der lineare Abstand über der Oberfläche einer kreisförmigen Scheibe, die das Scheibenzentrum enthält und keine Abflachungen oder andere periphere Treuebereiche ausschließt. Standard-Silizium-Wafer-Durchmesser sind: 25,4 mm (1 Zoll), 50,4 mm (2 Zoll), 76,2 mm (3 Zoll), 100 mm (4 Zoll), 125 mm (5 Zoll), 150 mm (6 Zoll), 200 mm (8 Zoll) und 300 mm (12 \"). die lineare Dimension über die Oberfläche eines Wafers. Die Messung erfolgt manuell mit aniszertifizierten digitalen Messschiebern auf jedem einzelnen Wafer.
dünn (Dicke hängt vom Scheibendurchmesser ab, ist aber typischerweise kleiner als 1 mm), kreisförmige Scheibe aus einkristallinem Halbleitermaterial, die aus dem Ingot eines Einkristallhalbleiters geschnitten ist; zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und integrierten Schaltungen; Waferdurchmesser können von 5 mm bis 300 mm reichen. gemessen mit ansi zerti fi zierten berührungslosen Werkzeugen in der Mitte jedes einzelnen Wafers.
lineare Abmessung des at gemessen mit aniszertifizierten digitalen Messschiebern auf einer Probe eines Wafers pro Ingot.
bezeichnet die Orientierung der Oberfläche eines Wafers in Bezug auf eine kristallographische Ebene innerhalb der Gitterstruktur. bei absichtlich \"off orientation\" geschnittenen wafern ist die schneidrichtung parallel zum primären bei, weg vom sekundären bei. gemessen mit einem Röntgengoniometer an einer Probe eines Wafers pro Ingot in der Mitte des Wafers.
in Wafern schneiden absichtlich \"aus der Orientierung\" der Winkel zwischen der Projektion des Normalenvektors auf die Wafer Oberfläche auf eine {0001} -Ebene und die Projektion auf dieser Ebene des nächsten \u0026 lt; 11-20 \u0026 gt; Richtung.
die Abflachung mit der längsten Länge auf dem Wafer, die so orientiert ist, dass die Sehne parallel zu einer bestimmten Kristallebene mit niedrigem Index ist; große Wohnung. das primäre at ist die {10-10} -Ebene mit der at-Fläche parallel zu der \u0026 lt; 11-20 \u0026 gt; Richtung.
die Länge der längsten Länge auf dem Wafer, so orientiert, dass die Sehne parallel zu einer bestimmten Kristallebene mit niedrigem Index ist. gemessen auf einem Wafer pro Barren mit Hilfe der Laue Back-Reection-Technik mit manueller Winkelmessung.
ein ofat mit einer kürzeren Länge als die primäre Orientierung at, dessen Position in Bezug auf die primäre Orientierung the die Oberfläche des Wafers identifiziert.
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