Gasquellen-Molekularstrahl-Epitaxiewachstum von GaSb wird untersucht. Es wurde gefunden, dass sich Sb(CH 3 ) 3 effektiv zersetzt, wenn die Crackofentemperatur höher als 800°C ist. Es wird gezeigt, dass eine spiegelähnliche GaSb-Epischicht zum ersten Mal unter Verwendung von Sb(CH 3 ) 3 und einer festen Ga-Quelle erhältlich ist.
Quelle: IOPscience
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