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Gan-Vorlagen
pam-xiamen's Template-Produkte bestehen aus kristallinen Schichten aus Galliumnitrid (gan), Aluminiumnitrid (aln), Aluminiumgalliumnitrid (algan) und Indiumgalliumnitrid (ingan), die auf Saphirsubstraten abgeschieden sind, Die Templatprodukte von Siliciumcarbid oder Siliciumpam-Xiamen ermöglichen 20-50% kürzere Epitaxiezykluszeiten und höherwertige epitaxiale Vorrichtungsschichten mit besserer struktureller Qualität und höherer Wärmeleitfähigkeit, was die Kosten, die Ausbeute und die Leistung der Vorrichtungen verbessern kann. -
freistehendes gan-Substrat
pam-xiamen hat die Herstellungstechnologie für freistehende (Galliumnitrid) gan Substratwafer, die für uhb-led und ld ist, etabliert. gewachsen durch Hydriddampfphasenepitaxie (Hvpe) -Technologie, hat unser Gansubstrat eine geringe Defektdichte. -
sic Substrat
pam-xiamen bietet Halbleiter Siliziumkarbid Wafer, 6h sic und 4h sic in verschiedenen Qualitäten für den Forscher und Industriehersteller. wir haben sic Kristallwachstumstechnologie und sic Kristallwafer-Verarbeitungstechnologie entwickelt, etablierte eine produktionslinie zu hersteller sic substrat, die in gan epitaxie gerät, power geräte, Hochtemperaturgerät und optoelektronische Geräte. als ein professionelles Unternehmen investiert von den führenden Herstellern aus den Bereichen Advanced und High-Tech-Materialforschung und staatliche Institute und China's Halbleiter-Labor, wir widmen uns kontinuierlich Verbesserung der Qualität von derzeit vorhandenen Substraten und Entwicklung von großformatigen Substraten.Hot Tags : 4h sic 6h sic sic Wafer Siliziumkarbid-Wafer Siliziumkarbidsubstrat sic wafer Preis
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Gan-basierter LED-Epitaxialwafer
pam-xiamens Gan (Galliumnitrid) -basierter LED-Epitaxialwafer ist für Anwendungen mit ultrahoher Helligkeit für blaue und grüne Leuchtdioden (LED) und Laserdioden (LD) geeignet. -
Gan-HaMt-Epitaxialwafer
Galliumnitrid (Gan) Hemts (Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit) sind die nächste Generation von HF-Leistungstransistor-Technologie. Dank der Gan-Technologie bieten Pam-Xiamen nun Algan / Gan-Hemt-Epi-Wafer auf Saphir oder Silizium und Algan / Gan auf Saphir-Template . -
sic Epitaxie
Für die Entwicklung von Siliziumkarbid-Bauelementen bieten wir kundenspezifische Dünnfilm-Silizium-Epitaxie auf 6h- oder 4h-Substraten an. sic epi wafer wird hauptsächlich für Schottky-Dioden, Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren, Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, bipolare Sperrschichttransistoren, Thyristoren, GTO und Bipolar mit isoliertem Gate verwendet.Hot Tags : sic Epitaxie Epitaxieabscheidung Epitaxiewafer Siliziumkarbid sic-Diode
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sic Wafer zurückgewinnen
pam-xiamen ist in der Lage, die folgenden sic reclaim wafer services anzubieten.Hot Tags : Wafer zurückgewinnen Wafer-Dienstleistungen Wafer-Rückforderungsdienste Wafer Dicing Services Wafer-Verarbeitung Wafer-Rückgewinnung
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sic Anwendung
Aufgrund der physikalischen und elektronischen Eigenschaften von Silizium eignen sich Geräte auf Siliziumkarbid-Basis gut für optoelektronische, hochtemperatur-, strahlungsresistente und hochleistungsfähige Hochfrequenz-Geräte mit kurzer Wellenlänge, verglichen mit Geräten auf Si und GaAs-Basis.Hot Tags : sic Anwendung Wafer-Chip Wafer-Ätzen Siliciumcarbid-Eigenschaften Siliziumkarbid-Mosfet
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