Niedrigtemperatur Gaas (lt-Gaas) Versuchsergebnisse, bieten wir lt-Gaas / Gaas, bitte lt-Gaas Testergebnis unten herunterladen: http://www.semiconductorwafers.net/low-temperature-gaas-test-report/
xiamen powerway advanced material co., ltd., ein führender anbieter von gaas epi wafer und anderen verwandten produkten und dienstleistungen kündigte die neue verfügbarkeit von größe 2 \"-4\" ist in der massenproduktion im jahr 2017. dieses neue produkt stellt eine natürliche ergänzung zu pam dar -xiamens Produktlinie. DR. Shaka sagte: \"Wir freuen uns, unseren Kunden gaas epi Wafer anbieten zu können, darunter viele, die für oberflächenemittierende Laser mit vertikalem Resonator besser und zuverlässiger arbeiten. Unsere GaAs Epi Wafer haben ausgezeichnete Eigenschaften. Vektoren für Wellenlängen von 650 nm bis 1300 nm basieren typischerweise auf Galliumarsenid (GaAs) -Wafern mit aus GaAs und Aluminiumgalliumarsenid (alxga (1-x)) gebildeten dbrs. Das Gaas-Algaas-System wird bevorzugt für die Konstruktion von Vcsels verwendet, da die Gitterkonstante des Materials nicht stark variiert, wenn die Zusammensetzung verändert wird, wodurch es möglich ist, mehrere \"gitterangepasste\" Epitaxieschichten auf einem Gaas-Substrat zu bilden. Der Brechungsindex von Algen schwankt jedoch relativ stark, wenn der Al-Anteil erhöht wird, wodurch die Anzahl der Schichten, die zur Bildung eines effizienten Bragg-Spiegels erforderlich sind, im Vergleich zu anderen Materialkandidatensystemen minimiert wird. Außerdem kann bei hohen Aluminiumkonzentrationen ein Oxid aus Algen gebildet werden, und dieses Oxid kann verwendet werden, um den Strom in einem Gefäß zu begrenzen, was sehr niedrige Schwellenströme ermöglicht. Durch die Verfügbarkeit werden Boule-Wachstum und Wafering-Prozesse verbessert. \"und\" unsere Kunden können nun von der erhöhten Geräteausbeute profitieren, die bei der Entwicklung fortschrittlicher Transistoren auf einem quadratischen Substrat erwartet wird. Unsere gaas epi wafer sind natürliche Produkte unserer laufenden Bemühungen, derzeit widmen wir uns der kontinuierlichen Entwicklung zuverlässiger Produkte. \" Die verbesserte Produktlinie gaas epi von pam-xiamen profitiert von einer starken Technologie, die von einem Universitäts- und Laborzentrum unterstützt wird. Jetzt zeigt es ein Beispiel wie folgt: 1,2-Zoll-n + Gaas Epi mit Alas-Schicht auf n + Gaas Substrat, Spezifikation wie folgt: Deckschicht: 2 um n + halbleitende Gaas-Epi-Schicht, Si-Dotierung mit \u0026 gt; e18 Dotierungskonzentration zweite Schicht: 10 nm undotiert (die Alasschicht muss wachsen) unter Verwendung von As2 [Dimer] und nicht As4 [Tetramer]), dritte Schicht: 300 nm n + halbleitende GaAs-Pufferschicht, Si-Dotierung mit \u0026 gt; e18 Dotierungskonzentration untere Schicht: 350 um n + halbleitendes GaAs-Substrat, Si-Dotierung mit \u0026 gt; e18-Dotierung 2,2-Zoll-p + Gaas Epi mit Alas-Schicht auf p + Gaas Substrat, Spezifikation wie folgt: Die erforderliche Struktur wird von oben nach unten aufgelistet: Deckschicht: 2 um p + halbleitende Gaas-Epi-Schicht, \u0026 gt; e18 Dotierungskonzentration, irgendein Dotierungstyp zweite Schicht: 10 nm undotiert (die Alasschicht muss wachsen) ...
Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd, ein führender Anbieter von Gaasp Materialien und andere verwandte Produkte und Dienstleistungen kündigte die neue Verfügbarkeit von 2 \"-3\" Größe ist in der Massenproduktion im Jahr 2017. Dieses neue Produkt stellt eine natürliche Ergänzung zu pam-Xiamen Produktlinie.dr. Shaka, sagte, \"wir freuen uns, zu bieten Gaasp Wafer für unsere Kunden, darunter viele, die besser und zuverlässiger für Rotlicht emittierende Geräte entwickeln. unser Gaasp Material hat ausgezeichnete Eigenschaften, wie gleichförmig in der Zusammensetzung und / oder gleichförmig in der externen Quanteneffizienz. Durch die Verfügbarkeit werden Boule-Wachstum und Wafering-Prozesse verbessert. \"und\" unsere Kunden können nun von der erhöhten Geräteausbeute profitieren, die bei der Entwicklung fortschrittlicher Transistoren auf einem quadratischen Substrat erwartet wird. unser Gaasp materialare natürlich durch Produkte unserer laufenden Bemühungen, derzeit sind wir verpflichtet, kontinuierlich zuverlässigere Produkte zu entwickeln. \" Pam-Xiamen ist verbessert Gaasp Produktlinie hat von starker Technologie profitiert. Unterstützung von nativen Universität und Laborzentrum. Jetzt zeigt es ein Beispiel wie folgt: Wafer-Parameter Leitungstyp n-Typ Widerstand, onm * cm 0,008 Orientierung (100) Orientierungslosigkeit (1-3) ° Epitaxieschicht Gaasp Leitungstyp n-Typ Dotierstoff te Träger Konzentration, cm-3 (0,2-3,0) * 10 ^ 17 Photolumineszenz Wellenlänge, nm 645-673 Epi-Schichtdicke, um ≥ 30 Epi-Struktur Dicke, um 360-600 Fläche, cm ^ 2 ≥ 6,5 über Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd. gefunden in 1990, xiamen powerway erweiterte material co., ltd (pam-xiamen) ist ein führender hersteller von verbindungshalbleiter material in china. pam-xiamen entwickelt fortschrittliche Kristallwachstums- und Epitaxietechnologien, Herstellungsprozesse, technische Substrate und Halbleiterbauelemente. Die pam-Xiamen-Technologien ermöglichen eine höhere Leistung und eine kostengünstigere Herstellung von Halbleiterwafern. Über Gaasp Galliumarsenidphosphid (gaas1-xpx) ist ein Halbleitermaterial, eine Legierung aus Galliumarsenid und Galliumphosphid. Es existiert in verschiedenen Zusammensetzungsverhältnissen, die in seiner Formel durch die Fraktion xGalliumarsenidphosphid angegeben sind, die zur Herstellung von roten, orange und gelben Leuchtdioden verwendet wird. es wird oft auf Galliumphosphidsubstraten gezüchtet, um eine Lücken / Gaasp-Heterostruktur zu bilden. um seine elektronischen Eigenschaften abzustimmen, kann es mit Stickstoff dotiert sein (Gaasp: n). Für weitere Informationen besuchen Sie bitte unsere Website: http://www.semiconductorwafers.net , senden Sie uns eine Email an angel.ye@powerwaywafer.com oder powerwaymaterial@gmail.com .
Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd, ein führender Anbieter von Ingaas wafer und andere verwandte produkte und dienstleistungen gaben die neue verfügbarkeit der größe 2 bekannt \"ist in der massenproduktion 2017. dieses neue produkt stellt eine natürliche ergänzung zu pam-xiamens produktlinie dar. DR. Shaka, sagte, \"wir freuen uns, zu bieten Ingaas Wafer für unsere Kunden, darunter viele, die besser und zuverlässiger für Infrarot-Detektor und Hemt-Geräte mit Ingaas Kanäle. unser Ingaa s Wafer hat ausgezeichnete Eigenschaften, einkristalline epitaktische Filme von Ingaas kann auf einem Einkristallsubstrat eines iii-v-Halbleiters mit einem Gitterparameter abgeschieden werden, der nahe dem der zu synthetisierenden spezifischen Galliumindiumarsenidlegierung liegt. drei Substrate können verwendet werden: Gaas, Inas und Inp. Durch die Verfügbarkeit werden Boule-Wachstum und Wafering-Prozesse verbessert. \"und\" unsere Kunden können nun von der erhöhten Geräteausbeute profitieren, die bei der Entwicklung fortschrittlicher Transistoren auf einem quadratischen Substrat erwartet wird. unser Ingaas Wafer sind natürliche Produkte unserer laufenden Bemühungen, derzeit widmen wir uns der kontinuierlichen Entwicklung zuverlässiger Produkte. \" Pam-Xiamen ist verbessert Ingaas Produktlinie profitiert von starken Technologie, die von nativen Universität und Laborzentrum unterstützt wird. Jetzt zeigt es ein Beispiel wie folgt: \u0026 emsp; x / y Doping Träger Konz. [cm-3] Dicke [um] Wellenlänge [um] Gitterfehlanpassung Inas (y) p 0,25 keiner 5,00 + 15 1.0 - - in (x) Gaas 0.63 keiner \u0026 lt; 3.0e15 3.0 1.9 - 600 \u0026 lt; \u0026 gt; 600 Inas (y) p 0,25 s 1.00e + 18 2.5 - - Inas (y) p 0,05 \u0026 gt; 0,25 s 1.00e + 18 4.0 - - inp - s 1.00e + 18 0,25 - - Substrat: Inp \u0026 emsp; s 4,30e + 18 ~ 350 \u0026 emsp; \u0026 emsp; über Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd. gefunden in 1990, xiamen powerway erweiterte material co., ltd (pam-xiamen) ist ein führender hersteller von verbindungshalbleiter material in china. pam-xiamen entwickelt fortschrittliche Kristallwachstums- und Epitaxietechnologien, Herstellungsprozesse, technische Substrate und Halbleiterbauelemente. Die pam-Xiamen-Technologien ermöglichen eine höhere Leistung und eine kostengünstigere Herstellung von Halbleiterwafern. Über Ingaas Wafer Indiumgalliumarsenid ( Ingaas ) (alternativ Gallium-Indium-Arsenid) ist eine ternäre Legierung (chemische Verbindung) aus Indium, Gallium und Arsen. Indium und Gallium stammen beide aus der Borgruppe (Gruppe iii) von Elementen, während Arsen ein Pniktogen (Gruppe v) -Element ist. daher werden Legierungen, die aus diesen chemischen Gruppen hergestellt sind, als \"iii-v\" -Verbindungen bezeichnet. Da sie aus derselben Gruppe stammen, haben Indium und Gallium eine ähnliche Rolle bei der chemischen Bindung. Ingaas wird als eine Legierung von Galliumarsenid und Indiumarsenid mit Eigenschaften zwischen den beiden in Abhängigkeit von dem Anteil von Gallium z...
Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd, ein führender Anbieter von ingaasn wafer und andere verwandte produkte und dienstleistungen gaben bekannt, dass die neue verfügbarkeit der größe 2 \"2017 in der massenproduktion sein wird. dieses neue produkt ist eine natürliche ergänzung der produktlinie von pam-xiamen. DR. Shaka, sagte, \"wir freuen uns, zu bieten ingaasn Wafer für unsere Kunden, darunter viele, die für Laserdioden besser und zuverlässiger entwickeln. die Photolumineszenz - Eigenschaften von ingaasn Quantentöpfe wurden als eine Methode zur Verbesserung der Leistung von Gaas-basierten 1300 nm-Lasern untersucht. Unter den Parametern, die die Qualität dieses Materials signifikant beeinflussen, haben die Wachstumstemperatur und das In / N-Verhältnis der Legierung besonders tiefe Auswirkungen. wesentlich niedrigere Wachstumstemperaturen, als sie normalerweise für GaAs oder Ingaas-Materialien verwendet werden, scheinen die Qualität dieser Legierung zu erhöhen, während sie in Bruchteilen von 0,3-0,35 zu einem akzeptablen Kompromiß zwischen Quantentopfspannung und optischer Qualität führen. Durch die Verfügbarkeit werden Boule-Wachstum und Wafering-Prozesse verbessert. \"und\" unsere Kunden können nun von der erhöhten Geräteausbeute profitieren, die bei der Entwicklung fortschrittlicher Transistoren auf einem quadratischen Substrat erwartet wird. unser ingaasn Wafer sind natürliche Produkte unserer laufenden Bemühungen, derzeit widmen wir uns der kontinuierlichen Entwicklung zuverlässiger Produkte. \" Pam-Xiamen ist verbessert ingaasn Produktlinie profitiert von starken Technologie, die von nativen Universität und Laborzentrum unterstützt wird. Jetzt zeigt es ein Beispiel wie folgt: Schicht Doping Dicke (um) andere Gaas undotiert ~ 350 Wafer Substrat ingaasn * undotiert 0,15 Bandlücke \u0026 lt; 1 ev al (0,3) ga (0,7) als undotiert 0,50 \u0026 emsp; Gaas undotiert 2.00 \u0026 emsp; al (0,3) ga (0,7) als undotiert 0,50 \u0026 emsp; über Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd. gefunden in 1990, xiamen powerway erweiterte material co., ltd (pam-xiamen) ist ein führender hersteller von verbindungshalbleiter material in china. pam-xiamen entwickelt fortschrittliche Kristallwachstums- und Epitaxietechnologien, Herstellungsprozesse, technische Substrate und Halbleiterbauelemente. Die pam-Xiamen-Technologien ermöglichen eine höhere Leistung und eine kostengünstigere Herstellung von Halbleiterwafern. wir stellen verschiedene Arten von Epi-Wafer iii-v-Silizium-dotierten n-Typ-Halbleitermaterialien her, basierend auf ga, al, in, as und p, die durch mbe oder mocvd gezüchtet wurden. Wir liefern kundenspezifische Strukturen nach Kundenspezifikationen. Bitte kontaktieren Sie uns für weitere Produktinformationen oder diskutieren Sie eine spezifische Epi-Schichtstruktur. Über ingaasn Wafer Indium-Gallium-Arsenid-Nitrid, ein neuartiger Halbleiter. Einzelschichten und mehrere Quantentöpfe aus ingaasn wurden untersucht. Es wurde gefunden, dass etwas Stickst...
epigan nv, ein weltweiter Anbieter von iii-Nitrid-Epitaxielösungen für die moderne Halbleiterfertigung, stellt die neuesten Entwicklungen seiner Galliumnitrid-auf-Silizium-Epi-Wafer-Familie vor, die die industriellen Spezifikationen für hemt-Bauelemente (high electron mobility transistor) bei 650 V bei pcim erfüllt Europa 2017 in Nürnberg, Deutschland, (16.-18. Mai 2017) sowie csmantech in Indian Wells, Kalifornien, USA (22.-14. Mai 2017). Auf der pcim europe 2017 stellt epigan in Halle 6, Stand 432 aus. (Bild: epigan) aufbauend auf seiner führenden technologieposition in fortschrittlichen gan-on-si- und gan-on-sic-materialien für leistungsstarke leistungsschalt- und rf-leistungsgeräte für millimeterwellen-applikationen ist epigan führend bei der definition von epi-wafer-materialqualitäten für vorrichtungseigenschaften Schnittverluste verringern und die Zuverlässigkeit erhöhen. mit seiner kostengünstigen gan-on-si-technologie hat epigan bahnbrechende innovationen in 650v-power-management- und rf-netzsystemen ermöglicht, zb die skalierung der gan / si-technologie bis zu 200mm, um skaleneffekte in die mainstream-cmos-herstellungslinien von si einfließen zu lassen -based idms und Gießereien. Epigan hat diese Fertigungsherausforderung aufgenommen und erfolgreich gemeistert und 200-mm-Versionen seiner hv650v- und hvrf-gan-on-si-Epiwafers entwickelt. zu den besonderen leistungen der hv650v-elektroprodukte von epigan zählen ein gutes dynamisches verhalten für stromverbraucher und geringste rf-verluste (\u0026 lt; 0,5 db / mm bis 50 ghz) für die hvrf-produktfamilie. Ein wichtiger Wettbewerbsvorteil und Schlüsselkonzept der Epan-Gan / Si-Epi-Wafer-Technologie ist die in-situ-sin-capping-Schicht. Diese besondere Eigenschaft, wie sie von epigan entwickelt wurde, bietet eine überlegene Oberflächenpassivierung und Bauteilzuverlässigkeit und ermöglicht die kontaminationsfreie Verarbeitung in bestehenden Standard-Si-cmos-Produktionsinfrastrukturen. Die In-situ-Sin-Strukturierung erlaubt auch die Verwendung von reinen AlN-Schichten als Barrierenmaterialien, was zu geringeren Leitungsverlusten führt und / oder die Konstruktion kleinerer Chips für die gleiche Stromstärke ermöglicht. \"Die gan-Technologie hat in vielen Anwendungen Einzug gehalten, sei es bei der Leistungsumschaltung oder bei der HF-Leistungsverstärkung\", sagt Epigan Mitbegründer und CEO Dr. Marianne Germain. \"Wir beliefern die globale Halbleiterindustrie mit industrieführenden 200-mm-Gan-on-Si-Epi-Wafern, und wir sind besonders stolz darauf, Gan-On-Si-Epi-Wafer entwickelt zu haben, die den geringsten HF-Verlust von bis zu 100 GHz aufweisen. Dies ist eine zeitgemäße Antwort auf die steigenden Anforderungen in der drahtlosen Kommunikation wie die Einführung von 5g und das Internet der Dinge. \" Auf der pcim europe wird dr germain an der hochrangigen Podiumsdiskussion \"gan - design, emc and measurement\" im Fachforum teilnehmen, das von bodos Stromsystemen organisiert wird (17. Mai). dr. markus beh...
Trotz der erstaunlichen Eigenschaften von Graphen und all der Technik, die dem Wundermaterial eine Bandlücke beschert hat, bleiben seine Aussichten für die digitale Logik genauso im Zweifel wie zuvor.
x-fab silicon gießereien und exagan, ein innovativer innovator der gallium-nitrid (gan) -halbleitertechnologie, der kleinere und effizientere elektrische konverter ermöglicht, haben die massenproduktion zur herstellung hocheffizienter hochspannungsleistungsgeräte auf 200-mm-gan demonstriert -on-silicon-wafer mit der standard-cmos-produktionsanlage von x-fab in dresden, deutschland. Diese Leistung ist das Ergebnis einer 2015 in Kraft getretenen Entwicklungsvereinbarung, die Kosten- / Leistungsvorteile ermöglicht, die mit kleineren Wafern nicht erreicht werden konnten. (Bild: x-fab silicon giessereien) exagan und x-fab haben erfolgreich viele der Herausforderungen gelöst, die mit Materialbeanspruchung, Fehlerhaftigkeit und Prozessintegration verbunden sind, während Standardfertigungsausrüstung und Prozessrezepte verwendet werden. In Verbindung mit der Verwendung von 200-mm-Wafern werden dadurch die Kosten für die Massenproduktion von Gan-Silizium-Bauelementen erheblich gesenkt. Durch die Ermöglichung einer größeren Leistungsintegration als bei Silicium-ICs können Gan-Vorrichtungen die Effizienz verbessern und die Kosten von elektrischen Konvertern senken, was ihre Anwendung in Anwendungen wie Ladestationen für elektrische Fahrzeuge, Server, Automobile und industrielle Systeme beschleunigen wird. (Bild: Exagan) Die neuen Gan-on-silicon-Geräte wurden mit Substraten hergestellt, die in der 200-mm-epi-Produktionsanlage von exagan in Grenoble, Frankreich, hergestellt wurden. Diese Epi-Wafer erfüllen die physikalischen und elektrischen Spezifikationen zur Herstellung der 650-Volt-G-FET ™ -Geräte von exagan sowie die strengen Anforderungen für die Kompatibilität mit CMOS-Fertigungslinien. Die bisherige Arbeit der Industrie mit Gan war aufgrund der Herausforderungen beim Schichten von Gan-Filmen auf Siliziumsubstraten auf 100-mm- und 150-mm-Wafer beschränkt. Die g-stack ™ -Technologie von exagan ermöglicht die kostengünstige Herstellung von Gan-on-Silizium-Bauelementen auf 200-mm-Substraten durch Abscheidung eines einzigartigen Stapels von Gan und Dehnungsmanagementschichten, die die Spannungen zwischen Gan und Siliziumschichten verringern. Es wurde gezeigt, dass die resultierenden Vorrichtungen eine hohe Durchbruchspannung, einen geringen vertikalen Leckstrom und einen Betrieb bei hoher Temperatur aufweisen. \"Dies ist ein wichtiger Meilenstein in unserer Unternehmensentwicklung, da wir die Produktentwicklung und -qualifizierung beschleunigen\", sagte Frédéric Dupont, Präsident und CEO von exagan. \"Es zeigt die kombinierten Stärken unseres Epi-Materials, des Wafer-Fab-Prozesses von x-fab und unserer Möglichkeiten für das Gerätedesign. Es bestätigt auch den Erfolg unseres vertikal integrierten fab-lite-Modells mit der Expertise von Materialien bis hin zu Geräten und Anwendungen. Es ist ein perfektes Timing, um die gan-Technologie und -Produkte auf der wettbewerbsfähigsten 200-mm-Plattform zu etablieren, während gan-Power-Produkte in den Märkten für Server...
Kontakt Informationen
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
