pam-xiamen ist in der Lage, die folgenden sic reclaim wafer services anzubieten.
sic Rückgewinnung Wafer & wird bearbeitet
pam-xiamen kann folgendes anbieten sic Rückgewinnung Wafer Dienstleistungen.
sic zurückgewinnen wafer:
pam-xiamen ist in der Lage durch proprietry reclaim processes ein Angebot zu machen sic Rückgewinnung Wafer Dienstleistungen für LED-, RF-oder Power-Gerätehersteller. Kann Epi, Epi-Gan oder Device-Schichten zu entfernen, und dann polieren Sie die Oberfläche, bis zu einem Epi-Ready-Zustand, die unsere Kunden sie wieder Epi, um die Kosten zu reduzieren. Wir können sogar Garantierte Oberflächenrauhigkeit u0026 lt; 0,3 nm, wie es vom Kunden gefordert wird. Jeder Wafer wird durch CMP oder Läppen oder Ätzen hergestellt, um Muster, Kratzer und andere Defekte zu entfernen. Das Ergebnis ist ein sauberer, qualitativ hochwertiger Wafer, der zum Polieren und Reinigen bereit ist. Nach Abschluss des Rückgewinnungsprozesses, um sicherzustellen, dass die fertigen Wafer den Kundenstandards und -spezifikationen vollständig entsprechen, werden wir vor der Verpackung eine abschließende Qualitätsprüfung durchführen. Wir stellen die zurückgewonnenen Wafer in Behälter. Die Behälter sind doppelt verpackt und etikettiert. Als letzten Schritt liefern wir ein Konformitätszertifikat und / oder ein Analysezertifikat, um die Produktqualität zu überprüfen.
Unten ist ein Bild nach cmp als Beispiel:
sic Oberflächenvorbereitung : pam-xiamen hat mit seiner langjährigen Erfahrung in der Reinigung von Siliziumkarbidwafern einen Prozess entwickelt, der in der Lage ist, auf neuen Substraten eine saubere, geringe Metallkontamination zu liefern.
Für die Entwicklung von Siliziumkarbid-Bauelementen bieten wir kundenspezifische Dünnfilm-Silizium-Epitaxie auf 6h- oder 4h-Substraten an. sic epi wafer wird hauptsächlich für Schottky-Dioden, Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren, Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, bipolare Sperrschichttransistoren, Thyristoren, GTO und Bipolar mit isoli4
pam-xiamen bietet Halbleiter Siliziumkarbid Wafer, 6h sic und 4h sic in verschiedenen Qualitäten für den Forscher und Industriehersteller. wir haben sic Kristallwachstumstechnologie und sic Kristallwafer-Verarbeitungstechnologie entwickelt, etablierte eine produktionslinie zu hersteller sic substrat, die in gan epitaxie gerät, power geräte, Hochtem4
Aufgrund der physikalischen und elektronischen Eigenschaften von Silizium eignen sich Geräte auf Siliziumkarbid-Basis gut für optoelektronische, hochtemperatur-, strahlungsresistente und hochleistungsfähige Hochfrequenz-Geräte mit kurzer Wellenlänge, verglichen mit Geräten auf Si und GaAs-Basis.
pwam entwickelt und fertigt Verbundhalbleitersubstrate - Galliumarsenidkristall und -wafer. Wir haben fortschrittliche Kristallzüchtungstechnologie, vertikales Gradientenfrosten (vgf) und Gaas-Wafer-Bearbeitungstechnologie verwendet, eine Produktionslinie vom Kristallwachstum, Schneiden, Schleifen bis zur Polierbearbeitung etabliert und gebaut ein 4
Xiamen Powerway bietet Gas Wafer - Gallium Antimonid, die durch Lec (Flüssigkeit eingekapselt Czochralski) als Epi-Ready oder mechanische Klasse mit n-Typ, p-Typ oder semi-isolierende in unterschiedlicher Orientierung (111) gewachsen oder (100)
Galliumnitrid (Gan) Hemts (Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit) sind die nächste Generation von HF-Leistungstransistor-Technologie. Dank der Gan-Technologie bieten Pam-Xiamen nun Algan / Gan-Hemt-Epi-Wafer auf Saphir oder Silizium und Algan / Gan auf Saphir-Template .
fz polierte Wafer, hauptsächlich für die Herstellung von Silizium-Gleichrichter (sr), Silizium gesteuerten Gleichrichter (scr), Riesen-Transistor (gtr), Thyristor (gro)
der Ätzwafer hat die Eigenschaften einer geringen Rauhigkeit, eines guten Glanzes und relativ niedriger Kosten und ersetzt direkt den polierten Wafer oder den epitaktischen Wafer, der relativ hohe Kosten aufweist, um die elektronischen Elemente in einigen Gebieten herzustellen, um die Kosten zu reduzieren. Es gibt Wafer mit geringer Rauhigkeit, ger4
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