Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd, ein führender Anbieter von Alge s Layer und andere verwandte Produkte und Dienstleistungen angekündigt, die neue Verfügbarkeit der Größe 2 \"-3\" ist in der Massenproduktion im Jahr 2017. Dieses neue Produkt stellt eine natürliche Ergänzung zu pam-Xiamen Produktlinie.

DR. Shaka, sagte, \"wir freuen uns, zu bieten Algen Wir bieten unseren Kunden eine Reihe von Schichten, die für GaAs-basierte rot- und nahezu infrarot emittierende (700 nm-1100 nm) Doppelheterostruktur-Laserdioden besser und zuverlässiger sind. unser Algen Schicht hat ausgezeichnete Eigenschaften, es wird als ein Barrierenmaterial in Gaas-basierten Heterostrukturvorrichtungen verwendet. das Algen Schicht begrenzt die Elektronen zu einer Galliumarsenidregion. Ein Beispiel für eine solche Vorrichtung ist ein Quantenwell-Infrarot-Photodetektor (qwip). Durch die Verfügbarkeit werden Boule-Wachstum und Wafering-Prozesse verbessert. \"und\" unsere Kunden können nun von der erhöhten Geräteausbeute profitieren, die bei der Entwicklung fortschrittlicher Transistoren auf einem quadratischen Substrat erwartet wird. unser Algen Die Schicht ist eine natürliche Folge unserer fortlaufenden Bemühungen. Derzeit widmen wir uns der kontinuierlichen Entwicklung zuverlässiger Produkte. \"

Pam-Xiamen ist verbessert Algen Produktlinie hat von starker Technologie profitiert. Unterstützung von nativen Universität und Laborzentrum.

Jetzt zeigt es ein Beispiel wie folgt:

3 \"Algen / Gaas / Algen auf Gaas Substrat

Dicke jeder Epitaxie 1μm

Dotierungsdichte für die Gaas-Schicht 10 ^ 17-10 ^ 18 / cm3

al_xga_1-xas Stöchiometrie x ~ 0.3

über Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd.

gefunden in 1990, xiamen powerway erweiterte material co., ltd (pam-xiamen) ist ein führender hersteller von verbindungshalbleiter material in china. pam-xiamen entwickelt fortschrittliche Kristallwachstums- und Epitaxietechnologien, Herstellungsprozesse, technische Substrate und Halbleiterbauelemente. Die pam-Xiamen-Technologien ermöglichen eine höhere Leistung und eine kostengünstigere Herstellung von Halbleiterwafern.

Über Algen

Aluminiumgalliumarsenid (auch Galliumaluminiumarsenid) (alxga1-xas) ist ein Halbleitermaterial mit nahezu der gleichen Gitterkonstante wie Gaas, aber einer größeren Bandlücke. Das x in der obigen Formel ist eine Zahl zwischen 0 und 1 - dies zeigt eine willkürliche Legierung zwischen Gaas und Ala an. Die Formel algaas sollte eher als eine abgekürzte Form des obigen betrachtet werden, als irgendein bestimmtes Verhältnis. Die Bandlücke variiert zwischen 1,42 eV (GaAs) und 2,16 eV (leider). für x \u0026 lt; 0,4, die Bandlücke ist direkt. der Brechungsindex steht mit der Bandlücke über die kramers-kronig-Beziehungen in Beziehung und variiert zwischen 2,9 (x = 1) und 3,5 (x = 0). Dies ermöglicht die Konstruktion von Bragg-Spiegeln, die in VcSeln und RCLs verwendet werden.

q & a

q: Ich suche nach GaAs-Wafern mit einem kundenspezifischen Epischichtstapel aus Algen / Gaas / Algen, die auf den oberen 2 \"und 3\" Wafern wachsen, wobei jede Epitaxieschicht eine Dicke von 1 Mikrometer Si-dotiert bei na im Bereich 10 ^ hat 17-10 ^ 18 / cm3 für die Gaas- und Barriereschichten,

mit al_xga_1-xas Stöchiometrie x ~ 0.3

a: Ja, es könnte geliefert werden

q: Das Zitat, das Sie uns gaben, war für eine 220nm GaAs-Schicht mit einer 2μm dicken al_0.7 ga_0.3 als Schicht. Wir sind jetzt daran interessiert, eine 250nm Gaas-Schicht auf einem 3μm dicken al_0.7 ga_0 zu kaufen. 3 als Schicht. Wären Sie in der Lage, solche Wafer herzustellen?

a: Ja, wir könnten beide obigen Wafer liefern.

Für weitere Informationen besuchen Sie bitte unsere Website: http://www.semiconductorwafers.net ,

Senden Sie uns eine E-Mail an angel.ye@powerwaywafer.com oder powerwaymaterial@gmail.com .