Röntgen - topographische und chemische Ätzuntersuchung von Si: Ge-Einkristalle Es wurden 1,2 at% und 3,0 at% Ge zusammen mit genauen Gitterparametermessungen durchgeführt. In Projektionstopographen wurden Beugungskontraste in Form konzentrischer "Quasi-Kreise" (Streifen), wahrscheinlich aufgrund der ungleichmäßigen Verteilung der Ge-Atome, beobachtet.

Die Ätzmuster zeigten Banden, die Streifen und Versetzungen als Ätzgruben entsprachen. Die zentrale "Kern" -Kristallregion (streifenfrei) zeigte ein Kristallgitter, das durch Mikrodefekte stark gestört wurde, wie aus der Sektion Topographieanalyse geschlossen wurde. Die Gitterparametermessungen haben die Ungleichmäßigkeit der Verteilung von gezeigt Ge Atome über die Proben.

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