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Erzeugung von differenzfrequenter Strahlung im fernen und mittleren IR-Bereich in einem auf Galliumarsenid basierenden Zwei-Chip-Laser auf Germanium-Substrat

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Erzeugung von differenzfrequenter Strahlung im fernen und mittleren IR-Bereich in einem auf Galliumarsenid basierenden Zwei-Chip-Laser auf Germanium-Substrat

2019-02-11

Die Möglichkeit der effizienten Erzeugung von differenzfrequenter Strahlung im fernen und mittleren IR-Bereich in einem Zwei-Chip-Laser auf Galliumarsenid-Basis Germaniumsubstrat gilt als. Es ist gezeigt, dass ein Laser mit einem Wellenleiter mit einer Breite von 100 & mgr; m, der 1 W im nahen IR-Bereich emittiert, bei der Differenzfrequenz im Bereich von 5–50 THz bei Raumtemperatur ~ 40 & mgr; W erzeugen kann.



Quelle: IOPscience


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