(Gamma wissenschaftliche / ledinside) es kann dann leicht programmiert werden, um praktisch jede beliebige spektrale Energieverteilung von sichtbarem Licht zu liefern, beispielsweise die Ausgabe von Schwarzkörperquellen und verschiedenen Standard-Lichtarten über einen weiten Bereich von Ausgangsleuchtdichte zu reproduzieren. Dies ermöglicht eine schnelle Automatisierung zur genauen Charakterisierung des dynamischen Bereichs, der Gleichmäßigkeit, der Linearität und der spektralen Empfindlichkeit des Detektors und erleichtert auch die Identifizierung von Pixeldefekten. Der flexible und wendige rs-7-4 bietet zahlreiche Vorteile gegenüber herkömmlichen Kalibrierlichtquellen für die Bildsensorprüfung wie z. B. Wolfram-Halogenglühlampen. zum Beispiel bietet der LED-basierte rs-7-4 eine wesentlich längere kalibrierte, stabile Lebensdauer als Wolframquellen, die über ihre relativ kurze Betriebslebensdauer hinweg notorisch instabil sind. Außerdem können die Farbtemperatur und die spektrale Leistungsverteilung des rs-7-4 durch Software-Steuerung schnell variiert werden, und die Ausgabe ist über den gesamten Ausgabebereich extrem linear. nichts davon gilt für Wolframlampen. Der rs-7-4 liefert auch eine bessere Leistung als vergleichbare LED-basierte Systeme. insbesondere verwendet es eine größere Anzahl von diskreten LED-Kanälen, um eine genauere Wiedergabe eines bestimmten Leuchtmittels zu ermöglichen. es verwendet auch eine hochstabilisierte Gleichstrom-Treiberstromschaltung statt einer Pulsbreitenmodulation (PWM), um die Ausgangsleuchtdichte zu variieren. Dies ist kritisch, wenn Hochgeschwindigkeits- Siliziumdetektoren getestet werden, die pwm-Signale leicht zeitaufgelöst auflösen können, was zu Messfehlern führt. Stichworte: Gamma Scientific, durchstimmbares LED-Licht, programmierbares Licht, Bildsensor-Test, Quelle: ledinside Für weitere Informationen besuchen Sie bitte unsere Website: http://www.semiconductorwafers.net, Senden Sie uns eine E-Mail an angel.ye@powerwaywafer.com oder powerwaymaterial@gmail.co m.
mittleres Infrarotlicht, dessen Wellenlänge länger ist als sichtbares Licht, aber kürzer als Mikrowellen, hat viele wichtige Anwendungen in Fernerkundungs- und Kommunikationstechnologien. Forscher in Japan haben den erfolgreichen Betrieb mehrerer neuer photonischer Komponenten demonstriert, die den Durchtritt von Licht im mittleren Infrarotbereich effektiv steuern können. Die Forschung könnte zu einem schnelleren Internet und sensitiven Detektoren für wichtige Moleküle wie Kohlendioxid führen. das team präsentiert ihre ergebnisse auf der glasfaser-kommunikationskonferenz und ausstellung (ofc), die vom 20. bis 24. märz in anaheim, kalifornien, usa stattfand. Die Forscher bauten die neuen Komponenten aus dem Material Germanium (ge). Ähnlich wie Silizium, das üblicherweise in der konventionellen Nahinfrarot-Photonik verwendet wird, ist Germanium ein Gruppe-IV-Halbleiter, was bedeutet, dass es sich in der gleichen Spalte des Periodensystems befindet und ähnliche elektrische Eigenschaften aufweist. Germanium hat mehrere Eigenschaften, die es besonders gut geeignet machen, Mittel-Infrarot-Licht zu übertragen und zu leiten, sagte Jian Kang, ein Ph.D. Kandidat in der Takagi-Takaka Gruppe in der Abteilung für Elektrotechnik und Informationssysteme, Universität Tokyo, Japan. Germanium hat eine hohe optische Transparenz im mittleren Infrarotbereich, so dass mittleres Infrarotlicht leicht hindurchtreten kann. Im Vergleich zu Silizium hat Germanium eine Reihe anderer optisch interessanter Eigenschaften. diese beinhalten einen höheren Brechungsindex, was bedeutet, dass Licht langsamer durch es hindurchgeht. Germanium hat auch eine größere Nichtlinearität dritter Ordnung, ein optischer Effekt, der zum Beispiel zur Verstärkung oder Selbstfokussierung von Lichtstrahlen genutzt werden kann. es hat einen stärkeren freien Träger-Effekt, was bedeutet, dass ladungstragende Elektronen und Löcher in dem Material dazu beitragen können, Licht zu modulieren. Germanium hat auch einen stärkeren thermooptischen Effekt als Silizium, was bedeutet, dass der Brechungsindex leichter mit der Temperatur gesteuert werden kann. \"Diese Eigenschaften könnten ge-basierte Geräte leistungsfähiger machen oder sogar neue Funktionen im mittleren Infrarotbereich realisieren\", sagt Kang. Darüber hinaus machen neuere Fortschritte bei Lasern aus gespannten und gesenbasierten Materialien Germanium zu einem vielversprechenden Material für die Integration sowohl der Lichterzeugungs- als auch der Lichtlenkkomponenten auf demselben photonischen Chip, so Kang. Kang und seine Kollegen entwarfen und testeten mehrere fundamentale photonische Wellenleiterkomponenten aus Germanium, darunter Gitterkoppler, mmi-Koppler und Mikroring-Resonatoren. Gitterkoppler werden verwendet, um Licht effizient vom freien Raum in einen Wellenleiter zu koppeln, und umgekehrt, mmi-Koppler werden als Router oder Koppler für die Lichtsignalverarbeitung im Wellenleiter verwendet, und Mikroringresonatoren werden verwendet, um be...
Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd, ein führender Anbieter von Inasp Layer und andere verwandte Produkte und Dienstleistungen angekündigt, die neue Verfügbarkeit der Größe 2 \"-4\" ist in der Massenproduktion im Jahr 2017. Dieses neue Produkt stellt eine natürliche Ergänzung zu pam-Xiamen Produktlinie. DR. Shaka, sagte, \"wir freuen uns, zu bieten Inasp Eine Schicht für unsere Kunden, darunter viele, die sich für das vergrabene Gitter von Distributed Feedback (dfb) Lasern besser und zuverlässiger entwickeln. unser Inasp Schicht hat ausgezeichnete Eigenschaften, die Größe der Inasp Schicht kann durch die Höhe der Welle kontrolliert werden, und die Arsenzusammensetzung in der Inasp Schicht kann durch die Asche / Sub 3 / Partialdruck gesteuert werden. Die Ergebnisse von tem, eds und pl zeigen, dass inp als die Pufferschicht zwischen den Inasp Schicht und mqw aktive Schicht. fabrizierte 1,3 / spl mu / m dfb Laser, die eine haben Inasp Schicht als ein absorbierendes Gitter hat einen niedrigen Schwellenstrom und eine hohe Steigungseffizienz von -40- + 85 / spl deg / c gezeigt, und es wurde eine hohe Zuverlässigkeit demonstriert. Durch die Verfügbarkeit werden Boule-Wachstum und Wafering-Prozesse verbessert. \"und\" unsere Kunden können nun von der erhöhten Geräteausbeute profitieren, die bei der Entwicklung fortschrittlicher Transistoren auf einem quadratischen Substrat erwartet wird. unser Inasp Die Schicht ist eine natürliche Folge unserer fortlaufenden Bemühungen. Derzeit widmen wir uns der kontinuierlichen Entwicklung zuverlässiger Produkte. \" Pam-Xiamen ist verbessert Inasp Produktlinie hat von starker Technologie profitiert. Unterstützung von nativen Universität und Laborzentrum. Jetzt zeigt es ein Beispiel wie folgt: \u0026 emsp; x / y Doping Träger Konz. [cm-3] Dicke [um] Wellenlänge [um] Gitterfehlanpassung Inas (y) p 0,25 keiner 5.00e + 16 1.0 - - in (x) Gaas 0.63 keiner 1.00e + 17 3.0 1.9 - 600 \u0026 lt; \u0026 gt; 600 Inas (y) p 0,25 s 1.00e + 18 2.5 - - Inas (y) p 0,05 \u0026 gt; 0,25 s 1.00e + 18 4.0 - - inp - s 1.00e + 18 0,25 - - über Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd. gefunden in 1990, xiamen powerway erweiterte material co., ltd (pam-xiamen) ist ein führender hersteller von verbindungshalbleiter material in china. pam-xiamen entwickelt fortschrittliche Kristallwachstums- und Epitaxietechnologien, Herstellungsprozesse, technische Substrate und Halbleiterbauelemente. Die pam-Xiamen-Technologien ermöglichen eine höhere Leistung und eine kostengünstigere Herstellung von Halbleiterwafern. Über Inasp Kristallwachstum und Materialcharakterisierung von Inasp Gespannte Quantenwannenstrukturen und ihre Anwendung bei 1,3 um-Lasern wurden hinsichtlich der Schwellenstromreduktion und des Hochtemperaturbetriebs untersucht. Die Schwankung der Schichtdicke, die durch die große elastische Dehnung verursacht wird, kann durch Verringern der Wachstumstemperatur beseitigt werden. obwohl erwartet wird, dass die Temperaturabhängigkeit de...
imec großflächige (70cm2) Epitaxiesolarzelle mit einem Wirkungsgrad von bis zu 16,3% auf hochwertigem Substrat. Imec-Wissenschaftler realisierten großflächige (70 cm2) Epitaxiesolarzellen mit Wirkungsgraden von bis zu 16,3% auf hochwertigen Substraten. Auf großflächigen, qualitativ minderwertigen Substraten konnten Wirkungsgrade von bis zu 14,7% erzielt werden, was das Potenzial von Dünnschicht-Epitaxie-Solarzellen für die industrielle Fertigung zeigt. Die Ergebnisse wurden im Rahmen des imic-Industrieprogramms für Silizium-Solarzellen (iiap) erzielt, das fortschrittliche Prozesstechnologien erforscht und entwickelt, die eine drastische Reduzierung des Siliziumeinsatzes anstreben und gleichzeitig die Effizienz der Zelle erhöhen und damit die Kosten pro Watt-Peak weiter senken. Neben Wafer-basierten Bulk-Silizium-Solarzellen zielt IMEC auf die Entwicklung von epitaktischen Dünnfilm (\u0026 lt; 20 \u0026 mgr; m) -Silizium-Solarzellen, die auf kostengünstigen Siliziumträgern innerhalb ihrer Silizium-Solarzelle aufgewachsen sind. Der epitaktische Dünnfilmprozess auf kostengünstigem Silizium Träger ist im Allgemeinen dem Massenprozess ähnlich, und der Epi-Prozess kann mit einer begrenzten Ausrüstungsinvestition in eine bestehende Fertigungslinie für kristalline Siliziumsolarzellen implementiert werden. Um die optische Begrenzung des Lichts im aktiven Teil der Zelle zu verbessern, wird ein vergrabener poröser Si-Reflektor entwickelt. Imec realisierte 20μm dicke epitaxiale Siliziumstapel hoher Qualität sowohl auf einem hochdotierten hochwertigen Substrat als auch auf einem kostengünstigen multikristallinen Si-Substrat. das p \u0026 spplus; -Typ-Rückseitenfeld (bsf), die p-Typ-Basis und der n-Typ-Vorderseitenemitter wurden durch chemische Dampfabscheidung gezüchtet. Das Lichtfallen-Schema besteht aus einer Plasma-Strukturierung der vorderen Oberfläche in Kombination mit einem internen porösen Silizium-Bragg-Reflektor, der an der Grenzfläche zwischen Epitaxie und Substrat angeordnet ist. Die Zellen auf dem Substrat hoher Qualität werden mit einer Kupferplattierung kontaktiert. für die Zellen, die auf den Substraten mit niedriger Qualität hergestellt werden, wird die Metallisierung mit Siebdruck durchgeführt, der der letzte Schritt nach der Bildung des diffundierten vorderen Oberflächenfeldes (fsf) und der Siliziumnitrid-Antireflexionsbeschichtung ist. Auf diese Weise sind die epitaktisch aufgewachsenen \"Waferäquivalent\" -Substrate vollständig kompatibel mit der industriellen Standard (Bulk) -Solarzellverarbeitung. \"Diese Effizienzen von bis zu 16,3% bei hochwertigen Substraten und von bis zu 14,7% bei Low-Cost-Substraten zeigen, dass industrielle Effizienzsteigerungen für diese Technologie erreichbar sind\", sagte Jef Poortmans, Director imec Energy / Solar Program. \"Durch die Implementierung kupferbasierter Kontaktschemata können wir die Effizienz weiter steigern, die epitaktische Dünnschicht-Siliziumsolarzellen auf kostengünstigen Wafern zu einer in...
Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd, ein führender Anbieter von Inp-Substrat und andere verwandte Produkte und Dienstleistungen angekündigt, die neue Verfügbarkeit der Größe 2-4 \"ist in der Massenproduktion im Jahr 2017. Dieses neue Produkt stellt eine natürliche Ergänzung zu pam-Xiamen Produktlinie. DR. Shaka, sagte, \"wir freuen uns, zu bieten Inp-Substrat zu unseren Kunden gehören viele, die sich für Faseroptik-Netzwerkkomponenten besser und zuverlässiger entwickeln. unser Inp-Substrat hat ausgezeichnete Eigenschaften, eine Reihe von Dotierungsexperimenten haben den effektiven Segregationskoeffizienten auf 1,6 × 10-3 für fe in inp bestimmt. halbisolierende Inp-Kristalle mit einem spezifischen Widerstand \u0026 gt; 10 ^ 7 Ohm-cm wurden konsistent aus mit 150 ppm Fe dotierten Schmelzen gezüchtet. Durch die Verfügbarkeit werden Boule-Wachstum und Wafering-Prozesse verbessert. \"und\" unsere Kunden können nun von der erhöhten Geräteausbeute profitieren, die bei der Entwicklung fortschrittlicher Transistoren auf einem quadratischen Substrat erwartet wird. unser Inp-Substrat sind natürliche Produkte unserer laufenden Bemühungen, derzeit widmen wir uns der kontinuierlichen Entwicklung zuverlässiger Produkte. \" Die verbesserte inp-Produktlinie von pam-xiamen profitiert von starker Technologie. Unterstützung von nativen Universität und Laborzentrum. Jetzt zeigt es ein Beispiel wie folgt: Artikel Spezifikation Einheit Wachstumsmethode lec - Leitfähigkeitstyp n - Dotierstoff si - Trägerdichte (1 ~ 6) x 10 18 cm -3 Mobilität 1200 ~ 2000 cm 2 ▪ v -1 ▪ sek -1 Widerstand (0,6 ~ 6) x 10 -3 Ω ▪ cm epd ≤500 cm -2 Orientierung (100) ± 0,2 Grad Dicke 350 ± 10 um ttv ≤ 2 um Bogen - um Oberfläche (Oberfläche) (zurück) spiegelpoliert (geätzt) spiegelpoliert (geätzt) individuelles n2 Gaspaket - Größe (Durchmesser) 50 ± 0,1 mm Orientierung flach ein) b) (0-1-1) ± 0,05 16 ± 2 Grad mm Idex flach ein) b) (0-11) ± 2 7 ± 2 Grad mm über Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd. gefunden in 1990, xiamen powerway erweiterte material co., ltd (pam-xiamen) ist ein führender hersteller von verbindungshalbleiter material in china. pam-xiamen entwickelt fortschrittliche Kristallwachstums- und Epitaxietechnologien, Herstellungsprozesse, technische Substrate und Halbleiterbauelemente. Die pam-Xiamen-Technologien ermöglichen eine höhere Leistung und eine kostengünstigere Herstellung von Halbleiterwafern. Über Inp-Substrat bulk polykristallines Inp (Indiumphosphid) wird aus den Elementen über einen Gradienten-Freeze-Prozess synthetisiert. Hall-Daten für einen typischen Boule sind nd-na = 4,7 × 10 15 / cm 3 und Μ 77 = 28 000 cm 2 / v-sec. Photolumineszenzdaten zeigen, dass Zink als Akzeptorverunreinigung in den polykristallinen inp- und in nominell undotierten Lec-Einkristallen vorliegt, die unter Verwendung des synthetisierten Inp als Ladungsmaterial gezüchtet wurden. Für weitere Informationen, besuchen Sie bitte unsere Website: h ttp: //http://www.semiconductorwafers.net ,...
Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd, ein führender Anbieter von Alge s Layer und andere verwandte Produkte und Dienstleistungen angekündigt, die neue Verfügbarkeit der Größe 2 \"-3\" ist in der Massenproduktion im Jahr 2017. Dieses neue Produkt stellt eine natürliche Ergänzung zu pam-Xiamen Produktlinie. DR. Shaka, sagte, \"wir freuen uns, zu bieten Algen Wir bieten unseren Kunden eine Reihe von Schichten, die für GaAs-basierte rot- und nahezu infrarot emittierende (700 nm-1100 nm) Doppelheterostruktur-Laserdioden besser und zuverlässiger sind. unser Algen Schicht hat ausgezeichnete Eigenschaften, es wird als ein Barrierenmaterial in Gaas-basierten Heterostrukturvorrichtungen verwendet. das Algen Schicht begrenzt die Elektronen zu einer Galliumarsenidregion. Ein Beispiel für eine solche Vorrichtung ist ein Quantenwell-Infrarot-Photodetektor (qwip). Durch die Verfügbarkeit werden Boule-Wachstum und Wafering-Prozesse verbessert. \"und\" unsere Kunden können nun von der erhöhten Geräteausbeute profitieren, die bei der Entwicklung fortschrittlicher Transistoren auf einem quadratischen Substrat erwartet wird. unser Algen Die Schicht ist eine natürliche Folge unserer fortlaufenden Bemühungen. Derzeit widmen wir uns der kontinuierlichen Entwicklung zuverlässiger Produkte. \" Pam-Xiamen ist verbessert Algen Produktlinie hat von starker Technologie profitiert. Unterstützung von nativen Universität und Laborzentrum. Jetzt zeigt es ein Beispiel wie folgt: 3 \"Algen / Gaas / Algen auf Gaas Substrat Dicke jeder Epitaxie 1μm Dotierungsdichte für die Gaas-Schicht 10 ^ 17-10 ^ 18 / cm3 al_xga_1-xas Stöchiometrie x ~ 0.3 über Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd. gefunden in 1990, xiamen powerway erweiterte material co., ltd (pam-xiamen) ist ein führender hersteller von verbindungshalbleiter material in china. pam-xiamen entwickelt fortschrittliche Kristallwachstums- und Epitaxietechnologien, Herstellungsprozesse, technische Substrate und Halbleiterbauelemente. Die pam-Xiamen-Technologien ermöglichen eine höhere Leistung und eine kostengünstigere Herstellung von Halbleiterwafern. Über Algen Aluminiumgalliumarsenid (auch Galliumaluminiumarsenid) (alxga1-xas) ist ein Halbleitermaterial mit nahezu der gleichen Gitterkonstante wie Gaas, aber einer größeren Bandlücke. Das x in der obigen Formel ist eine Zahl zwischen 0 und 1 - dies zeigt eine willkürliche Legierung zwischen Gaas und Ala an. Die Formel algaas sollte eher als eine abgekürzte Form des obigen betrachtet werden, als irgendein bestimmtes Verhältnis. Die Bandlücke variiert zwischen 1,42 eV (GaAs) und 2,16 eV (leider). für x \u0026 lt; 0,4, die Bandlücke ist direkt. der Brechungsindex steht mit der Bandlücke über die kramers-kronig-Beziehungen in Beziehung und variiert zwischen 2,9 (x = 1) und 3,5 (x = 0). Dies ermöglicht die Konstruktion von Bragg-Spiegeln, die in VcSeln und RCLs verwendet werden. q & a q: Ich suche nach GaAs-Wafern mit einem kundenspezifischen Epischichtstapel aus Algen / Gaas ...
SÜSS microtec, ein globaler Anbieter von Anlagen- und Prozesslösungen für die Halbleiterindustrie und verwandte Märkte, hat die li-Serie lanciert - eine neue Oberflächen-Laser-Imaging-Plattform, wie angekündigt am 4. Mai 2016. Die vielseitige Technologie der Laser-Oberflächenbearbeitung reicht von der submikrometrischen Strukturierung von Resist-beschichteten Substraten bis hin zur Mikroablation, Photochemie und Messtechnik. Die durch einen CAD-Prozess definierten Muster werden übertragen, indem die Zielsubstrate unter einem fokussierten und scannenden Laserstrahl präzise bewegt werden. Darüber hinaus ist die Laser-Imager-Konfiguration in hohem Maße anpassbar, um den spezifischen Anforderungen jedes Benutzers gerecht zu werden. Die Technologie unterstützt Substratgrößen von kleinen Teilen bis zu 300 mm und erreicht eine Auflösung von bis zu 0,8 μm. Eine mehrschichtige Ausrichtung ist sowohl über optische Systeme auf der oberen als auch auf der unteren Seite möglich. Neben dem 405-nm-Gan-Laser für Standard-Dünn-Resist-Lithographieprozesse kann auch eine zweite Laserquelle hinzugefügt werden, um zusätzlich diverse Prozesse, wie zum Beispiel dicke Resists wie su8 und infrarotempfindliche Materialien, zu adressieren. Der Hauptvorteil des Laser Imagers ist seine Flexibilität, die ihn für die verschiedenen Anforderungen von akademischen und industriellen Forschungs- und Entwicklungseinrichtungen geeignet macht. Zu den Hauptanwendungsbereichen gehören eine Vielzahl von Nano- und 3D-Strukturen für die hochauflösende Waferlithographie, mikrooptische Komponenten, Sensoren, mikrofluidische Geräte und die Herstellung von Fotomasken. \"Mit der Oberflächenlaser-Imaging-Plattform fügen wir unserem Produktportfolio ein Werkzeug hinzu, das unser bestehendes Belichtungsgeräte-Set zu höheren Auflösungsanforderungen für Spitzenanwendungen erweitert\", sagt Dr. per-ove hansson, geschäftsführer der suss microtec ag. \"Mit dieser Ergänzung bauen wir unsere Führungsposition weiter aus und bieten die umfassendste Palette von Produkten und Technologien für den Lithografie-Markt.\" Schlüsselwörter: suss microtec gan Laser-Laser-Imager Quelle: ledinside Für weitere Informationen besuchen Sie bitte unsere Website: http://www.semiconductorwafers.net , Senden Sie uns eine E-Mail an angel.ye@powerwaywafer.com oder powerwaymaterial@gmail.com .
xiamen powerway advanced material co., ltd., ein führender lieferant von lt-gaas und anderen verwandten produkten und dienstleistungen gab bekannt, dass die neue verfügbarkeit der größe 2 \"-3\" 2017 in der massenproduktion ist. dieses neue produkt stellt eine natürliche ergänzung zu pam dar -xiamens Produktlinie. DR. Shaka sagte: \"Wir freuen uns, unseren Kunden lt-Gaas Epi-Layer anbieten zu können, einschließlich vieler, die für Lasergeräte besser und zuverlässiger entwickeln. Unsere lt-Gaas Epi-Schicht hat ausgezeichnete Eigenschaften, GaAs-Filme mit Niedertemperatur Gaas (lt-Gaas) -Schichten wurden durch Molekularstrahlepitaxie (mbe) auf vicinalen Si-Substraten, die 6 ° nach [110] ausgerichtet waren, gezüchtet. Die gewachsenen Strukturen unterschieden sich durch die Dicke der Schichten und ihre Anordnung im Film. Untersuchungen o f Die kristallinen Eigenschaften der gezüchteten Strukturen wurden mit den Methoden der Röntgenbeugung (xrd) und Transmissionselektronenmikroskopie (tem) durchgeführt. Durch die Verfügbarkeit werden Boule-Wachstum und Wafering-Prozesse verbessert. \"und\" unsere Kunden können nun von der erhöhten Geräteausbeute profitieren, die bei der Entwicklung fortschrittlicher Transistoren auf einem quadratischen Substrat erwartet wird. Unsere lt-Gaas-Epi-Schicht ist ein natürlicher Bestandteil unserer laufenden Bemühungen. Zurzeit arbeiten wir daran, immer zuverlässigere Produkte zu entwickeln. \" pam-xiamens verbesserte lt-Gaas-Produktlinie hat von starker Technologie profitiert. Unterstützung von nativen Universität und Laborzentrum. Jetzt zeigt es ein Beispiel wie folgt: 2 \"lt-Gaas-Wafer-Spezifikation Durchmesser (mm) 50,8 mm ± 1 mm Dicke 1-2um Marco-Defektdichte ≤ 5 cm-2 spezifischer Widerstand (300k) \u0026 gt; 10 ^ 8 Ohm-cm Trägerlebensdauer \u0026 lt; 15ps oder \u0026 lt; 1ps Versetzungsdichte \u0026 lt; 1 × 10 ^ 6 cm \u0026 ndash; 2 nutzbare Oberfläche≥80% Polieren: einseitig poliert Substrat: Gaas-Substrat über Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd. gefunden in 1990, xiamen powerway erweiterte material co., ltd (pam-xiamen) ist ein führender hersteller von verbindungshalbleiter material in china. pam-xiamen entwickelt fortschrittliche Kristallwachstums- und Epitaxietechnologien, Herstellungsprozesse, technische Substrate und Halbleiterbauelemente. Die pam-Xiamen-Technologien ermöglichen eine höhere Leistung und eine kostengünstigere Herstellung von Halbleiterwafern. über lt-Gaas Tieftemperatur-GaAs ist aus der Literatur bekannt [13,14] hat eine Gitterkonstante, die größer ist als die Gitterkonstante von Hochtemperatur-GaAs. dies ist auf die Adsorption von Überschuß wie bei niedrigen Temperaturen zurückzuführen. An der Grenzfläche von lt-Gaas / Gaas treten aufgrund der unterschiedlichen Gitterparameter Spannungen auf. Um die akkumulierte Spannung zu reduzieren, ist das Vorhandensein von Fehlstellenversetzungen, die in der Grenzfläche liegen, erforderlich. Der profitabelste Weg zur Bildung solcher Fehlanpassungsver...
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