Kredit: cc0 Public Domain Eine Entdeckung von zwei Wissenschaftlern des nationalen Forschungslabors für erneuerbare Energien (nrel) der Energieabteilung könnte die Entwicklung von Halbleiterbauelementen der nächsten Generation unterstützen. Die Forscher, Kwangwook Park und Kirstin Alberi, experimentierten mit der Integration von zwei unterschiedlichen Halbleitern in eine Heterostruktur, indem sie Licht verwendeten, um die Grenzfläche zwischen ihnen zu modifizieren. typischerweise werden die Halbleitermaterialien, die in elektronischen Vorrichtungen verwendet werden, auf der Grundlage solcher Faktoren ausgewählt, die eine ähnliche Kristallstruktur, Gitterkonstante und Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweisen. Die enge Übereinstimmung schafft eine makellose Schnittstelle zwischen den Ebenen und führt zu einem leistungsstarken Gerät. Die Fähigkeit, verschiedene Klassen von Halbleitern zu verwenden, könnte zusätzliche Möglichkeiten zum Entwurf neuer, hocheffizienter Vorrichtungen schaffen, aber nur, wenn die Schnittstellen zwischen ihnen richtig gebildet werden können. park und alberi eine entdeckung durch zwei wissenschaftler im nationalen renewable energy labor (nrel) der energy department könnte dazu beitragen, dass ultraviolettes (uv) licht, das direkt auf die halbleiteroberfläche während des heterostrukturwachstums aufgebracht wird, die schnittstelle zwischen zwei schichten verändern kann. ihr Aufsatz \"Anpassung heterogener Grenzflächen mit Licht\" erscheint in wissenschaftlichen Berichten. \"Der wahre Wert dieser Arbeit besteht darin, dass wir jetzt verstehen, wie Licht die Grenzflächenbildung beeinflusst, was Forscher dazu führen kann, eine Vielzahl unterschiedlicher Halbleiter in Zukunft zu integrieren\", sagte Park. Die Forscher untersuchten diesen Ansatz in einem Modellsystem, das aus einer Schicht Zinkselenid (Znse) besteht, die auf einer Schicht aus Galliumarsenid (Gaas) wächst. Unter Verwendung einer 150 Watt Xenonlampe zur Beleuchtung der Wachstumsoberfläche bestimmten sie die Mechanismen der lichtstimulierten Grenzflächenbildung durch Variation der Lichtintensität und der Grenzflächeninitiationsbedingungen. Park und Alberi stellten fest, dass das UV-Licht die Mischung chemischer Bindungen an der Grenzfläche durch photoinduzierte Desorption von Arsenatomen auf der Gaas-Oberfläche veränderte, was zu einem höheren Prozentsatz an Bindungen zwischen Gallium und Selen führte und die darunterliegende Gaas-Schicht passivierte. die Beleuchtung ermöglichte auch, dass die Znse bei niedrigeren Temperaturen gezüchtet wurde, um die elementare Durchmischung an der Grenzfläche besser zu regulieren. Die Wissenschaftler von nrel schlugen vor, dass eine sorgfältige Anwendung der UV-Beleuchtung verwendet werden könnte, um die optischen Eigenschaften beider Schichten zu verbessern. weiter erforschen: Wissenschaftler erstellen ultradünne Halbleiterheterostrukturen für neue Technologien Weitere Informationen: kwangwook park et al.tailoring heterovalent inter...
abstrakt Ein secco-Ätzmittel wird üblicherweise zur Abgrenzung von Strömungsmusterdefekten (fpds) in schwach dotierten czochralski (cz) -Siliziumwafern verwendet. Jedoch können die fpds in stark dotierten p-Typ-Siliziumwafern nicht gut durch ein secco-Ätzmittel abgegrenzt werden. hierin wurde ein Ätzmittel auf der Basis des cro3hfh2o-Systems mit einem optimierten Volumenverhältnis von v (cro3): v (hf) = 2: 3, wobei die Konzentration von cro3 0,25-0,35 m ist, zur Abgrenzung entwickelt von Fpds mit gut definierten Morphologien für die stark mit Bor (b) dotierten p-Typ-Siliziumwafer. Schlüsselwörter: stark dotiertes p-Typ-Silizium, Strömungsmusterdefekte, Abgrenzung, bevorzugtes Ätzen Quelle: sciencedirect Für weitere Informationen besuchen Sie bitte unsere Website: http://www.semiconductorwafers.net , Senden Sie uns eine E-Mail an angel.ye@powerwaywafer.com oder powerwaymaterial@gmail.com .
Bildunterschrift: Interdigitalisierte Rückkontakt-Silizium-Solarzellen mit einem Wirkungsgrad von über 23% Imec hat zusammen mit seinen Photovoltaik-Partnern aus der Photovoltaikindustrie, schott solar, total, photovoltech, gdf-suez, soland solar, kaneka und dow corning, eine exzellente Konversionseffizienz von 23,3% auf Interdigital Back-Contact (ibc) Siliziumsolarzellen demonstriert. Interdigitalrückkontakte werden eingeführt, um die Umwandlungseffizienz von kristallinen Siliziumsolarzellen zu erhöhen und eine weitere Verringerung der Zellendicke, eine Vereinfachung der Modulherstellung und eine verbesserte Ästhetik der fertigen Solarzellenmodule zu ermöglichen. imec hat einen hocheffizienten baseline-prozess für kleinflächige ibc-zellen entwickelt, der im rahmen seines industriepartnerschaftsprogramms für mehrteilige silizium-solarzellen entwickelt wurde, um den Wirkungsgrad deutlich über 20% zu steigern und die Kosten für silizium-solarzellen über den derzeitigen Stand hinaus zu senken -die Kunst. Hauptaspekte der neu entwickelten kleinflächigen (2 × 2 cm2) ibc si-Solarzellen sind die n-Basis-Floatzonen (fz) -Siliziumsubstrate, eine zufällige Pyramidentextur, ein bordiffundierter Emitter, phosphordiffundierte Front- und Rückseite Oberflächenfelder, ein thermisch gewachsenes Siliziumdioxid zur Oberflächenpassivierung, eine sin-einlagige Antireflexbeschichtung, Lithographie-basierte Strukturierung und Aluminiummetallisierung. die realisierten ibc-zellen erreichen eine benannte flächenumwandlungseffizienz von 23,3% (jsc = 41,6 ma, voc = 696 mv, ff = 80,4%), zertifiziert von ise-callabs. Jef Poortmans, Leiter des Photovoltaik-Forschungs- und Entwicklungsprogramms von imec: \"Wir freuen uns, diese hervorragenden Effizienzergebnisse auf ibc-Silizium-Solarzellen zu demonstrieren. Sie belegen die Relevanz der ibc-Technologie für unsere Industriepartner. so hohe effizienzen auf kleinflächigen ibc-silizium-solarzellen sind eine perfekte basis für die weitere entwicklung einer großflächigen und industrietauglichen ibc-zelltechnologie bei imec. \" \"Wir freuen uns sehr über dieses neue Ergebnis als Partner für die Silizium-Photovoltaik-Industrie von imec. martin heming, ceo von schott solar. Der deutsche Solarhersteller war der erste Industriepartner, der sich dem Programm der IMEC für Silizium-Solarzellen anschloss. \"Das Testergebnis bestätigt unser Vertrauen in die hervorragenden Fähigkeiten und Visionen von imec, die es uns ermöglichen, wichtiges Know-how und ip als Basis für unsere Solarzellenprodukte der nächsten Generation zu erwerben.\" Quelle: Phys Für weitere Informationen besuchen Sie bitte unsere Website: http://www.semiconductorwafers.net , Senden Sie uns eine E-Mail an angel.ye@powerwaywafer.com oder powerwaymaterial@gmail.com .
ames laboratory paul canfield entnimmt eine Probe aus einem Flussmittelofen. Kredit: Ames Labor w Bei der Herstellung neuer Materialien spielen Einkristalle eine wichtige Rolle, um ein klareres Bild der intrinsischen Eigenschaften eines Materials zu erhalten. Ein typisches Material besteht aus vielen kleineren Kristallen, und die Korngrenzen zwischen diesen Kristallen können als Hindernisse wirken und Eigenschaften wie elektrische oder thermische Beständigkeit beeinflussen. \"Diese Grenzen können tiefgreifende Auswirkungen haben, sowohl gute als auch schlechte\", sagte ames Labor Materialwissenschaftler und stellvertretender Direktor tom lograsso. \"Im Allgemeinen hat ein Material, das kleinere und kleinere Kristalle aufweist, tatsächlich verbesserte mechanische Eigenschaften.\" eine Ausnahme von dieser Regel ist, dass kleine Kristalle bei hoher Temperatur, relativ zum Schmelzpunkt, dazu neigen können, aneinander vorbei zu gleiten, eine Eigenschaft, die Kriechen genannt wird. Aus diesem Grund werden Turbinenschaufeln in einigen Strahltriebwerken oder Generatoren tatsächlich aus Einkristallen einer Nickelbasislegierung gebildet. Einige andere alltägliche Anwendungen mit Einkristallen sind Halbleiter, Detektoren wie Infrarot- oder Strahlungssensoren und Laser. \"Die aktive komponente in einem laser ist ein einkristall\", sagte lograsso, der auch a iowa staat universität april professor der materialwissenschaft und technik, \"weil die kristallkorngrenzen streuen das licht.\" Aus der Sicht der Forschung möchten Wissenschaftler, besonders wenn sie ein neues Material erstellen, möglichst viele Variablen entfernen, um die Eigenschaften eines Materials am besten zu verstehen. Ein primärer Weg dazu ist, mit möglichst reinen Rohstoffen zu beginnen und das Material als Einkristall zu produzieren. \"Sie wollen keine Defekte in der Kristallstruktur, und Sie wollen keine Verunreinigungen, die eine Quelle zusätzlicher Keimbildung sein können\", sagte lograsso. \"Neue Materialien können neue Physik haben, und wir können bestimmen, was diese sind, wenn wir Messungen an einer sauberen, ursprünglichen Probe (d. H. Einkristall) vornehmen. Und wenn wir das konsequent tun, können wir Vergleiche mit anderen Materialien anstellen und sehen, wie sie in unser Verständnis bestimmter Verhaltensweisen passen. \" Ames-Labor-Wissenschaftler verwenden eine Reihe von Techniken, um Einkristalle zu züchten, von denen jeder zur Herstellung von Kristallen aus verschiedenen Arten von Materialien geeignet ist. die Grundvoraussetzung ist jedoch die gleiche Übersättigung einer Lösung, dann Ausfällung des Kristalls. \"Als Kinder sind wir vertraut mit der Zugabe von Steinsalz oder Zucker zu heißem Wasser, bis Sie die Flüssigkeit übersättigen\", sagte Lograsso. \"Dann, wenn das Wasser abkühlt und schließlich zu verdampfen beginnt, bilden sich Kristalle aus Salz oder Zucker und wachsen dann. \"Sie können das gleiche mit etwa zwei beliebigen Materialien machen, indem Sie eins als Lösungsmitt...
Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd, ein führender Anbieter von ingap und andere verwandte Produkte und Dienstleistungen kündigte die neue Verfügbarkeit der Größe 3 \"ist in der Massenproduktion im Jahr 2017. Dieses neue Produkt stellt eine natürliche Ergänzung zu pam-Xiamen Produktlinie. DR. Shaka, sagte, \"wir freuen uns, zu bieten ingap Englisch: www.dlr.de/en/DesktopDefault.aspx/t...mage.1.3575/ Wir bieten unseren Kunden viele Schichten, die sich sowohl für hmt - und hbt - Strukturen als auch für die Herstellung von hocheffizienten Solarzellen für Weltraumanwendungen besser und zuverlässiger entwickeln. unser ingap Schicht hat ausgezeichnete Eigenschaften, ga0.5in0.5p wird als die Hochenergieverbindung auf photovoltaischen Zellen der doppelten und triple-Kreuzung verwendet, die auf Gaas gewachsen werden. Durch die Verfügbarkeit werden Boule-Wachstum und Wafering-Prozesse verbessert. \"und\" unsere Kunden können nun von der erhöhten Geräteausbeute profitieren, die bei der Entwicklung fortschrittlicher Transistoren auf einem quadratischen Substrat erwartet wird. unser ingap Die Schicht ist eine natürliche Folge unserer fortlaufenden Bemühungen. Derzeit widmen wir uns der kontinuierlichen Entwicklung zuverlässiger Produkte. \" Pam-Xiamen ist verbessert ingap Produktlinie hat von starker Technologie profitiert. Unterstützung von nativen Universität und Laborzentrum. Jetzt zeigt es 2 Beispiele wie folgt: Ebenenname Dicke (nm) Doping Bemerkungen in0.49ga0.51p 400 undotiert Gaas-Substrat (100) 2 \" undotiert oder n-dotiert Ebenenname Dicke (nm) Doping Bemerkungen in0.49ga0.51p 50 undotiert in0.49al0.51p 250 undotiert in0.49ga0.51p 50 undotiert Gaas-Substrat (100) 2 \" undotiert oder n-dotiert über Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd. gefunden in 1990, xiamen powerway erweiterte material co., ltd (pam-xiamen) ist ein führender hersteller von verbindungshalbleiter material in china. pam-xiamen entwickelt fortschrittliche Kristallwachstums- und Epitaxietechnologien, Herstellungsprozesse, technische Substrate und Halbleiterbauelemente. Die pam-Xiamen-Technologien ermöglichen eine höhere Leistung und eine kostengünstigere Herstellung von Halbleiterwafern. Über ingap Indiumgalliumphosphid ( ingap ), auch Galliumindiumphosphid (gainp) genannt, ist ein Halbleiter aus Indium, Gallium und Phosphor. es wird in der Hochleistungs- und Hochfrequenzelektronik aufgrund seiner überlegenen Elektronengeschwindigkeit in Bezug auf die üblicheren Halbleiter Silizium und Galliumarsenid verwendet. es wird hauptsächlich in hmt- und hbt-strukturen verwendet, aber auch für die herstellung von hocheffizienten solarzellen für raumanwendungen und in kombination mit aluminium (algainp-legierung) zur herstellung von hochhelligkeits-leds mit orange-rot, orange, gelb und grün Farben. Einige Halbleiterbauelemente, wie z. B. der efluor-nanokristall, nutzen ingap als Kernpartikel. Indiumgalliumphosphid ist eine feste Lösung von Indiumphosphid und Galliumphosphid. ga0.5in0...
Graphen, das aus einer einzigen Kohlenstoffschicht besteht, kann mit der schnellsten Geschwindigkeit jedes bekannten makroskopischen Objekts gesponnen werden. Bildnachweis: Wikimedia Commons. Eine enge Zusammenarbeit mit der Universität von Maryland und der University of Texas hat berechnet, wie elektrostatische Wechselwirkungen zwischen Elektronen in verschiedenen Schichten von Graphen mit wenigen Schichten die Eigenschaften der obersten Schicht beeinflussen [1]. Seit Graphen im Jahr 2004 erstmals aus Graphit gewonnen wurde, stand es im Mittelpunkt bemerkenswerter wissenschaftlicher Fortschritte und technologischer Entwicklungen. Ein besonders vielversprechendes Material ist Graphen, das auf der Oberfläche von Siliziumkristallen durch Sublimation von Si aus dem Substrat wächst, das typischerweise in Graphenschichten mit wenigen Schichten wächst. Im Gegensatz zu Graphitkristallen werden diese Schichten gegeneinander gedreht, so dass die Atome nicht aneinander liegen. Diese Rotation hat überraschende Konsequenzen, wie sie kürzlich in der Rastertunnelmikroskopie am cnst gefunden wurden [2]. In hohen Magnetfeldern und bei niedrigen Temperaturen verhält sich die oberste Schicht in vielerlei Hinsicht wie eine isolierte Graphenfolie, aber eine Schicht, in der Ladung auf die anderen Schichten übertragen werden könnte. die Messungen zeigten auch, dass die gemessenen Spektren bei den höchsten Feldern in der Studie eine Lücke aufwiesen, die nicht durch eine einfache Einzelpartikelbeschreibung des Systems erklärt werden konnte; Elektronen in der oberen Schicht wechselten mit anderen Elektronen, entweder in der gleichen Schicht oder in den anderen Schichten. Die neuesten Berechnungen, die verschiedene Aspekte der experimentellen Daten erklären, zeigen, wie Elektronen zwischen Schichten übertragen werden und wie unter den richtigen Bedingungen ein \"korrelierter Zustand\" zwischen den Elektronen in der oberen Schicht und anderen Schichten entstehen kann. Während zusätzliche experimentelle und theoretische Forschung benötigt wird, um diese Erklärung zu bestätigen, zeigt diese Arbeit die Vielfalt an interessanten Phänomenen, die entstehen, wenn die Schichten des wissenschaftlichen Puzzles von Graphen abgelöst werden. Quelle: Phys Für weitere Informationen besuchen Sie bitte unsere Website: http://www.semiconductorwafers.net , s Beenden Sie uns per E-Mail an angel.ye@powerwaywafer.com oder powerwaymaterial@gmail.com .
Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd, ein führender Anbieter von Algap und andere verwandte Produkte und Dienstleistungen angekündigt, die neue Verfügbarkeit der Größe 2 \"ist in der Massenproduktion im Jahr 2017. Dieses neue Produkt stellt eine natürliche Ergänzung zu pam-Xiamen Produktlinie. DR. Shaka, sagte, \"wir freuen uns, zu bieten Algap zu unseren Kunden zählen viele, die sich für eine Plattform für optische Lichtkommunikation, insbesondere einen luftüberbrückten Wellenleiter, besser und zuverlässiger entwickeln. unser Algap Schicht hat ausgezeichnete Eigenschaften, ein kristalliner Feststoff, der als Halbleiter und in photooptischen Anwendungen verwendet wird. american elements produziert zu vielen standard-graden wenn anwendbar, einschließlich mil spec (militärklasse); acs, Reagenz und technische Qualität; Lebensmittel, landwirtschaftliche und pharmazeutische Qualität; Optical Grade, USP und EP / BP (Europäische Pharmakopöe / British Pharmacopoeia) und folgt geltenden ASTM Test Standards. typische und benutzerdefinierte Verpackung ist verfügbar. Zusätzliche Informationen zu Technik, Forschung und Sicherheit (msds) sowie ein Referenzrechner zur Konvertierung relevanter Maßeinheiten sind verfügbar. Durch die Verfügbarkeit werden Boule-Wachstum und Wafering-Prozesse verbessert. \"und\" unsere Kunden können nun von der erhöhten Geräteausbeute profitieren, die bei der Entwicklung fortschrittlicher Transistoren auf einem quadratischen Substrat erwartet wird. unser Algap Die Schicht ist eine natürliche Folge unserer fortlaufenden Bemühungen. Derzeit widmen wir uns der kontinuierlichen Entwicklung zuverlässiger Produkte. \" Pam-Xiamen ist verbessert Algap Produktlinie hat von starker Technologie profitiert. Unterstützung von nativen Universität und Laborzentrum. Jetzt zeigt es ein Beispiel wie folgt: über Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd. gefunden in 1990, xiamen powerway erweiterte material co., ltd (pam-xiamen) ist ein führender hersteller von verbindungshalbleiter material in china. pam-xiamen entwickelt fortschrittliche Kristallwachstums- und Epitaxietechnologien, Herstellungsprozesse, technische Substrate und Halbleiterbauelemente. Die pam-Xiamen-Technologien ermöglichen eine höhere Leistung und eine kostengünstigere Herstellung von Halbleiterwafern. Über Algap Aluminiumgalliumphosphid (al, ga) p, ein Phosphid von Aluminium und Gallium, ist ein Halbleitermaterial. es ist eine Legierung aus Aluminiumphosphid und Galliumphosphid. es wird zur Herstellung von Leuchtdioden verwendet, die grünes Licht emittieren. q & a q: Können Sie Epi-Wafer wie folgt liefern? Wafer-Größe: 2 Zoll die unten Struktur wird als eine Plattform für die optische Lichtkommunikation, speziell ein Luft-Brücken-Wellenleiter verwendet werden. Die Dickentoleranz jeder Schicht ist wie folgt: Deckschicht, Opferschicht: Dicke ist nicht wichtig. die angegebene Anzahl (50 nm, 1000 nm) ist nur eine Mindestanforderung, damit die Schichten ihre Rollen erfüllen könne...
Schema des elektrisch gepumpten Quantenpunkt-Mikroringlasers. Kredit: Abteilung für Elektronik und Computertechnik, hkust Vor einigen Jahrzehnten hat das Mooresche Gesetz vorausgesagt, dass sich die Anzahl der Transistoren in einem dichten integrierten Schaltkreis ungefähr alle zwei Jahre verdoppelt. Diese Vorhersage hat sich in den letzten Jahrzehnten als richtig erwiesen, und die Suche nach immer kleineren und effizienteren Halbleiterbauelementen war eine treibende Kraft für Durchbrüche in der Technologie. mit einem anhaltenden und zunehmenden bedarf an miniaturisierung und großflächiger integration von photonischen komponenten auf der siliziumplattform für die datenkommunikation und aufkommende anwendungen im bedenken hat eine gruppe von forschern der hongkong universität für wissenschaft und technologie und der universität von california, santa barbara, erfolgreich in einer aktuellen Studie erfolgreich Rekord-kleine elektrisch gepumpte Mikro-Laser epitaktisch auf Industrie-Standard (001) -Siliciumsubstraten gezüchtet. eine Submilliamp-Schwelle von 0,6 mA, die im nahen Infrarotbereich (1,3 \u0026 mgr; m) emittiert, wurde für einen Mikrolaser mit einem Radius von 5 \u0026 mgr; m erreicht. Die Schwellen und Fußabdrücke sind Größenordnungen kleiner als die zuvor berichteten Laser, die epitaktisch auf Si gewachsen sind. Ihre Ergebnisse wurden im August in der renommierten Zeitschrift optica veröffentlicht \"Wir demonstrierten die kleinsten Strominjektions-qd-Laser, die direkt auf Industriestandard- (001) -Silizium mit niedrigem Stromverbrauch und hoher Temperaturstabilität gezüchtet wurden\", sagte Kei mai lau, Reißzahnprofessor für Maschinenbau und Lehrstuhlprofessor der Abteilung für Elektronik & Computertechnik bei hkust. \"Die Realisierung von Hochleistungs-Mikronen-Lasern, die direkt auf Si aufgewachsen sind, ist ein wichtiger Schritt zur Nutzung der direkten iii-v / si-Epitaxie als alternative Option zu Wafer-Bonding-Techniken als On-Chip-Siliziumlichtquellen mit geringer Integration Energieverbrauch.\" Die beiden Gruppen haben zusammengearbeitet und bereits zuvor CW-Optiken entwickelt, die bei Raumtemperatur betrieben wurden und epitaktisch auf Silizium aufgewachsen wurden, ohne dass eine Germanium-Pufferschicht oder ein Substratfehlschnitt erforderlich war. dieses Mal zeigten sie kleine elektrische pumpte qd-Laser, die epitaktisch auf Silizium gewachsen waren. \"Die elektrische Injektion von Mikrolasern ist eine viel schwierigere und entmutigendere Aufgabe: Erstens ist die Elektrodenmetallisierung durch den Hohlraum in Mikrogröße begrenzt, was den Gerätewiderstand und die thermische Impedanz erhöhen kann; Zweitens ist der Whispering Gallery Mode (wgm) empfindlich auf jede Prozessunvollkommenheit, die den optischen Verlust erhöhen kann \", sagte Yating Wan, ein promovierter Doktor der Physik und heute Postdoc in der Optoelektronik-Forschungsgruppe von UCSB. \"Als eine vielversprechende Integrationsplattform benötigt die Silizium-Photonik On...
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