Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd, ein führender Anbieter von ingaasn wafer und andere verwandte produkte und dienstleistungen gaben bekannt, dass die neue verfügbarkeit der größe 2 \"2017 in der massenproduktion sein wird. dieses neue produkt ist eine natürliche ergänzung der produktlinie von pam-xiamen.

DR. Shaka, sagte, \"wir freuen uns, zu bieten ingaasn Wafer für unsere Kunden, darunter viele, die für Laserdioden besser und zuverlässiger entwickeln. die Photolumineszenz - Eigenschaften von ingaasn Quantentöpfe wurden als eine Methode zur Verbesserung der Leistung von Gaas-basierten 1300 nm-Lasern untersucht. Unter den Parametern, die die Qualität dieses Materials signifikant beeinflussen, haben die Wachstumstemperatur und das In / N-Verhältnis der Legierung besonders tiefe Auswirkungen. wesentlich niedrigere Wachstumstemperaturen, als sie normalerweise für GaAs oder Ingaas-Materialien verwendet werden, scheinen die Qualität dieser Legierung zu erhöhen, während sie in Bruchteilen von 0,3-0,35 zu einem akzeptablen Kompromiß zwischen Quantentopfspannung und optischer Qualität führen. Durch die Verfügbarkeit werden Boule-Wachstum und Wafering-Prozesse verbessert. \"und\" unsere Kunden können nun von der erhöhten Geräteausbeute profitieren, die bei der Entwicklung fortschrittlicher Transistoren auf einem quadratischen Substrat erwartet wird. unser ingaasn Wafer sind natürliche Produkte unserer laufenden Bemühungen, derzeit widmen wir uns der kontinuierlichen Entwicklung zuverlässiger Produkte. \"

Pam-Xiamen ist verbessert ingaasn Produktlinie profitiert von starken Technologie, die von nativen Universität und Laborzentrum unterstützt wird.

Jetzt zeigt es ein Beispiel wie folgt:

über Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd.

gefunden in 1990, xiamen powerway erweiterte material co., ltd (pam-xiamen) ist ein führender hersteller von verbindungshalbleiter material in china. pam-xiamen entwickelt fortschrittliche Kristallwachstums- und Epitaxietechnologien, Herstellungsprozesse, technische Substrate und Halbleiterbauelemente. Die pam-Xiamen-Technologien ermöglichen eine höhere Leistung und eine kostengünstigere Herstellung von Halbleiterwafern. wir stellen verschiedene Arten von Epi-Wafer iii-v-Silizium-dotierten n-Typ-Halbleitermaterialien her, basierend auf ga, al, in, as und p, die durch mbe oder mocvd gezüchtet wurden. Wir liefern kundenspezifische Strukturen nach Kundenspezifikationen. Bitte kontaktieren Sie uns für weitere Produktinformationen oder diskutieren Sie eine spezifische Epi-Schichtstruktur.

Über ingaasn Wafer

Indium-Gallium-Arsenid-Nitrid, ein neuartiger Halbleiter. Einzelschichten und mehrere Quantentöpfe aus ingaasn wurden untersucht. Es wurde gefunden, dass etwas Stickstoff in Ingaas eingebaut werden kann, aber der Stickstoffeinbau ist offensichtlich auf sehr niedrige Stickstoffkonzentrationen beschränkt (\u0026 gt; 0,2%). Diese Konzentration reicht nicht aus, um eine Emissionswellenlänge von 1,3 / zm zu erreichen.

Für weitere Informationen besuchen Sie bitte unsere Website: http://www.semiconductorwafers.net ,

Senden Sie uns eine E-Mail an angel.ye@powerwaywafer.com oder powerwaymaterial@gmail.com .