In dieser Arbeit untersuchen wir unter Verwendung eines vollständig gekoppelten dreidimensionalen elektrothermischen Vorrichtungssimulators den Mechanismus der Effizienzverschlechterung bei Hochstrombetrieb in planar G ein Leuchtdioden auf N-Basis (LED). Insbesondere wurde die Verbesserung der Effizienzverschlechterung unter Verwendung von dickeren leitfähigen GaN-Substraten demonstriert. Zunächst...
Röntgen - topographische und chemische Ätzuntersuchung von Si: Ge-Einkristalle Es wurden 1,2 at% und 3,0 at% Ge zusammen mit genauen Gitterparametermessungen durchgeführt. In Projektionstopographen wurden Beugungskontraste in Form konzentrischer "Quasi-Kreise" (Streifen), wahrscheinlich aufgrund der ungleichmäßigen Verteilung der Ge-Atome, beobachtet. Die Ätzmuster zeigten Banden, die St...
Wir stellen eine berührungslose Methode zur Bestimmung der thermischen Ansprechzeit von in Wafern eingebetteten Temperatursensoren vor. Bei diesem Verfahren beleuchtet eine Blitzlampe in periodischen Impulsen einen Punkt auf dem Wafer; Der Fleck befindet sich auf der gegenüberliegenden Seite des getesteten Sensors. Die thermische Zeitkonstante des Sensors wird dann aus der Messung seiner zeitliche...
Unter Verwendung einer plasmaunterstützten chemischen Dampfabscheidung (PECVD) bei 13,56 MHz wird eine Keimschicht in der anfänglichen Wachstumsstufe des hydrierten mikrokristallinen Materials hergestellt Siliziumgermanium (μc-Si1-xGex: H) i-Schicht. Die Auswirkungen von Impfprozessen auf das Wachstum von μc-Si1-xGex: Hi-Schichten und die Leistung von μc-Si1-xGex: H p-i-n Solarzellen mit Einzelübe...
Orthogonale Experimente zum Wachstum von GaSb-Filmen GaAs-Substrat wurden mit einem Niederdruck-Metall-Organisch-Gasphasenabscheidungssystem (LP-MOCVD) entwickelt und durchgeführt. Die Kristallinitäten und Mikrostrukturen der erzeugten Filme wurden vergleichend analysiert, um optimale Wachstumsparameter zu erreichen. Es wurde gezeigt, dass der optimierte GaSb-Dünnfilm am halben Maximum (358 Bogens...
Bei homogenen Materialien ermöglicht das Ultraschall-Immersionsverfahren, das mit einem numerischen Optimierungsprozess verbunden ist, der meist auf dem Newton-Algorithmus basiert, die Bestimmung elastischer Konstanten für verschiedene synthetische und natürliche Verbundmaterialien. Eine wesentliche Einschränkung des bestehenden Optimierungsverfahrens liegt jedoch vor, wenn sich das betrachtete Ma...
Wir haben die Effizienz von photoleitfähigen Antennen (PCAs) unter Verwendung von bei niedriger Temperatur gewachsenem GaAs (LT-GaAs) verbessert. Wir fanden heraus, dass die physikalischen Eigenschaften von photoleitfähigen LT-GaAs-Schichten die Erzeugungs- und Erfassungseigenschaften von Terahertz (THz)-Wellen stark beeinflussen. Bei der THz-Erzeugung sind eine hohe photoangeregte Ladungsträgermo...
Ein berührungsloses, zerstörungsfreies Bildgebungsverfahren für die ortsaufgelöste Dotierstoffkonzentration, [2.2] N d, und den elektrischen Widerstand, ρ, von n- und p-leitenden Siliziumwaferndie Verwendung von Lock-in-Trägerographiebildern bei verschiedenen Laserbestrahlungsintensitäten wird vorgestellt. Amplituden- und Phaseninformationen von Waferstellen mit bekanntem spezifischem Widerstand w...
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