PAM XIAMEN ist vergleichbar mit dem in Großbritannien zu errichtenden IQE Asiatische VCSEL-Lieferkette für epitaktische Kerne

Xiamen Powerway konzentriert sich auf High-End-Epitaxie-Verbindungshalbleiter für R & amp; D und Herstellung.

Im 2018 wurden die 4-Zoll- und 6-Zoll-VCSEL in Massenproduktion hergestellt und drangen in den Markt ein Mainstream-Chip-Hersteller in Taiwan. Verwendung von MBE auf dem neuesten Stand der Technik (Molecular Epitaxial Beam Epitaxy) - Massenproduktionstechnologie zur Erzielung der höchste Qualität der branchenweit größten VCSEL-Epitaxieprodukte. Wie Immer mehr Hersteller von Smartphones und IT-Geräten folgen den Spuren von Apple, VCEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser) -basierte 3D-Sensorsysteme werden sein in ihre neue Elektronik integriert.

gemäß Bei Memes Consulting erfolgt der Versand von VCSEL-Chips für Smartphones im nächsten Jahr 2018 voraussichtlich auf 240 Millionen verdoppelt. In den nächsten fünf Jahren wird der globale VCSEL-Markt werden wächst weiter mit der Kapazität der relevanten Lieferanten im internationalen Arena. Die Marktgröße wird bis 2022 auf 3,12 Milliarden US-Dollar anwachsen jährliche Wachstumsrate von 17,3% .VCSEL-Gerätelieferanten in Taiwan bereiten sich alle vor für das starke Wachstum von VCSEL Der Umsatz 2018.Internationale VCSEL-Chipanbieter: wie Lumentum Holdings, Finisar, Princeton Optronics, Heptagon folgen auch und streben einen Anteil an der Markt in diesem Bereich.

Beim die selbe Zeit, Xiamen Powerway konzentriert sich auf der branchenweit höchste MBE-Prozess (Molecular Beam Epitaxy). Mit dem Erweiterung von 3D-Sensing, Rechenzentren und 5G-Anwendungen wird MBE-Technologie Eintritt in den Mainstream-Markt in der Zukunft. Xiamen Powerway hat begonnen zu liefern 6-Zoll große PHEMT-, VCSEL-, Laser (750nm bis 1100nm), QWIP, PIN (GaAs) InP) und 25G Data Center epitaktische Strukturprodukte. Mit zunehmender Nutzung der VCSEL-Technologie wird die Produktlinie des Unternehmens von Kommunikation, optische Kommunikation und Erfassung von Laserradar, Industrie Heizungs-, Bildverarbeitungs- und medizinische Laseranwendungen. Im Jahr 2018 wird VCSEL werden die Hauptantriebskraft für das langfristige Wachstum von Xiamen Powerway.

VCSEL-Wellenlängenemission Balkenvergleich

Finisar, Ein US-amerikanischer VCSEL-Chiphersteller, der in letzter Zeit ins Auge gefallen ist und sein Angebot erweitert Anlagenkapazität in Sherman, Texas, USA, mit einer Investition von 390 Millionen US-Dollar aus Apfel. Die neu hinzugefügte Kapazität wird voraussichtlich in der zweiten einsatzbereit sein halb von 2018. Mit dem VCSEL-Kapazitätswachstum von Finisar, kombiniert mit dem Bestehenden Lumentum-Lieferfähigkeiten: Von Apple wird erwartet, dass es die tiefe 3D-Oberfläche verwendet Erkennungstechnologie für andere Produkte über das iPhone X hinaus, z. B. das große Größe iPad und Anwendungen im Feld AR (Augmented Reality).

Xiamen Powerway produziert Chinas ersten 4-Zoll-940-nm-VCSEL-Halbleiter-Epitaxialwafer

gemäß IQE, Großbritanniens größter Anbieter von Wafer-Epitaxialwafern, weist das jährliche Wachstum auf Der Umsatz des Geschäftsbereichs Optoelektronik verdoppelte sich aufgrund der Nachfrage von VCSEL. Die Finanzergebnisse von IQE werden in diesem Jahr einen neuen Rekord erreichen. Wie Die VCSEL-Produktentwicklung wird im Juni dieses Jahres in die Massenproduktion gehen Der Haupttreiber für das Umsatzwachstum von IQE in diesem Jahr. IQE sagte, dass der Anstieg auf dem großen Markt für VCSEL - Wafer markiert einen Wendepunkt in Kommerzialisierung der Technologie. Das Unternehmen hat mehrere Jahre gewonnen Verträge für den VCSEL-Anstieg, was seine Erfolge beim Putten von Wafern widerspiegelt in den Massenverbrauchermarkt. Als Ergebnis der Vorstand des Unternehmens hat nun einen Kapazitätserweiterungsplan genehmigt, um das erwartete höhere Niveau zu erreichen Nachfrage in der zweiten Hälfte des Jahres 2018. Xiamen Powerway ist der erste einheimische Anbieter von Mikroelektronik-Optoelektronik-Epitaxie. Mit der Vorteil des geistigen Eigentums, den es in den letzten Jahren aufgebaut hat, und seine mehrfache 6-Zoll-8-Zoll-MBE-Prozesswaferkapazität erfordert Masse Produktion komplexer Mehrschicht-VCSEL-Produkte und wird weiter investieren in der Zukunft inländische Kollegen IQE Technische Stärke und Kapazitätsvorteile.

VCSEL-Struktur

EIN Laserresonator besteht aus einem zweiseitigen dezentralen Bragg-Reflektor (DBR) parallel zur Oberfläche einer chipaktiven Reaktionszone, die aus einer besteht zu mehreren Quantentöpfen, in denen das Laserlichtband vorhanden ist. Eine planare DBR besteht aus mehreren Schichten unterschiedlicher Linsen mit hohem und niedrigem Brechungsindex. Jede Linsenschicht hat eine Dicke von einem Viertel der Laserwellenlänge und verleiht eine Reflexionsintensität von mehr als 99%. Um die Short auszugleichen Achsenlänge des Verstärkungsbereichs im VCSEL ist eine Linse mit hohem Reflexionsgrad notwendig.

Diagramm SEQ 图表 * ARABISCH 1 VCSEL

Im Bei einem typischen VCSEL sind die oberen und unteren Linsen mit einem p-Typ-Material plattiert und ein Material vom n-Typ, um eine Verbindungsdiode zu bilden. In komplexer Strukturen, Bereiche vom p-Typ und n-Typ können in die Linse eingelassen werden, wodurch mehr möglich ist komplexe Halbleiter, die im Reaktionsbereich verarbeitet werden sollen, um die zu verbinden Schaltung und beseitigen den Verlust von Elektronenenergie in der DBR-Struktur.

VCSEL's Labore verwenden neue Materialsysteme für die Forschung, und die Reaktionszone kann gepumpt werden durch kurzwellige externe Quellen (normalerweise andere Laser). Dies ermöglicht VCSELs demonstriert werden, ohne zusätzliche Probleme in Betracht zu ziehen, um das Gute zu erreichen Schaltkreisqualität; Solche Geräte sind jedoch für die meisten Anwendungen nicht praktikabel. EIN Ein typischer VCSEL mit einer Wellenlänge von 650 nm bis 1300 nm basiert auf Gallium Arsenid-Chip bestehend aus DBR bestehend aus Galliumarsenid (GaAs) und [Aluminium Galliumarsenid] (AlxGa (1-x) As). GaAs / AlGaAs-Systeme sind dafür sehr gut geeignet Herstellung von VCSELs, da sich die Gitterkonstante des Materials nicht ändert sehr stark, wenn sich die Komposition ändert und mehrere Gitteranpassungen möglich sind Verjüngungsschichten, die auf der darunterliegenden Galliumarsenidschicht wachsen. Mit zunehmendem Al-Molekül steigt jedoch der Brechungsindex des Aluminiums Galliumarsenid wird stärker und im Vergleich zu anderen Systemen effektiv Ein Bragg-Spiegel wird gebildet, und die Anzahl der verwendeten Schichten wird minimiert. Im Darüber hinaus bildet ein Oxid im konzentrierteren Teil des Aluminiums AlGaAs. Dies kann verwendet werden, um den Strom im VCSEL zu begrenzen, um eine niedrige Schwelle zu erreichen aktuell.

Diagramm SEQ 图表 * ARABISCH 2 Eingebettet VCSEL

Dort In letzter Zeit gibt es zwei Hauptmethoden, um den Strom in einem VCSEL zu begrenzen je nach ihren charakteristiken in zwei arten unterteilt: ein ionen eingebettet VCSEL und ein oxidierter VCSEL.

Im In den frühen 1990er Jahren neigten die Unternehmen der elektronischen Kommunikation dazu, mehr zu nutzen Ionen eingebettete VCSELs. Wasserstoffionen H + werden typischerweise in den VCSEL implantiert Struktur, außer wo der Resonanzhohlraum verwendet wird, um das Gitter zu unterbrechen Struktur um den Resonanzhohlraum herum, wodurch der Stromfluss begrenzt wird. Mitte der 1990er Jahre Diese Unternehmen folgten der Technologie oxidierter VCSELs. Der oxidierte VCSEL nutzt die Oxidationsreaktion des Materials, das den VCSEL-Resonator umgibt um den Strom zu begrenzen, während die Metallschicht mehr Aluminium im Inneren enthält Die VCSEL-Struktur wird oxidiert. Oxidierte Laser verwenden häufig auch eingebettete Ionen Techniken. Daher ist bei einem oxidierten VCSEL der Stromweg begrenzt durch den in Ionen eingebetteten Resonanzhohlraum und den oxidierenden Resonanzhohlraum.

Fällig Aufgrund der Spannung der Oxidschicht und anderer Defekte begann sich der Hohlraum zu bilden "Abspringen", so kam es bei der ersten Verwendung von oxidiertem VCSEL auf viele Schwierigkeiten. Nach vielen Tests hat sich jedoch gezeigt, dass VCSEL realisierbar ist ist sehr komplett. In der oxidierten VCSEL-Studie von Hewlett Packard "Druck" bewirkt, dass die Aktivierungsenergie des oxidierten VCSEL dem Verschleiß ähnelt Lebenszyklus im Vergleich zu der vom eingebetteten VCSEL abgegebenen Ausgangsenergie. "

Wann Die Industrie verlagert sich von Forschung und Entwicklung auf den Produktionsmodus von oxidierte VCSELs, verursacht auch Produktionsschwierigkeiten. Die Oxidationsrate von Die Oxidschicht hat eine sehr große Beziehung zum Aluminiumgehalt. Wie Solange sich der Aluminiumgehalt leicht ändert, ändert sich die Oxidationsrate und die Spezifikation des Hohlraums wird zu groß oder zu klein sein.

EIN langwellige Vorrichtung mit einer Wellenlänge von 1300 nm bis 2000 nm hat am wenigsten bestätigt, dass seine Aktivierungsregion aus Indiumphosphid besteht. VCSELs mit längeren Wellenlängen basieren experimentell und sind typischerweise optische Pumpen. Ein VCSEL von 1310 nm wird gegenüber der minimalen Wellenlängengrenze bevorzugt einer Faser auf Siliziumbasis.

Über Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd.

Gefunden im Jahr 1990, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), eine führende Hersteller von VCSEL-Epitaxialwafern in China, umfasst das Geschäft GaAs Materialbedeckung GaAs-Substrat . GaAs-Epitaxialwafer .

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