Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd, ein führender Anbieter von Epi-Service für Gaas-basierte Laser-Wafer-Wachstum und andere damit zusammenhängende Produkte und Dienstleistungen kündigte die neue Verfügbarkeit der Größe 3 \"ist in der Massenproduktion im Jahr 2017. Dieses neue Produkt stellt eine natürliche Ergänzung zu pam-Xiamens Produktlinie. DR. shaka, sagte, \"wir freuen uns, Quantentopflaserstruktur unseren Kunden einschließlich vieler anzubieten, die besser und zuverlässiger für das grundlegende aktive Element (Laserlichtquelle) der Internet-Faseroptikkommunikation entwickeln. unsere epitaxiale Struktur der Laserdiode hat ausgezeichnet Eigenschaften, Quantentopflaser, die auf Galliumarsenid- und Indiumphosphidwafern basieren, Laser, die Quantentöpfe verwenden, und die diskreten Elektronenmoden werden sowohl durch Movpe- als auch Mbe-Techniken hergestellt, werden bei einer Vielzahl von Wellenlängen vom Ultraviolett- bis zum Thz-Bereich erzeugt Laser beruhen auf Galliumnitrid-basierten Materialien.Die Laser mit der längsten Wellenlänge beruhen auf dem Quantenkaskaden-Laserdesign.Quantenwell-Laser haben durch ihre vielen Vorteile wie niedrige Schwellenstromdichte, ausgezeichnetes Temperaturmerkmal, hohe Modulationsrate und eine große Aufmerksamkeitauf sich gezogen Wellenlängen-Einstellbarkeit usw. Die Verfügbarkeit verbessert das Wachstum von Kugeln und Wafering-Prozesse. \" und \"unsere Kunden können jetzt von der erhöhten Geräteausbeute profitieren, die bei der Entwicklung fortschrittlicher Transistoren auf einem quadratischen Substrat erwartet wird. Unser epi-Service für Gaas-basiertes Laserwafer-Wachstum ist selbstverständlich durch Produkte unserer laufenden Bemühungen, derzeit widmen wir uns der kontinuierlichen Entwicklung zuverlässiger Produkte.\"
Pam-Xiamen 's verbesserte gaas-basierte Laser-Wafer-Produktlinie profitiert von starker Technologie, Unterstützung von nativen Universität und Laborzentrum.
Jetzt zeigt es ein Beispiel wie folgt:
808 nm ingaasp / inp mqw laser struktur
|
Schicht |
Material |
x |
Y-Belastungstoleranz |
pl |
Dicke |
Art |
Niveau |
|
|
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
(ppm) |
(nm) |
(Äh) |
\u0026 emsp; |
(cm-3) |
|
8 |
Gaas |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
0.1 |
p |
\u0026 gt; 2.00e19 |
|
7 |
Gewinn (x) p |
0.49 |
\u0026 emsp; |
+/- 500 |
\u0026 emsp; |
0,05 |
p |
\u0026 emsp; |
|
6 |
[al (x) ga] in (y) p |
0.3 |
0.49 |
+/- 500r |
\u0026 emsp; |
1 |
p |
\u0026 emsp; |
|
5 |
Gewinn (x) p |
0.49 |
\u0026 emsp; |
+/- 500 |
\u0026 emsp; |
0.5 |
u / d |
\u0026 emsp; |
|
4 |
gaas (x) p |
0.86 |
\u0026 emsp; |
+/- 500 |
798 |
0,013 |
u / d |
\u0026 emsp; |
|
3 |
Gewinn (x) p |
0.49 |
\u0026 emsp; |
+/- 500 |
\u0026 emsp; |
0.5 |
u / d |
\u0026 emsp; |
|
2 |
[al (x) ga] in (y) p |
0.3 |
0.49 |
+/- 500 |
\u0026 emsp; |
1 |
n |
\u0026 emsp; |
|
1 |
Gaas |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
0.5 |
n |
\u0026 emsp; |
|
|
Gaas-Substrat |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
n |
\u0026 emsp; |
über Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd.
im Jahr 1990 gefunden, Xiamen Powerway erweiterte Material Co., Ltd ( Pam-Xiamen ) ist ein führender Hersteller von Verbindungshalbleitermaterial in China. pam-xiamen entwickelt fortschrittliche Kristallwachstums- und Epitaxietechnologien, Herstellungsprozesse, technische Substrate und Halbleiterbauelemente. Die pam-Xiamen-Technologien ermöglichen eine höhere Leistung und eine kostengünstigere Herstellung von Halbleiterwafern.
über Quantentopf-Laserstruktur
Ein Quantum-Well-Laser ist eine Laserdiode, bei der der aktive Bereich der Vorrichtung so schmal ist, dass eine Quantenbegrenzung auftritt. Laserdioden werden in Verbindungshalbleitermaterialien gebildet, die (im Gegensatz zu Silizium) in der Lage sind, Licht effizient zu emittieren. Die Wellenlänge des Lichts, das von einem Quantentopflaser emittiert wird, wird durch die Breite des aktiven Bereichs und nicht nur durch die Bandlücke des Materials bestimmt, aus dem es aufgebaut ist. [1] dies bedeutet, dass viel längere Wellenlängen von Quantentopflasern erhalten werden können als von herkömmlichen Laserdioden, die ein bestimmtes Halbleitermaterial verwenden. die Effizienz eines Quantentopflasers ist aufgrund der schrittweisen Form seiner Zustandsdichtefunktion auch größer als bei einer herkömmlichen Laserdiode.
q & a
c: Wir suchen einen Lieferanten von Gaas-basierten epitaktischen Laserwafern für die folgenden Wellenlängenbereiche: 780nm und 808nm. geeignete Substratabmessungen sind 2 \"oder 3\" (bevorzugt). Bitte lassen Sie mich wissen, wenn Ihr Unternehmen Know-how in der Herstellung solcher Laserscheiben hat. Wenn ja, bitte lassen Sie es mich wissen, wenn Sie generische Designs für unsere Betrachtung zur Verfügung stellen können.
p: danke für ihre anfrage, ja wir können bieten, können sie struktur anbieten?
c: danke für dein Feedback. bitte finden Sie 780nm und 808nm Designs beigefügt. Bitte lassen Sie mich wissen, ob die Designs in Ordnung sind und lassen Sie mich auch wissen, welche Art von Tests von Ihrer Seite durchgeführt wird, um sicherzustellen, dass die Materialqualität Laserqualität ist?
780nm Laserstruktur
|
Schicht |
Material |
x |
Y-Belastungstoleranz |
pl |
Dicke |
Art |
Niveau |
|
|
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
(ppm) |
(nm) |
(Äh) |
\u0026 emsp; |
(cm-3) |
|
8 |
Gaas |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
0.1 |
p |
\u0026 gt; 2.00e19 |
|
7 |
Gewinn (x) p |
0.49 |
\u0026 emsp; |
+/- 500 |
\u0026 emsp; |
0,05 |
p |
\u0026 emsp; |
|
6 |
[al (x) ga] in (y) p |
0.3 |
0.49 |
+/- 500 |
\u0026 emsp; |
1 |
p |
\u0026 emsp; |
|
5 |
Gewinn (x) p |
0.49 |
\u0026 emsp; |
+/- 500 |
\u0026 emsp; |
0.5 |
u / d |
\u0026 emsp; |
|
4 |
gaas (x) p |
0,77 |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
770 |
\u0026 emsp; |
u / d |
\u0026 emsp; |
|
3 |
Gewinn (x) p |
0.49 |
\u0026 emsp; |
+/- 500 |
\u0026 emsp; |
0.5 |
u / d |
\u0026 emsp; |
|
2 |
[al (x) ga] in (y) p |
0.3 |
0.49 |
+/- 500 |
\u0026 emsp; |
1 |
n |
\u0026 emsp; |
|
1 |
Gaas |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
0.5 |
n |
\u0026 emsp; |
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Gaas-Substrat |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
n |
\u0026 emsp; |
808nm Laserstruktur
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Schicht |
Material |
x |
Y-Belastungstoleranz |
pl |
Dicke |
Art |
Niveau |
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\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
(ppm) |
(nm) |
(Äh) |
\u0026 emsp; |
(cm-3) |
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8 |
Gaas |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
0.1 |
p |
\u0026 gt; 2.00e19 |
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7 |
Gewinn (x) p |
0.49 |
\u0026 emsp; |
+/- 500 |
\u0026 emsp; |
0,05 |
p |
\u0026 emsp; |
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6 |
[al (x) ga] in (y) p |
0.3 |
0.49 |
+/- 500r |
\u0026 emsp; |
1 |
p |
\u0026 emsp; |
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