Wir schlagen das Wachstum von vor GaN auf strukturiertem Silikon-auf-Isolator (SOI) Substrate die GaN-on-patterned-SOI-Technik. Das selektive Wachstum wird bei dem Niedertemperatur-Molekularstrahlepitaxie- (MBE-) Wachstum unterdrückt GaN nanocolumn werden somit auf a epitaktisch gezüchtet Siliziumsubstrat und ein Siliziumoxidsubstrat. Das GaN Auf dem Siliziumoxidsubstrat gezüchtete Platten werden durch eine Assoziation aus massiver Silizium-Mikrobearbeitung und gepuffertem HF-Ätzen vollständig im Raum suspendiert. Die Photolumineszenz und die Reflexionsergebnisse legen nahe, dass die Siliziumabsorption des emittierten Lichts für das freistehende Licht eliminiert wird GaN Platte, und die Reflexionsverluste werden am reduziert GaN Nanosäulenoberfläche. Diese Arbeit bietet eine vielversprechende Möglichkeit, die SOI - Technologie mit dem Wachstum von zu kombinieren GaN zur Herstellung neuer optischer Geräte.

Quelle: Iopscience

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