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Xiamen Powerway bietet inas Wafer - Indiumarsenid an, die durch Lec (Liquid Encapsulated Czochralski) als Epi-Ready oder Mechanical Grade mit n-Typ, p-Typ oder halbisolierend in unterschiedlicher Orientierung (111) oder (100) gezüchtet werden.

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Xiamen Powerway bietet inas Wafer - Indiumarsenid an, die durch Lec (Liquid Encapsulated Czochralski) als Epi-Ready oder Mechanical Grade mit n-Typ, p-Typ oder halbisolierend in unterschiedlicher Orientierung (111) oder (100) gezüchtet werden.


Indiumarsenid, Inas, ist ein Halbleiter aus Indium und Arsen. es hat das Aussehen von grauen kubischen Kristallen mit einem Schmelzpunkt von 942 ° C. [2] Indiumarsenid wird für den Bau von Infrarotdetektoren für den Wellenlängenbereich von 1-3.8 μm verwendet. Die Detektoren sind gewöhnlich photovoltaische Photodioden. Kryogen gekühlte Detektoren weisen ein geringeres Rauschen auf, können jedoch auch bei Anwendungen mit höherer Leistung bei Raumtemperatur verwendet werden. Indiumarsenid wird auch zur Herstellung von Diodenlasern verwendet.


Indiumarsenid ähnelt Galliumarsenid und ist ein Material mit direkter Bandlücke. Indiumarsenid wird manchmal zusammen mit Indiumphosphid verwendet. legiert mit Galliumarsenid, bildet es Indiumgalliumarsenid - ein Material mit einer Bandlücke, die vom in / ga-Verhältnis abhängt, ein Verfahren, das prinzipiell ähnlich dem Legieren von Indiumnitrid mit Galliumnitrid ist, um Indiumgalliumnitrid zu erhalten.


Wafer-Spezifikation
Artikel Spezifikationen
Waferdurchmesser 2 "50,5 ± 0,5 mm
3 "76,2 ± 0,4 mm
Kristallorientierung (100) ± 0,1 °
Dicke 2 "500 ± 25um
3 "625 ± 25um
primäre flache Länge 2 "16 ± 2 mm
3 "22 ± 2 mm
sekundäre flache Länge 2 "8 ± 1 mm
3 "11 ± 1 mm
Oberflächenfinish p / e, p / p
Paket epi-ready, Einzelwafer-Behälter oder CF-Kassette


Elektro- und Dotierungsspezifikation
Leitungstyp n-Typ n-Typ n-Typ p-Typ p-Typ
Dotierstoff undotiert schwefelarm hoher Schwefelgehalt wenig Zink hohes Zink
e.d.p. cm -2 2 " 15.000
3"
50.000
Mobilität cm² v -1 s -1 23000 25000-15000 12000-7000 350-200 250-100
Trägerkonzentration cm -3 ( 1-3 ) * 10 16 ( 4-8 ) * 10 16 ( 1-3 ) * 10 18 ( 1-3 ) * 10 17 ( 1-3 ) * 1018


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Gegenstand : Inas-Wafer

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