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freistehendes gan-Substrat
pam-xiamen hat die Herstellungstechnologie für freistehende (Galliumnitrid) gan Substratwafer, die für uhb-led und ld ist, etabliert. gewachsen durch Hydriddampfphasenepitaxie (Hvpe) -Technologie, hat unser Gansubstrat eine geringe Defektdichte. -
sic Substrat
pam-xiamen bietet Halbleiter Siliziumkarbid Wafer, 6h sic und 4h sic in verschiedenen Qualitäten für den Forscher und Industriehersteller. wir haben sic Kristallwachstumstechnologie und sic Kristallwafer-Verarbeitungstechnologie entwickelt, etablierte eine produktionslinie zu hersteller sic substrat, die in gan epitaxie gerät, power geräte, Hochtemperaturgerät und optoelektronische Geräte. als ein professionelles Unternehmen investiert von den führenden Herstellern aus den Bereichen Advanced und High-Tech-Materialforschung und staatliche Institute und China's Halbleiter-Labor, wir widmen uns kontinuierlich Verbesserung der Qualität von derzeit vorhandenen Substraten und Entwicklung von großformatigen Substraten.Hot Tags : 4h sic 6h sic sic Wafer Siliziumkarbid-Wafer Siliziumkarbidsubstrat sic wafer Preis
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GaAs (Galliumarsenid) -Wafer
pwam entwickelt und fertigt Verbundhalbleitersubstrate - Galliumarsenidkristall und -wafer. Wir haben fortschrittliche Kristallzüchtungstechnologie, vertikales Gradientenfrosten (vgf) und Gaas-Wafer-Bearbeitungstechnologie verwendet, eine Produktionslinie vom Kristallwachstum, Schneiden, Schleifen bis zur Polierbearbeitung etabliert und gebaut ein Reinraum der 100 Klasse für die Reinigung und Verpackung von Wafern. Unsere GaAs Wafer enthalten 2 ~ 6 Zoll Barren / Wafers für LED, LD und Microelectronics Anwendungen. Wir sind immer auf die Verbesserung der Qualität von derzeit substates und die Entwicklung von großen Substraten gewidmet. -
Gaas Epiwafer
wir stellen verschiedene Arten von Epi-Wafer iii-v-Silizium-dotierten n-Typ-Halbleitermaterialien her, basierend auf ga, al, in, as und p, die durch mbe oder mocvd gezüchtet wurden. Wir liefern kundenspezifische Strukturen nach Kundenspezifikationen. Bitte kontaktieren Sie uns für weitere Informationen. -
Ge (Germanium) -Einkristalle und -Wafer
pam bietet Halbleitermaterialien, Einkristall (ge) Germaniumwafer, die von vgf / lec gezüchtet werden -
cdznte (czt) Wafer
Cadmium-Zink-Tellurid (cdznte oder czt) ist ein neuer Halbleiter, der es ermöglicht, Strahlung effektiv in Elektronen umzuwandeln, hauptsächlich in Infrarot-Dünnschicht-Epitaxiesubstraten, Röntgendetektoren und Gammastrahlendetektoren, laseroptische Leistungs-Solarzellen und andere High-Tech-Bereiche.Hot Tags : cdznte czt-Detektor Gammastrahlendetektoren CDT czt Strahlungsdetektor cdznte Substrat
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Testwafer-Überwachungswafer-Dummy-Wafer
pam-xiamen bietet Dummy-Wafer / Test-Wafer / Monitor-WaferHot Tags : Testwafer Wafer überwachen Dummy-Wafer Siliziumsubstrat Silizium-Wafer-Dicke Silizium-Wafer
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cz monokristallines Silizium
cz-Silizium das schwer / leicht dotierte cz monokristalline silizium eignet sich zur herstellung verschiedener integrierter schaltkreise (ic), dioden, trioden, grün-energie solarpanels. die speziellen Elemente (wie ga, ge) können hinzugefügt werden, um die hocheffizienten, strahlungsresistenten und anti-degenerierenden Solarzellenmaterialien für spezielle Komponenten herzustellen.Hot Tags : Silizium-Wafer-Preis Wafer Chips soi wafer Silizium-Wafer zum Verkauf Wafer-Preis
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