Leitungstyp

n-Typ

halbisolierend

Größe

14,0 mm * 15 mm 10,0 mm * 10,5 mm 5,0 * 5,5 mm

Dicke

230 +/- 20um,  280 +/- 20um

Orientierung

c-Achse (0001) +/- 0,5 O

primäre Wohnung  Lage

u0026 emsp;

primäre Wohnung  Länge

u0026 emsp;

Zweitwohnung  Lage

u0026 emsp;

Zweitwohnung  Länge

u0026 emsp;

Widerstand (300k)

u0026 lt; 0,5 u0026 OHgr; · cm

u0026 gt; 10 6 Ω · cm

Luxation  Dichte

u0026 lt; 5x10 6 cm-2

Marco-Defekt  Dichte

0cm -2

ttv

u0026 lt; = 15um

Bogen

u0026 lt; = 20um

Oberflächenfinish

Vorderseite  Oberfläche: ra u0026 lt; 0,2nm.epi-ready poliert

Rückseite: 1. feiner Boden 2. durchgeschliffen

nutzbare Fläche ≥ 90%


Hinweis:

Validierung Wafer : unter Berücksichtigung der Bequemlichkeit der Nutzung, pam-xiamen bieten 2 "Saphir Validierung Wafer für unter 2" Größe freistehendes gan-Substrat


Anwendung von Gansubstrat


Festkörperbeleuchtung: Gan-Geräte werden als Leuchtdioden mit ultrahoher Leuchtdichte (LEDs), Fernseher, Automobile und allgemeine Beleuchtung eingesetzt


DVD-Speicher: blaue Laserdioden

power device: gan-geräte werden als verschiedene komponenten in der hoch- und hochfrequenz-leistungselektronik wie zellulare basisstationen, satelliten, leistungsverstärker und inverter / konverter für elektrofahrzeuge (ev) und hybridelektrische fahrzeuge (hev) eingesetzt. gans geringe Empfindlichkeit gegenüber ionisierender Strahlung (wie andere Nitride der Gruppe III) macht es zu einem geeigneten Material für Anwendungen im Weltraum wie Solarzellenanordnungen für Satelliten und Hochleistungs-Hochfrequenzgeräte für Kommunikations-, Wetter- und Überwachungssatelliten

ideal für das erneute Wachstum von iii-Nitriden

Funkbasisstationen: HF-Leistungstransistoren


drahtloser Breitbandzugang: Hochfrequenzmiks, HF-Schaltungen mmics


Drucksensoren: Mems


Wärmesensoren: pyroelektrische Detektoren


Power Conditioning: Mixed-Signal-Gan / Si-Integration


Automobilelektronik: Hochtemperaturelektronik

Hochspannungsleitungen: Hochspannungselektronik


Rahmensensoren: UV-Detektoren


Solarzellen: gans breite Bandlücke deckt das Sonnenspektrum von 0,65 eV bis 3,4 eV ab (was praktisch das gesamte Sonnenspektrum ist), wodurch Indiumgalliumnitrid entsteht

(Ingan) Legierungen sind perfekt für die Herstellung von Solarzellenmaterial. Aufgrund dieses Vorteils werden ingan-Solarzellen, die auf Ga-Substraten gezüchtet werden, zu einem der wichtigsten neuen Anwendungen und Wachstumsmarkt für GaSubstrat-Wafer.

ideal für Hemts, Fets


gan schottky diodeprojekt: wir akzeptieren kundenspezifische spezifikationen von schottky-dioden, die auf den hvpe-gewachsenen, freistehenden galliumnitrid (gan) schichten von n- und p-typen hergestellt werden.

beide Kontakte (ohmsch und Schottky) wurden auf der oberen Oberfläche mit al / ti und pd / ti / au abgeschieden.

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