3,0 MeV Protonenbestrahlungseffekte auf die Gaas mittlere Zelle und die Gewinnzelle von n + -p Gewinn / gaas / ge Triple-Junction (3j) Solarzellen wurden mit der temperaturabhängigen Photolumineszenz (pl) -Technik analysiert. die e5 (ec - 0.96 ev) Elektronenfalle in der Gaas Mittelzelle, die h2 (ev + 0.55 eV) Lochfalle in der gainp Zelle werden als Protonenbestrahlungsinduzierte nichtstrahlende Rekombinationszentren identifiziert, welche die Leistung verursachen Degradation der Dreifach-Junction-Solarzellen. Die GaAs-Mittelzelle ist weniger resistent gegen Protonenbestrahlung als die Gainp-Zelle.
Quelle: Iopscience
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