Zuhause / Dienstleistungen / Wissen / 2. Definition der dimensionalen Eigenschaften, Terminologie und Methoden von Siliciumcarbidwafern /

2-7.primäre flache Ausrichtung

2. Definition der dimensionalen Eigenschaften, Terminologie und Methoden von Siliciumcarbidwafern

2-7.primäre flache Ausrichtung

2018-01-08

die Länge der längsten Länge auf dem Wafer, so orientiert, dass die Sehne parallel zu einer bestimmten Kristallebene mit niedrigem Index ist. gemessen auf einem Wafer pro Barren mit Hilfe der Laue Back-Reection-Technik mit manueller Winkelmessung.

kontaktiere uns

wenn Sie ein Angebot oder mehr Informationen über unsere Produkte möchten, lassen Sie uns bitte eine Nachricht, wird Ihnen so schnell wie möglich antworten.