Kristallwafer (sic wafer, gan wafer, gaas wafer, ge wafer, czt wafer, aln wafer, si wafer)

Ein Wafer, auch Scheibe oder Substrat genannt, ist eine dünne Scheibe aus Halbleitermaterial, beispielsweise aus kristallinem Silizium, die in der Elektronik zur Herstellung von integrierten Schaltungen und in der Photovoltaik für herkömmliche Solarzellen auf Waferbasis verwendet wird. der Wafer dient als das Substrat für mikroelektronische Vorrichtungen, die in und über dem Wafer eingebaut sind, und durchläuft viele Mikrofabrikationsverfahrensschritte wie etwa Dotieren oder Ionenimplantation, Ätzen, Abscheiden verschiedener Materialien und photolithographische Strukturierung. schließlich werden die einzelnen Mikroschaltkreise getrennt (Dicing) und verpackt.

Xiamenmachtweg Advanced Material Co., Ltd. bietet eine große Auswahl an Kristallwafern wie folgt an:

1) sic Kristallwafer : 2 \", 3\", 4 \"

Orientierung: 0 ° / 4 ° ± 0,5 °

Einkristall 4h / 6h

Dicke: (250 ± 25) \u0026 mgr; m, (330 ± 25) \u0026 mgr; m, (430 ± 25) \u0026 mgr; m

Geben Sie ein: n / s

Dotierstoff: Stickstoff / v

spezifischer Widerstand (RT): 0,02 ~ 0,1 Ω · cm / \u0026 gt; 1e5 Ω · cm

fwhm: a \u0026 lt; 30 Bogensekunden b / c / d \u0026 lt; 50 Bogensekunden

Verpackung: Einzelwafer-Box oder Multi-Wafer-Box

2) gan Kristallwafer: 1,5 \", 2\", 3 \", 4\" 6 \"

freistehendes (Galliumnitrid) -Gan-Substrat

Orientierung: c-Achse (0001) +/- 0,5 °

Dicke: 350um

spezifischer Widerstand (300 k): \u0026 lt; 0,5 \u0026 OHgr; · cm \u0026 gt; 10 6 \u0026 OHgr; · cm

Versetzungsdichte: \u0026 lt; 5x10 ^ 6cm-2

ttv: \u0026 lt; = 15um

Bogen: \u0026 lt; = 20um

Oberflächenbehandlung: Vorderseite: Ra \u0026 lt; 0,2nm.epi-ready poliert

3) Germaniumkristallwafer : 2 \", 3\", 4 \"

Orientierung: +/- 0,5 °

Typ / Dotierstoff: n / sb; p / ga

Durchmesser: 100 mm

Dicke: 525 +/- 25 um

Widerstand: 0,1 ~ 40 Ohm-cm

primäre flache Position: +/- 0.5 Grad

primäre flache Länge: 32,5 +/- 2,5 mm

Vorderseite: poliert

Rückseite: geätzt

Kantenbearbeitung: zylindrischer Boden

Oberflächenrauhigkeit (ra): \u0026 lt; = 5a

epd: \u0026 lt; = 5000 cm \u0026 ndash; 2

epi bereit: ja

Paket: Einzel-Wafer-Container

4) Gaas Kristallwafer : 2 \", 3\", 4 \", 6\"

Dicke: 220 ~ 500m

Leitungstyp: sc / n-Typ

Wachstumsmethode: vgf

Dotierstoff: Silizium / Zn

Orientierung: (100) 20/60/150 aus (110)

Widerstand bei RT: (1,5 ~ 9) e-3 Ohm.cm

Verpackung: Einzelwafer-Behälter oder Kassette

2 \"lt-Gaas

Dicke: 1-2um oder 2-3um

spezifischer Widerstand (300k): \u0026 gt; 108 Ohm-cm

Polieren: einseitig poliert

(GaAs) Galliumarsenid-Wafer für LED / LD / Mikroelektronik / Anwendungen

5) czt Kristallwafer (15 * 15 ± 0,05 mm, 25 * 25 ± 0,05 mm, 30 * 30 ± 0,05 mm)

Orientierung (111) b, (211) b

Dicke:

dotiert: undotiert

spezifischer Widerstand: ≥ 1 mΩ.cm

epd≤1x105 / cm3

Doppelseite poliert

6) aln Kristallwafer : 2 \"

7) Siliziumkristallwafer : 2 \", 3\", 4 \", 6\", 8 \"

8) linbo3 Kristallwafer: 2 \", 3\", 4 \", 6\"

9) litao3 Kristallwafer: 2 \", 3\", 4 \", 6\"

10) Inas, Inp-Kristallwafer : 2 \", 3\", 4 \"

11) andere Kristallwafer mit kleiner Größe: Zno, MgO, Ysz, Sto, Isat, Tio2, Lao, Al2o3, Srtio3, Laalo3

Standard-Wafergrößen

Siliziumwafer sind in einer Vielzahl von Durchmessern von 25,4 mm (1 Zoll) bis 300 mm (11,8 Zoll) erhältlich. Halbleiterherstellungsanlagen (auch bekannt als Fabs) werden durch den Durchmesser von Wafern definiert, zu denen sie hergestellt werden. Der Durchmesser hat sich allmählich erhöht, um den Durchsatz zu verbessern und die Kosten zu senken, mit der derzeitigen Fab-Fabrik, die 300 mm verwendet, mit einem Vorschlag, 450 mm zu übernehmen. Intel, TSMC und Samsung forschen separat bis 450 mm. Prototyp \"(Forschung) Fabs, obwohl ernsthafte Hürden bleiben.

2 Zoll (51 mm), 4 Zoll (100 mm), 6 Zoll (150 mm) und 8 Zoll (200 mm) Wafer

1 Zoll (25 mm)

2 Zoll (51 mm). Dicke 275 μm.

3 Zoll (76 mm). Dicke 375 μm.

4 Zoll (100 mm). Dicke 525 um.

5 Zoll (130 mm) oder 125 mm (4,9 Zoll). Dicke 625 μm.

150 mm (5,9 Zoll, üblicherweise als \"6 Zoll\" bezeichnet). Dicke 675 \u0026 mgr; m.

200 mm (7,9 Zoll). Dicke 725 μm.

300 mm (11,8 Zoll). Dicke 775 μm.

450 mm (17,7 Zoll). Dicke 925 μm (vorgeschlagen).

Wafer, die unter Verwendung anderer Materialien als Silizium gezüchtet werden, haben andere Dicken als ein Siliziumwafer mit demselben Durchmesser. die Waferdicke wird durch die mechanische Festigkeit des verwendeten Materials bestimmt; der Wafer muss dick genug sein, um sein eigenes Gewicht zu tragen, ohne während der Handhabung zu reißen.

Reinigen, Strukturieren und Ätzen

Wafer werden mit schwachen Säuren gereinigt, um unerwünschte Partikel zu entfernen, oder Schäden reparieren, die während des Sägeprozesses verursacht werden. Wenn sie für Solarzellen verwendet werden, werden die Wafer strukturiert, um eine raue Oberfläche zu erzeugen, um ihre Effizienz zu erhöhen. das erzeugte psg (Phosphorsilikatglas) wird beim Ätzen vom Rand des Wafers entfernt.

relevante Produkte

Kristall Saphirwafer

Einkristall-Wafer

Wafer-Kristall-Defekte

Piezokristallwafer

einkristalliner Siliziumwafer

wenn Sie mehr Informationen über Crytal Wafer benötigen,

bitte besuchen sie unsere Webseite: http://www.semiconductorwafers.net ,

Senden Sie uns eine E-Mail an luna@powerwaywafer.com und powerwaymaterial@gmail.com