Unter Verwendung einer plasmaunterstützten chemischen Dampfabscheidung (PECVD) bei 13,56 MHz wird eine Keimschicht in der anfänglichen Wachstumsstufe des hydrierten mikrokristallinen Materials hergestellt Siliziumgermanium (μc-Si1-xGex: H) i-Schicht. Die Auswirkungen von Impfprozessen auf das Wachstum von μc-Si1-xGex: Hi-Schichten und die Leistung von μc-Si1-xGex: H p-i-n Solarzellen mit Einzelübergang untersucht werden. Durch Anwendung dieses Impfverfahrens zeigt die μc-Si1-xGex: H-Solarzelle eine deutliche Verbesserung der Kurzschlussstromdichte (Jsc) und des Füllfaktors (FF) mit einer akzeptablen Blauantwort als μc-Si: H-Solarzelle selbst wenn der Ge-Gehalt x auf 0,3 ansteigt. Schließlich wird für die Solarzelle μc-Si0,7Ge0,3: H ein verbesserter Wirkungsgrad von 7,05% erreicht.

Quelle: Iopscience

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