Ein berührungsloses, zerstörungsfreies Bildgebungsverfahren für die ortsaufgelöste Dotierstoffkonzentration, [2.2] N d, und den elektrischen Widerstand, ρ, von n- und p-leitenden Siliziumwaferndie Verwendung von Lock-in-Trägerographiebildern bei verschiedenen Laserbestrahlungsintensitäten wird vorgestellt. Amplituden- und Phaseninformationen von Waferstellen mit bekanntem spezifischem Widerstand wurden verwendet, um einen Kalibrierungsfaktor zur genauen Bestimmung der absoluten Trägererzeugungsrate abzuleiten. Ein Frequenzbereichsmodell, das auf der nichtlinearen Natur von radiometrischen Phototrägersignalen basiert, wurde verwendet, um Dotierstoffdichtebilder zu extrahieren. Laterale Variationen des spezifischen Widerstands eines n-Typ- und eines p-Typ-Wafers, die mittels dieser Methodik erhalten wurden, erwiesen sich als in ausgezeichneter Übereinstimmung mit denen, die mit herkömmlichen 4-Punkt-Sondenmessungen erhalten wurden. Dieses vollständig optische kontaktlose Verfahren kann als zerstörungsfreies Werkzeug für Dotierungsdichte- und elektrische Widerstandsmessungen und deren Abbildungen über große Halbleiterflächen verwendet werden. Nd,

Quelle: IOPscience

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