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Pam-Xiamen Angebote Photomasken


Eine Photomaske ist eine dünne Beschichtung aus Maskierungsmaterial, die von einem dickeren Substrat getragen wird, und das Maskierungsmaterial absorbiert Licht in unterschiedlichem Maße und kann mit einem kundenspezifischen Design gemustert werden. Das Muster wird verwendet, um Licht zu modulieren und das Muster durch den Prozess der Photolithographie zu übertragen, was der grundlegende Prozess ist, der verwendet wird, um fast alle der heutigen digitalen Geräte zu bauen.

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Fotomaske



Pam-Xiamen Angebote Photomasken


ein Fotomaske ist eine dünne Beschichtung aus Abdeckmaterial, die von einem dickeren Substrat getragen wird, und das Abdeckmaterial absorbiert Licht in unterschiedlichem Maße und kann mit einem kundenspezifischen Design gemustert werden. Das Muster wird verwendet, um Licht zu modulieren und das Muster durch den Prozess der Photolithographie zu übertragen, was der grundlegende Prozess ist, der verwendet wird, um fast alle der heutigen digitalen Geräte zu bauen.


Was ist eine Photomaske?


Eine Photomaske ist eine lichtundurchlässige Platte mit Löchern oder Transparenten, die das Licht in einem definierten Muster durchscheinen lassen. Sie werden üblicherweise in der Photolithographie verwendet. lithographisch Photomasken sind typischerweise transparente Quarzglasrohlinge, die mit einem Muster bedeckt sind, das mit einem chrommetallabsorbierenden Film definiert ist. Photomasken werden bei Wellenlängen von 365 nm, 248 nm und 193 nm verwendet. Photomasken wurden auch für andere Strahlungsarten wie 157 nm, 13,5 nm (euv), Röntgenstrahlung, Elektronen und Ionen entwickelt; aber diese erfordern völlig neue Materialien für das Substrat und den Musterfilm. ein Satz von Photomasken, von denen jede eine Musterschicht bei der Herstellung von integrierten Schaltungen definiert, wird in einen Photolithographiestepper oder -scanner eingespeist und einzeln zur Belichtung ausgewählt. Bei Doppelstrukturierungstechniken würde eine Photomaske einer Teilmenge des Schichtmusters entsprechen. In der Photolithographie für die Massenproduktion von integrierten Schaltungsvorrichtungen ist der korrektere Ausdruck üblicherweise ein Photortikel oder einfach ein Retikel. im Fall einer Photomaske besteht eine Eins-zu-Eins-Entsprechung zwischen dem Maskenmuster und dem Wafermuster. Dies war der Standard für die 1: 1-Mask Aligner, denen Stepper und Scanner mit Reduktionsoptik folgten. wie in Steppern und Scannern verwendet, enthält das Retikel üblicherweise nur eine Schicht des Chips. (Einige Photolithographie-Fabrikationen verwenden jedoch Retikel mit mehr als einer Schicht, die auf die gleiche Maske strukturiert sind). das Muster wird vier- oder fünfmal auf die Waferoberfläche projiziert und geschrumpft. Um eine vollständige Waferabdeckung zu erreichen, wird der Wafer wiederholt von Position zu Position unter der optischen Säule "abgestuft", bis die volle Belichtung erreicht ist. Merkmale mit einer Größe von 150 nm oder darunter erfordern im Allgemeinen eine Phasenverschiebung, um die Bildqualität auf akzeptable Werte zu verbessern. Dies kann auf viele Arten erreicht werden. Die zwei gebräuchlichsten Verfahren sind die Verwendung eines abgeschwächten phasenschiebenden Hintergrundfilms auf der Maske, um den Kontrast von Peaks mit geringer Intensität zu erhöhen oder den belichteten Quarz zu ätzen, so dass die Kante zwischen den geätzten und nicht geätzten Bereichen verwendet werden kann, um nahezu Null abzubilden Intensität. im zweiten Fall müssten unerwünschte Ränder mit einer anderen Belichtung getrimmt werden. Die erstgenannte Methode ist eine abgeschwächte Phasenverschiebung und wird oft als schwache Verstärkung angesehen, die eine spezielle Beleuchtung für die stärkste Verstärkung erfordert, während die letztere Methode als Phasenverschiebung mit alternierender Apertur bekannt ist und die populärste starke Verbesserungstechnik ist. Wenn die führenden Halbleitermerkmale schrumpfen, müssen Photomaskenmerkmale, die 4 × größer sind, zwangsläufig ebenfalls schrumpfen. dies könnte Herausforderungen darstellen, da der Absorberfilm dünner und damit weniger opak werden muss. Eine kürzlich von imec durchgeführte Studie hat gezeigt, dass dünnere Absorber den Bildkontrast verschlechtern und somit zur Line-Edge-Rauhigkeit beitragen, indem sie modernste photolithographische Werkzeuge verwenden. Eine Möglichkeit besteht darin, Absorber vollständig zu eliminieren und "chromfreie" Masken zu verwenden, die sich nur auf die Phasenverschiebung für die Bildgebung verlassen. Die Entstehung der Immersionslithographie hat einen starken Einfluss auf die Fotomaskenanforderungen. Die üblicherweise verwendete abgeschwächte Phasenverschiebungsmaske ist empfindlicher gegenüber den höheren Einfallswinkeln, die bei der "hyper-na" -Lithographie aufgrund des längeren optischen Pfades durch den gemusterten Film angewendet werden.


Maskenmaterialien - Unterschied zwischen Quarz und Kalk-Natron-Glas:


Die gebräuchlichsten Glasarten zur Herstellung von Masken sind Quarz und Natronkalk. Quarz ist teurer, hat aber den Vorteil eines viel niedrigeren Wärmeausdehnungskoeffizienten (was bedeutet, dass es sich weniger ausdehnt, wenn die Maske während des Gebrauchs warm wird) und ist auch bei tieferen ultravioletten (duv) Wellenlängen transparent, wo Natronkalkglas opak ist. Quarz muss verwendet werden, wenn die zur Belichtung der Maske verwendete Wellenlänge kleiner oder gleich 365 nm (i-Linie) ist. Eine Photolithographiemaske ist eine opake Platte oder ein Film mit transparenten Bereichen, die das Licht in einem definierten Muster durchscheinen lassen. Sie werden häufig in photolithographischen Prozessen verwendet, werden aber auch in vielen anderen Anwendungen in einer Vielzahl von Industrien und Technologien eingesetzt. es existiert eine andere Art von Maske für verschiedene Anwendungen, nämlich basierend auf der benötigten Auflösung.


Für weitere Produktdetails kontaktieren Sie uns bitte unter luna@powerwaywafer.com oder powerwaymaterial@gmail.com.


1x Hauptmaske


1x Master-Maske Abmessungen und Substratmaterialien

Produkt

Maße

Substrat  Materialien

1x Meister

4 "x 4" x 0,060 "  oder 0,090 "

Quarz und Soda  Limette

5 "x 5" x 0,090 "

Quarz und Soda  Limette

6 "x 6" x 0,120 "  oder 0,250 "

Quarz und Soda  Limette

7 "x 7" x 0,120 "  oder 0,150 "

Quarz und Soda  Limette

7,25 "rund x  0,150 "

Quarz

9 "x9" x0,120 "oder  0,190 "

Quarz und Soda  Limette


Allgemeine Spezifikationen für 1x Mastermasken (Quarzmaterial)

CD-Größe

CD  Mittelwert zu nominal

CD-Einheitlichkeit

Anmeldung

Defektgröße

2,0 um

≤0,25 um

≤0,25 um

≤0,25 um

≥2,0 um

4.0 um

≤0,30 um

≤0,30 um

≤0,30 um

≥3,5 μm


gemeinsame Spezifikation für 1x Master-Masken (Kalk-Natron-Material)

CD-Größe

CD  Mittelwert zu nominal

CD-Einheitlichkeit

Anmeldung

Defektgröße

≤4 um

≤0,25 um

----

≤0,25 um

≥3,0 um

u003e 4 um

≤0,30 um

----

≤ 0,45 um

≥5,0 um


ut1x Maske


ut1x Maskenabmessungen und Substratmaterialien

Produkt

Maße

Substrat  Material

ut1x

3 "x 5" x 0,090 "

Quarz

5 "x 5" x 0,090 "

Quarz

6 "x6" x0,120 "oder  0,250 "

Quarz


Gemeinsame Spezifikationen für ut1x-Masken

CD-Größe

CD  Mittelwert zu nominal

CD-Einheitlichkeit

Anmeldung

Defektgröße

1,5 um

≤0,15 um

≤0,15 um

≤0,15 um

≥0,50 um

3,0 um

≤0,20 um

≤0,20 um

≤0,20 um

≥0,60 um

4.0 um

≤0,25 um

≤0,25 um

≤0,20 um

≥0,75 um


Standard Binärmasken


Standard Binärmaskenabmessungen und Substratmaterialien

Produkt

Maße

Substrat  Materialien

2x

6 "x 6" x 0,250 "

Quarz

2.5x

4x

5x

5 "x 5" x 0,090 "

Quarz

6 "x 6" x 0,250 "

Quarz

gemeinsame Spezifikationen für Standard-Binärmasken

CD-Größe

CD  Mittelwert zu nominal

CD-Einheitlichkeit

Anmeldung

Defektgröße

2,0 um

≤0,10 um

≤0,15 um

≤0,10 um

≥0,50 um

3,0 um

≤0,15 um

≤0,15 um

≤0,15 um

≥0,75 um

4.0 um

≤0,20 um

≤0,20 um

≤0,20 um

≥1,00 um


Mittelbereichs-Masken


mittlere Flächenmaskenabmessungen und Materialien

Produkt

Maße

Substrat  Materialien

1x

9 "x9" 0,120 "

Quarzsoda  Kalk (sowohl Chrom- als auch Eisenoxidabsorber verfügbar)

9 "x9" 0,190 "

Quarz


gemeinsame Spezifikationen für mittlere Masken (Quarzmaterial)

CD-Größe

CD  Mittelwert zu nominal

CD-Einheitlichkeit

Anmeldung

Defektgröße

0,50 um

≤0,20 um

----

≤0,15 um

≥1.50 μm


gemeinsame Spezifikationen für mittlere Masken (Kalk-Natron-Material)

CD-Größe

CD  Mittelwert zu nominal

CD-Einheitlichkeit

Anmeldung

Defektgröße

10 um

≤4,0 um

----

≤4,0 um

≥10 um

4 um

≤2,0 um

----

≤1,0 um

≥5 um

2,5 um

≤0,5 um

----

≤ 0,75 um

≥3 um

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Gegenstand : Fotomaske

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