epigan nv, ein weltweiter Anbieter von iii-Nitrid-Epitaxielösungen für die moderne Halbleiterfertigung, stellt die neuesten Entwicklungen seiner Galliumnitrid-auf-Silizium-Epi-Wafer-Familie vor, die die industriellen Spezifikationen für hemt-Bauelemente (high electron mobility transistor) bei 650 V bei pcim erfüllt Europa 2017 in Nürnberg, Deutschland, (16.-18. Mai 2017) sowie csmantech in Indian Wells, Kalifornien, USA (22.-14. Mai 2017). Auf der pcim europe 2017 stellt epigan in Halle 6, Stand 432 aus.

(Bild: epigan)

aufbauend auf seiner führenden technologieposition in fortschrittlichen gan-on-si- und gan-on-sic-materialien für leistungsstarke leistungsschalt- und rf-leistungsgeräte für millimeterwellen-applikationen ist epigan führend bei der definition von epi-wafer-materialqualitäten für vorrichtungseigenschaften Schnittverluste verringern und die Zuverlässigkeit erhöhen. mit seiner kostengünstigen gan-on-si-technologie hat epigan bahnbrechende innovationen in 650v-power-management- und rf-netzsystemen ermöglicht, zb die skalierung der gan / si-technologie bis zu 200mm, um skaleneffekte in die mainstream-cmos-herstellungslinien von si einfließen zu lassen -based idms und Gießereien.

Epigan hat diese Fertigungsherausforderung aufgenommen und erfolgreich gemeistert und 200-mm-Versionen seiner hv650v- und hvrf-gan-on-si-Epiwafers entwickelt. zu den besonderen leistungen der hv650v-elektroprodukte von epigan zählen ein gutes dynamisches verhalten für stromverbraucher und geringste rf-verluste (\u0026 lt; 0,5 db / mm bis 50 ghz) für die hvrf-produktfamilie.

Ein wichtiger Wettbewerbsvorteil und Schlüsselkonzept der Epan-Gan / Si-Epi-Wafer-Technologie ist die in-situ-sin-capping-Schicht. Diese besondere Eigenschaft, wie sie von epigan entwickelt wurde, bietet eine überlegene Oberflächenpassivierung und Bauteilzuverlässigkeit und ermöglicht die kontaminationsfreie Verarbeitung in bestehenden Standard-Si-cmos-Produktionsinfrastrukturen. Die In-situ-Sin-Strukturierung erlaubt auch die Verwendung von reinen AlN-Schichten als Barrierenmaterialien, was zu geringeren Leitungsverlusten führt und / oder die Konstruktion kleinerer Chips für die gleiche Stromstärke ermöglicht.

\"Die gan-Technologie hat in vielen Anwendungen Einzug gehalten, sei es bei der Leistungsumschaltung oder bei der HF-Leistungsverstärkung\", sagt Epigan Mitbegründer und CEO Dr. Marianne Germain. \"Wir beliefern die globale Halbleiterindustrie mit industrieführenden 200-mm-Gan-on-Si-Epi-Wafern, und wir sind besonders stolz darauf, Gan-On-Si-Epi-Wafer entwickelt zu haben, die den geringsten HF-Verlust von bis zu 100 GHz aufweisen. Dies ist eine zeitgemäße Antwort auf die steigenden Anforderungen in der drahtlosen Kommunikation wie die Einführung von 5g und das Internet der Dinge. \"

Auf der pcim europe wird dr germain an der hochrangigen Podiumsdiskussion \"gan - design, emc and measurement\" im Fachforum teilnehmen, das von bodos Stromsystemen organisiert wird (17. Mai). dr. markus behet, epigan cmo, wird auf dem Ausstellerforum von pcim europe (18. mai) und dem csmantech ausstellerforum (23. mai) den Vortrag \"Vom Hype zur Realität: gan / si - wo sind wir heute?\" halten.

keywords: epigan; gan-on-si; gan-auf-sic; epi waffeln

Quelle: ledinside

Für weitere Informationen besuchen Sie bitte unsere Website: http://www.semiconductorwafers.net ,

Senden Sie uns eine E-Mail an angel.ye@powerwaywafer.com oder powerwaymaterial@gmail.com .