In dieser Studie die Möglichkeit der Verwendung von Wafer-Bonding-Technologie zur Herstellung eines GaSb-Halbleiters GaAs-Substrat für das Erstellen eines GaSb-auf-Isolator-Struktur Wurde nachgewiesen. Ein GaSb-Wafer wurde auf zwei Arten von GaAs-Substraten gebunden:
(1) ein reguläres halbisolierendes Einkristall-GaAs-Substrat
(2) die GaAs-Wafer mit vorab abgeschiedenem amorphem Niedertemperatur-α- ( Ga, As ) Schichten.
Die Mikrostrukturen und Grenzflächenadhäsionsstudien wurden an diesen Wafer-gebondeten Halbleitern durchgeführt. Es wurde gefunden, dass das GaSb-on-α- ( Ga, As ) Wafer haben eine verbesserte Grenzflächenhaftung und niedrigere Temperaturbindungsfähigkeit gezeigt.
Quelle: Iopscience
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