Zuhause / Dienstleistungen / Wissen / 2. Definition der dimensionalen Eigenschaften, Terminologie und Methoden von Siliciumcarbidwafern
2. Definition der dimensionalen Eigenschaften, Terminologie und Methoden von Siliciumcarbidwafern
  • 2-1.wafer Durchmesser

    2018-01-08

    der lineare Abstand über der Oberfläche einer kreisförmigen Scheibe, die das Scheibenzentrum enthält und keine Abflachungen oder andere periphere Treuebereiche ausschließt. Standard-Silizium-Wafer-Durchmesser sind: 25,4 mm (1 Zoll), 50,4 mm (2 Zoll), 76,2 mm (3 Zoll), 100 mm (4 Zoll), 125 mm (5 Zoll), 150 mm (6 Zoll), 200 mm (8 Zoll) und 300 mm (12 \"). die lineare Dimension über die Oberfläche eines Wafers. Die Messung erfolgt manuell mit aniszertifizierten digitalen Messschiebern auf jedem einzelnen Wafer.

  • 2-2.Wafer Dicke, Mittelpunkt

    2018-01-08

    dünn (Dicke hängt vom Scheibendurchmesser ab, ist aber typischerweise kleiner als 1 mm), kreisförmige Scheibe aus einkristallinem Halbleitermaterial, die aus dem Ingot eines Einkristallhalbleiters geschnitten ist; zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und integrierten Schaltungen; Waferdurchmesser können von 5 mm bis 300 mm reichen. gemessen mit ansi zerti fi zierten berührungslosen Werkzeugen in der Mitte jedes einzelnen Wafers.

  • 2-3.wafer flache Länge

    2018-01-08

    lineare Abmessung des at gemessen mit aniszertifizierten digitalen Messschiebern auf einer Probe eines Wafers pro Ingot.

  • 2-4.Wafer Oberflächenausrichtung

    2018-01-08

    bezeichnet die Orientierung der Oberfläche eines Wafers in Bezug auf eine kristallographische Ebene innerhalb der Gitterstruktur. bei absichtlich \"off orientation\" geschnittenen wafern ist die schneidrichtung parallel zum primären  bei, weg vom sekundären  bei. gemessen mit einem Röntgengoniometer an einer Probe eines Wafers pro Ingot in der Mitte des Wafers.

  • 2-5.Misorientierung

    2018-01-08

    in Wafern schneiden absichtlich \"aus der Orientierung\" der Winkel zwischen der Projektion des Normalenvektors auf die Wafer Oberfläche auf eine {0001} -Ebene und die Projektion auf dieser Ebene des nächsten \u0026 lt; 11-20 \u0026 gt; Richtung.

  • 2-6.wafer primäre Wohnung

    2018-01-08

    die Abflachung mit der längsten Länge auf dem Wafer, die so orientiert ist, dass die Sehne parallel zu einer bestimmten Kristallebene mit niedrigem Index ist; große Wohnung. das primäre at ist die {10-10} -Ebene mit der at-Fläche parallel zu der \u0026 lt; 11-20 \u0026 gt; Richtung.

  • 2-7.primäre flache Ausrichtung

    2018-01-08

    die Länge der längsten Länge auf dem Wafer, so orientiert, dass die Sehne parallel zu einer bestimmten Kristallebene mit niedrigem Index ist. gemessen auf einem Wafer pro Barren mit Hilfe der Laue Back-Reection-Technik mit manueller Winkelmessung.

  • 2-8.sekundäre flache Ausrichtung

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    ein ofat mit einer kürzeren Länge als die primäre Orientierung at, dessen Position in Bezug auf die primäre Orientierung the die Oberfläche des Wafers identifiziert.

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