bezeichnet die Orientierung der Oberfläche eines Wafers in Bezug auf eine kristallographische Ebene innerhalb der Gitterstruktur.
bei absichtlich \"off orientation\" geschnittenen wafern ist die schneidrichtung parallel zum primären bei, weg vom sekundären bei.
gemessen mit einem Röntgengoniometer an einer Probe eines Wafers pro Ingot in der Mitte des Wafers.