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Gaas-Wafer

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(Galliumarsenid) -Gaas-Wafer und Epitaxie: GaAs-Wafer, n-Typ, p-Typ oder halbisolierend, Größe von 2 "bis 6"; gaas epi wafer für hmt, phemt, mhmt und hbt

Aussicht :

  • GaAs crystal

    GaAs (Galliumarsenid) -Wafer

    pwam entwickelt und fertigt Verbundhalbleitersubstrate - Galliumarsenidkristall und -wafer. Wir haben fortschrittliche Kristallzüchtungstechnologie, vertikales Gradientenfrosten (vgf) und Gaas-Wafer-Bearbeitungstechnologie verwendet, eine Produktionslinie vom Kristallwachstum, Schneiden, Schleifen bis zur Polierbearbeitung etabliert und gebaut ein Reinraum der 100 Klasse für die Reinigung und Verpackung von Wafern. Unsere GaAs Wafer enthalten 2 ~ 6 Zoll Barren / Wafers für LED, LD und Microelectronics Anwendungen. Wir sind immer auf die Verbesserung der Qualität von derzeit substates und die Entwicklung von großen Substraten gewidmet.

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  • GaAs crystal

    Gaas Epiwafer

    wir stellen verschiedene Arten von Epi-Wafer iii-v-Silizium-dotierten n-Typ-Halbleitermaterialien her, basierend auf ga, al, in, as und p, die durch mbe oder mocvd gezüchtet wurden. Wir liefern kundenspezifische Strukturen nach Kundenspezifikationen. Bitte kontaktieren Sie uns für weitere Informationen.

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