Wir suchen nach optimalen Wachstumsbedingungen, um flach zu sein BiTe-Schichten auf InP (111) B durch Hot-Wall-Epitaxie. Das Substrat stellt eine relativ kleine Gitterfehlanpassung bereit, und so wachsen (0001) -orientierte Schichten halbkohärent. Das Temperaturfenster für das Wachstum ist aufgrund der Nicht-Null-Gitter-Nichtübereinstimmung und der schnellen Rückverdampfung von BiTe als eng befunden. Die mittels Röntgenbeugung bewerteten kristallinen Qualitäten zeigen Verschlechterungen auf, wenn die Substrattemperatur nicht nur von niedrigen Temperaturen, sondern auch von hohen Temperaturen abweicht.

Bei hohen Substrattemperaturen nimmt die Bi-Zusammensetzung zu, da Te durch Sublimation teilweise verloren geht. Wir zeigen außerdem, dass die Einwirkung des BiTe-Flusses bei noch höheren Temperaturen zu einem anisotropen Ätzen der Substrate führt, vermutlich aufgrund der Bi-Substitution der In-Atome durch die In-Atome. Durch das Aufwachsen von BiTe-Schichten auf InP (001) zeigen wir, dass die Bindungsanisotropie auf der Substratoberfläche zu einer Verringerung der In-Plane-Epitaxialsymmetrie führt.

Quelle: Iopscience

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