Orthogonale Experimente zum Wachstum von GaSb-Filmen GaAs-Substrat wurden mit einem Niederdruck-Metall-Organisch-Gasphasenabscheidungssystem (LP-MOCVD) entwickelt und durchgeführt. Die Kristallinitäten und Mikrostrukturen der erzeugten Filme wurden vergleichend analysiert, um optimale Wachstumsparameter zu erreichen.

Es wurde gezeigt, dass der optimierte GaSb-Dünnfilm am halben Maximum (358 Bogensekunden) der (004) ω-Rocking-Kurve eine schmale volle Breite aufweist und eine glatte Oberfläche mit einer niedrigen Rauhigkeit des mittleren quadratischen Mittelwerts von etwa 6 nm aufweist. Dies ist typisch für heteroepitaktische Einkristallfilme. Außerdem untersuchten wir die Auswirkungen der Schichtdicke des GaSb-Dünnfilms auf die Versetzungsdichte von Raman-Spektren. Es wird angenommen, dass unsere Forschung wertvolle Informationen für die Herstellung von liefern kann hochkristalline GaSb-Filme und kann die Integrationswahrscheinlichkeit von Geräten im mittleren Infrarotbereich fördern, die auf elektronischen Geräten mit Mainstream-Leistung hergestellt werden.

Quelle: Iopscience

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